【課題】センサの故障等を検知することができるセンサ故障検知方法、センサ故障検知装置、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】まず、処理装置に配置されているセンサがＯＮ／ＯＦＦしたか否かを判別する（ステップＳ１）。センサがＯＮ／ＯＦＦしたと判別すると（ステップＳ１：Ｙｅｓ）、センサが異常パターンに該当するか否かを判別する（ステップＳ２）。センサが異常パターンに該当すると判別すると（ステップＳ２：Ｙｅｓ）、センサの変化情報を作成する。次に、作成したセンサの変化情報を処理装置の操作パネルに表示する（ステップＳ３）。そして、センサの変化情報をセンサ情報記憶部に記憶する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜する。
【解決手段】成膜容器と、基板を保持する基板保持部と、基板と対向する位置に配置された成膜源と、基板保持部と成膜源との間に配置された開閉可能なシャッターとを有する成膜装置において、シャッター20を、成膜源やプラズマから発生される熱を基板側に放射する材料で構成する。シャッター材料は、成膜温度における放射率が０．７０以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートが高い場合や成膜する膜厚が厚い場合でも安定して膜厚を測定できる成膜装置、膜厚測定装置及び膜厚測定システムを提供する。
【解決手段】蒸発源側が遮蔽されると共に蒸発源１４から気化した成膜材料の粒子が真空容器１２の内壁によって反射して水晶振動子３４に付着するようにセンサ部３０を構成し、水晶振動子３４の発振周波数を検出し、ガラス基板２２に形成される膜の膜厚に対するセンサ部３０に形成される膜の膜厚の変化率及び検出された水晶振動子３４の発振周波数に基づいてガラス基板２２上の膜厚を導出する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための装置に関し、この装置は、物体を配置するための堆積チャンバと、堆積させようとする材料を有する少なくとも１つのソースと、堆積させようとする材料の少なくとも１つの成分の濃度を、少なくとも１つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、物体上への堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも１つの装置とを備え、少なくとも１つの成分の選択的に結合された量は、成分についての結合速度と積極的に連動している少なくとも１つの制御パラメータを修正することによって、制御することができる。本発明はさらに、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための装置に関し、堆積プロセスを制御するための装置が、反応性の材料から作製されるゲッタリング要素を少なくとも１つ有し、反応性の材料は銅および／またはモリブデンを含む。本発明はさらに、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための方法に関し、少なくとも１つの成分の選択的に結合された量は、堆積プロセスを制御するための装置の結合速度を修正することによって制御される。
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本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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【課題】単一の蒸発源で、しかも蒸発源と基板との相対運動を必要とすることなく、大面積で均一な膜形成を実現することのできる蒸発源を提供する。
【解決手段】蒸発源３は、セラミック製のルツボ４、ルツボを加熱するヒーター５等を有する。ルツボ内の蒸着材料８を気化させて蒸着材料の蒸気を発生させ、ルツボの蒸発口に配置された多孔体９の空孔から放出し、平板状の基板上に堆積させて薄膜を形成する。多孔体は、多孔性の板材９ａの一部を切り取り、円錐状に曲げたもので、ルツボの蒸発口における空孔の面内位置に応じた蒸気放出方向の分布をもつことで、薄膜の膜厚を均一化する。 （もっと読む）

【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、所定時間サイクルでカソード部に電力供給を行う電源の状態の読み出しを行う電源状態読み出し信号と、所定のタイミングで前記カソード部への電力供給を停止する電力印加停止信号とを電源に対してシリアル通信によって送信する機能を有する電源制御部を備えて構成されており、電源制御部は、電源状態読出しの信号の送信を停止する読出し停止信号を送信して電源の状態の読み出し処理を停止させた後に電力印加停止信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高精度且つ迅速に基板搬送機構のベアリング間の段差を調整することで、装置稼働率、製品歩留まりの向上及びメンテナンスコストの低減を図ることができるインライン式成膜装置の搬送振動監視装置を提供する
【解決手段】本発明の搬送振動監視装置は、基板６を搭載してインライン式成膜装置Ｓ内に配設された搬送路Ｒに沿って搬送されるキャリアＴに加わる振動を監視するものであって、キャリアＴに取付けられた加速度変化を測定できる加速度センサ５と、加速度センサ５で測定された加速度データと解析するＰＣ１３とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】本発明においては、半導体ウェハの温度を常温から１００℃まで、容易に制御可能な冷却機構を有するスパッタリング装置を提供することを目的としている。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に配置した基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダに固定されたシールドと、熱伝導棒とを有し、前記基板ホルダには、前記熱伝導棒の一方の端が接続されており、該熱伝導棒の他端は冷凍機の冷却パネルと接続する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】真空槽８内に配置された細長の放出装置３０の両端位置の第一、第二の接続口３８ａ、３８ｂに、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂを接続し、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから、放出装置３０の両端位置に成膜材料の蒸気を供給する。放出装置３０の一端から他端に亘って、真空槽８内に蒸気が均一に放出される。第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから放出装置３０に供給される蒸気の供給速度を個別に制御することで、膜厚が均一な薄膜を基板６の成膜面上に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】順送り方向および逆送り方向の両方に搬送される基板のそれぞれを、高い精度で位置調節可能とするフィルム基板の搬送装置を提供する。
【解決手段】帯状のフィルム基板２を、その幅方向について片端部を上側とした縦姿勢で配置して搬送するフィルム基板の搬送装置であって、フィルム基板２の上端部を挟むように配設される少なくとも一対の第１のグリップローラ６と、第１のグリップローラ６の回転角度が前記第１のグリップローラ６の回転方向を搬送方向に対して上方側とするように傾け可能となるように、前記第１のグリップローラの傾斜方向および傾斜角度を調節可能な第１の角度調節機構１１とを備えているフィルム基板の搬送装置。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

本発明は，基板をコーティングする装置に関し，真空チャンバーと，内部がコートされる基板を受ける様に設計された真空チャンバーと，粒子の衝撃により装置の動作の間に除去されるように意図された少なくとも一つのスパッタリングターゲットを有し，少なくとも一つの窓が，前記真空チャンバーの壁に配置され，そして，前記スパッタリングターゲットの摩滅を判定する装置を有し，前記真空チャンバーの外側の少なくとも一つの予め規定されたポイントと，前記スパッタリングターゲットの表面の少なくとも一つの予め規定されたポイントとの間の距離を光学的に測定する側的装置を有し，前記測定装置が，更に視差オフセット及び/又は幾何学的歪みを修正できる評価装置を有する。さらに，本発明は，対応する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、ゾーン１２において検出されたＸＹＺ₂が化学量論的組成比となる基板の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出し、ゾーン１３の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１３の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように、前記予測値に基づきゾーン１３における第ＩＩＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、製膜ゾーン１２にて検出したＸＹＺ₂が化学量論的組成比となるゾーン１２における基板２の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出する。製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】容器１３１と，容器１３１内を加熱するヒータ１３７と、容器１３１内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料１３５がその内部に置かれ、気体状となった成膜材料を容器１３１内に供給する成膜材料供給部１３３と、容器１３１に設けられた開口部１３６と、被成膜体１１を開口部１３６の最外部よりも内側に位置させる回転ドラム１１０と、開口部１３６と連通する真空容器１０２と、真空容器１０２を排気する真空ポンプ１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳなどの多元素膜を真空蒸着する際に多元素膜の組成を一定に制御する。
【解決手段】光透過性の第１の窓１０ａと第２の窓１０ｂを有する成膜チャンバー１０内における多元素膜の成膜対象の基板１４と多元素膜形成用の複数個の蒸着源（１３ａ〜１３ｄ）の間の空間に、第１の窓から所定の波長域の連続光を入射する光源１６と、第２の窓から開口部と基板の間の空間を通過した連続光を受光して２次元的に分光して、２次元画像信号を得る分光部１７と、２次元画像信号を画像処理して原子吸光スペクトルを得て多元素膜を構成する各元素の原子のレートをモニターする信号処理部１８を有する構成とする。 （もっと読む）