【課題】基板表面に堆積させた不純物のラジカルの厚さ（量）を比較的高精度に測定し、その結果に基づいて所望量の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入することができるプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１２と、プラズマ生成室１２に連通して設けられて処理対象である基板Ｓを保持するステージ３１が設けられた処理室１３と、を備え、プラズマ生成室１２で生成されたプラズマ中の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入するプラズマドーピング装置１０であって、ラジカルの生成量を測定する測定手段５０を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】 リニアソースに好適な水晶発振式膜厚モニタ装置と共に、膜厚モニタを用いたＥＬ材料の蒸発源装置や薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 外周端に沿って複数の水晶振動子５０を保持する円盤状の水晶振動子ホルダ１０と、その表面を覆い、かつ、その一個に対応した位置にだけ開口部２１を設けたカバー２０を備えたヘッダと、ヘッダの裏面に設けられた回転機構と、ホルダの回転に伴って開口部から表面を外部に露出する一の水晶振動子の共振周波数を検出する共振周波数検出手段を備えた水晶発振式膜厚モニタ装置では、ヘッダを構成する円盤状のホルダの外周部を円錐状に、内側に角度θだけ窪ませて水晶振動子表面から延長した垂線を円盤状のホルダの回転軸に対して角θだけ傾斜させ、ホルダを回転する駆動部５５０を含む回転機構を、水晶振動子ホルダの回転軸に対して垂直に伸びた方向に設ける。 （もっと読む）

【課題】断熱性能が向上され、耐熱温度の向上が図られた温度測定器、それを備えた成膜装置、それを用いた成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】温度検出部１からの信号を記録する記録部２を内側容器３に収容し、その内側容器３を外側容器４〜６に収容することで断熱する構成とする。外側容器４〜６を、板厚方向に所定間隔の隙間部を有する複数の壁体により構成し、板厚方向に隣接する壁体間の熱伝導を減らす。同様に、外側容器４と内側容器３との間に隙間部を形成すると共に、内側容器３と記録部２との間に隙間部を形成する構成とする。さらに、外側容器の壁体を、内側容器の材質と比較して、熱伝導率が高く、かつ、熱容量が小さい材質によって形成する。これにより、外側容器で受けた熱を、同一壁体内に伝熱し均一化することで、局所的な高温部の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】成膜材料を微量に蒸発させることで成膜材料の利用効率を高めることができる蒸発装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、有機材料からなる成膜材料Ｐを収容する容器３と、容器３に収容された成膜材料Ｐに混入される導電性の粒状混合物４と、容器３内の粒状混合物４を誘導加熱する加熱部５と、を備え、粒状混合物４の成膜材料Ｐに対する体積比は、１／１００００以上で１／１００未満の範囲内の値である。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プロセス上重要なデータを求める際の誤差を最小限に抑えるため、真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータの求める方法を提供する。
【解決手段】マグネトロンに連結されたターゲットでコーティングされる際の光学的発光スペクトルで、少なくとも２つのプロセス材料によって、スペクトル線の少なくとも３つの強度Ｉ_１．．．Ｉ_３が光学的発光スペクトルから求められることによって解決される。この発光スペクトルから、単一または多重の強度が互いに数学的に合成され、そして合成結果から、他の数学的合成によってプロセス上重要なデータが求められ、このデータが後続の測定プロセスまたは制御プロセスで使用される。 （もっと読む）

【課題】膜表面における不純物としてのフッ素化合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ化物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜時の熱による変形を抑制できる成膜マスク及び成膜装置並びに薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
複数の開口２３が形成され、成膜物質が開口２３を通過する通過部２１と、成膜物質を遮蔽する遮蔽部２２とを有している。通過部２１と遮蔽部２２とは長手方向を有し、遮蔽部２２の長手方向の長さは、通過部２１の長手方向の長さ以上にされ、遮蔽部２２の幅の長さは、通過部２１の幅の長さと同じに形成されている。通過部２１と遮蔽部２２とは、成膜マスク２０ａ表面と平行な一の移動方向５に沿って長手方向を密着して並んで配置され、成膜マスク２０ａが一の移動方向５の通過部２１側に通過部２１の幅の距離移動すると、開口２３が位置していた場所が、遮蔽部２２によって塞がれるように構成されている。遮蔽部２２には内部に伝熱媒体が流れる流路部材が密着して設けられている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器の内部の圧力を測定するための第１の圧力計側部Ｍ１と、第２の気化器の内部の圧力を測定するための第２の圧力計側部Ｍ１１と、第１の圧力計側部Ｍ１により測定した第１のデータに基づいて第１の原料ガスの供給量を算出し、第２の圧力計側部Ｍ１１により測定した第２のデータに基づいて第２の原料ガスの供給量を算出し、算出した第１の原料ガスの供給量と算出した第２の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合において、ポリイミド被膜の密着力が低くなることを防止しつつ成膜速度を大きくすることができる成膜基材の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜基材の製造方法は、第１工程と第２工程とを備える。第１工程では、成膜室２０内で、室内温度Ｔを予め設定される基材１０の酸化基準温度（２５０度）より低い第１温度（２２０度）に設定し、室内圧力Ｐを第１温度で原料モノマー３１，４１が気化する第１圧力（１５Ｐａ）に設定して、基材１０の表面にポリイミドの酸化防止用被膜１１ａを形成する。第２工程では、成膜室２０内で、原料モノマー３１，４１の分子数を増加して室内圧力Ｐを第１圧力より大きい第２圧力（９０Ｐａ）に設定し、室内温度Ｔを酸化基準温度より高く且つ第２圧力で各原料モノマー３１，４１が気化する第２温度（３００度）に設定して、酸化防止用被膜１１ａの表面にポリイミドの厚膜用被膜１１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】使用する長尺基板の種類によらず、膜物性を簡便に測定するために有利なロール・ツー・ロール方式を用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺基板に膜を形成する成膜装置は、成膜ユニットと、前記長尺基板を搬送する搬送ユニットと、検査基板を前記長尺基板の上に供給する供給部と、前記成膜ユニットにより膜が形成された前記検査基板を前記長尺基板の上から回収する回収部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の基板を連続して搬送しながら成膜を行う成膜装置の場合、搬送される複数の基板間の間隙を通って成膜室の内壁に堆積する成膜材料の剥離によって膜欠陥が引き起こされるため、堆積した成膜材料を除去するためのメンテナンスが頻繁に必要となり、装置の稼動率が低下してしまう。
【解決手段】 基板を保持して成膜装置の成膜室内を搬送するための基板保持部材において、複数の基板保持部材を搬送方向に連続して配置した際、それぞれの基板保持部材の搬送方向前方部を、前方に配置される基板保持部材の搬送方向後方部と前記被成膜基板の被成膜面の法線方向に重なり合う形状とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚センサの使用寿命が長い真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空槽２１と、真空槽２１内を真空排気する真空排気装置２７と、真空槽２１内に露出する放出口１１ａ、１１ｂから蒸着材料の蒸気を放出する放出装置１２ａ、１２ｂと、放出口１１ａ、１１ｂと対面する位置に基板２６を保持する基板保持部２５と、放出された蒸気が入射する位置に配置され、付着した蒸気からなる付着膜の膜厚を測定する膜厚センサ１５ａ、１５ｂとを有し、基板保持部２５に保持された基板２６に薄膜を形成する真空蒸着装置２であって、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに向けてレーザーを照射するレーザー照射装置１８ａ、１８ｂを有し、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに付着した付着膜にレーザーが照射されると、膜厚センサ１５ａ、１５ｂから付着膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】真空槽内の真空雰囲気を維持しながら振動子から付着膜を除去できる真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽１１内に蒸着材料の蒸気を放出させ、ホルダ３２ａ、３２ｂに接触して保持された振動子３１ａ、３１ｂの表面に蒸気を付着させ、付着膜の膜厚を測定しながら、基板１６に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、付着膜の蒸発温度より融点の高い振動子３１ａ、３１ｂとホルダ３２ａ、３２ｂと、ホルダ加熱装置３３ａ、３３ｂとを用いて、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、ホルダ３２ａ、３２ｂの融点と振動子３１ａ、３１ｂの融点の両方より低い温度でかつ付着膜の蒸発温度以上の温度にホルダ３２ａ、３２ｂを加熱し、ホルダ３２ａ、３２ｂからの熱伝導により振動子３１ａ、３１ｂを加熱し、振動子３１ａ、３１ｂから付着膜を気化させて除去する。 （もっと読む）

【課題】光学的検知装置の測定光路の光路長を十分に確保することで、材料ガス濃度の測定を高精度で行うことが可能であり、さらにバックグラウンド測定を簡易に実施することができ、かつ材料ガスが複数種のガスの混合ガスである場合に各材料ガスの個別の濃度を測定することが可能となる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を成膜させる成膜装置であって、キャリアガスおよび材料ガスを供給する減圧自在な１または複数の材料供給部と、前記基板の上面に材料ガスを噴射させる蒸着ヘッドと、を備え、前記材料供給部と前記蒸着ヘッドは、複数の異なる供給路を介して連通し、前記複数の供給路の１つには材料ガス濃度を測定する光学的検知装置の測定光路が設けられている、成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１１Ｂ内において基板搬送方向Ｄの上流側から下流側にかけて不活性ガスの圧力勾配が生じさせる。この圧力勾配は、上流側の不活性ガスの圧力が高く、下流側の不活性ガスの圧力が低くなるように形成する。このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。このような密度勾配を有するモリブデン層にＬＡＳＥＲスクライブ法を適用すると、モリブデン層を好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波印加電力に大電力が印加された場合でも、高周波印加電極や基板電極、反応室壁などの気相と接する装置表面の温度上昇を抑制し、高精度での温度制御を可能とする薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】基板電極１２、および基板電極１２に対向して設けられる高周波印加電極１３を内部に有する成膜室１１と、高周波印加電極１３に高周波電力を供給する高周波電源１５と、を備える薄膜製造装置１０において、ガスと接する部位の構成部材に設けられる配管２２，３２と、配管２２，３２に所定の温度の冷媒を循環させるチラー２１，３１と、を有し、異なる温度の冷媒ごとに設けられる複数の冷却系統２０，３０と、高周波電源１５による高周波印加電極１３への電力の供給のオン／オフによる構成部材への入熱量の変化に応じて、構成部材の温度が所定の温度となるように各冷却系統２０，３０の冷媒の流量制御を行う流量制御部１６と、を備える。 （もっと読む）