【課題】本発明は、イオンゲージの破損を抑制し、安定して放電を開始することができるスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、チャンバー２と、チャンバーを真空排気する配管７と、ガスを導入するガスライン１３と、ターゲット５と、ウェハ４を保持するステージ台３と、ターゲットに電力を印加する電源と、ターゲットとステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定器９と、チャンバーに設けられた開口部と、開口部に連結したイオンゲージ１２ａと、開口部を遮蔽可能に設けられたシャッター１１ｂと、シャッターにスイッチ８を介して電気的に接続されたアースと、シャッター、イオンゲージ及び電流測定器に電気的に接続された制御機構１０と、を具備し、制御機構は、スイッチのオンとオフを制御するとともに、シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内に浮遊する粒子の観察窓への付着を防止でき、真空チャンバ内の広範囲を連続観察が可能な観察窓を有する真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理装置の観察窓２は、真空チャンバ壁１ａに取り付けられ外壁接続部分２１と外壁接続部分２１に連通する筒状体１０と、筒状体１０の内部に軸方向を一致させて挿着したハニカム構造柱状体１１と、筒状体１０の外側端部に組み込まれた窓材１２で構成されている。外壁接続部分２１は可撓管なので、筒状体を真空チャンバ壁１ａの法線方向で前記法線を中心に０°として−４５°以上から４５°以下の範囲に傾けることができる。ハニカム構造柱状体長さに対するハニカム断面最長対角線長さの比は０.０８５以下が好ましい。ハニカム構造柱状体のハニカム断面最長対角線長さは１０ｍｍ以上、ハニカム構造柱状体長さは１０００ｍｍ以下が好ましい。 （もっと読む）

イオン均一性監視デバイスが、プラズマ処理チャンバ内に配置され、チャンバ内に配置される処理対象物から離間して上方に位置する複数のセンサを含む。前記センサは、プラズマ処理に晒された処理対象物の表面から放出される二次電子の数を検出する。各センサは、検出された二次電子に比例する電流信号を出力する。電流比較回路は、複数の電流信号のそれぞれから生成される処理された信号を出力する。プラズマ処理の間に、処理対象物から放出される二次電子の検出は、処理対象物の表面にわたる均一特性を示し、検出は、プラズマ処理の間にその場でオンラインで実行されてもよい。 （もっと読む）

【課題】固体原料を加熱して蒸発させて成膜用の原料ガスを得るにあたって、熱による劣化や変質を抑えながら長時間に亘って安定した量の原料ガスを得ること。
【解決手段】固体原料を貯留する粉体貯留部と、この粉体貯留部から供給される固体原料を溶融させて液体原料を得る粉体受け入れ室と、この粉体受け入れ室から取り出した液体材料を気化させることにより原料ガスを得る気化室と、を設けて、気化室では成膜処理に必要な生成量となるように液体材料に大きな熱量を加えて原料ガスを発生させる一方、粉体受け入れ室では固体原料が溶融できる程度の小さな熱量を加えて熱劣化を抑えながら液体原料を得て、この液体原料を粉体受け入れ室から気化室に向かって通流させる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバ、カソード、高周波電源、基板支持体、シールド及びアノードを含む。カソードは真空チャンバ内にあり、スパッタリングターゲットを含むように構成される。高周波電源はカソードに電力を印加するように構成される。基板支持体は真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁から電気的に絶縁される。シールドは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは環状体と当該環状体から内向きに突出する環状フランジとを含み、プラズマ生成用のターゲットの下の体積を画定するように環状フランジは配置される。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着法を採用し、安定した膜厚分布が得られるインライン蒸着装置、有機ＥＬ装置の製造装置、有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例のインライン蒸着装置としての有機蒸着部は、減圧可能なチャンバーとしての有機蒸着室１２５と、有機蒸着室１２５内において基板Ｗを所定の搬送方向に搬送する基板搬送経路１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃと、基板Ｗの搬送方向に複数の蒸着室１２５ｅとを有し、それぞれの蒸着室１２５ｅにおいて、基板搬送経路１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃの数を３本とするとき、３＋１個の蒸着源１１０を搬送方向に直交する方向において、基板搬送経路１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃの直下を避けた位置に等間隔に設けた。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュの発生をリアルタイムで検出できるようにした物理気相成膜装置と、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】物理気相成膜法によって被成膜体に成膜材料を成膜する物理気相成膜装置１である。真空チャンバー３と、真空チャンバー３内に設けられた成膜材料からなる成膜源４と、成膜源４から成膜材料を被成膜体２に向けて飛翔させる成膜手段５と、真空チャンバー３の外に配置されて、真空チャンバー３に設けられた透光性の窓８を透して成膜源４と被成膜体２との間に光を照射する光源１０と、真空チャンバー３の外に配置されて、光源１０から照射された光を直接的にまたは間接的に受光することで、成膜源４と被成膜体２との間での成膜材料の飛翔状況を観察する観察手段１１と、を有してなる。 （もっと読む）

基板上に薄膜を堆積するための方法及びシステムは、基板上方に位置付けた蒸気供給流源からの蒸発可能材料を導入することを含む。蒸発可能材料は蒸発され、蒸気供給流源から蒸気供給流として基板から離れる方向に向けられる。蒸気供給流は、リディレクタから基板の方へ向きなおされて、基板上に薄膜として堆積される。 （もっと読む）

【課題】レンズ等の曲率を有する基体に、均質なフッ化物薄膜を無加熱で成膜する。
【解決手段】レンズ４を、揺動機構５によって揺動及び回転させながら、遮蔽板３の開口３ａを通して抵抗加熱蒸発源２からの蒸着粒子を被着させ、フッ化物薄膜を成膜する。遮蔽板３の開口３ａは、クラスターイオン源１から照射されるクラスターイオンが３０度以下の入射角でレンズ４に入射する領域にのみ開口する。入射角３０度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ４の有効面全体に及ぶように、揺動機構５によってレンズ４を揺動させる。 （もっと読む）

【課題】例えば結晶性等の向上が図られたＺｎＯ系半導体層を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系半導体層に、１×１０^１７ｃｍ^−３〜２×１０^２０ｃｍ^−３の範囲の濃度でＭｇをドープする。 （もっと読む）

本発明は蒸着物質供給装置およびこれを備えた基板処理装置に係り、さらに詳しくは、有機物質が大容量で充填されて変質なしに保管されると共に、所望の量だけ有機物質を気化させて基板に供給することのできる蒸着物質供給装置およびこれを備えた基板処理装置に関する。
本発明に係る蒸着物質供給装置は、内部に原料物質が充填される貯留空間および原料物質が気化される気化空間が連通状に形成される坩堝と、前記坩堝に充填された原料物質を貯留空間から気化空間に連続的に又は周期的に搬送する搬送ユニットと、前記坩堝に形成される気化空間の外側に配設されて原料物質を気化させる熱を供給する発熱ユニットと、を備える。また、本発明に係る蒸着物質供給装置は、前記坩堝に形成される貯留空間の外側に配設されて前記貯留空間に貯留された原料物質の熱変質を防止する冷却ユニットをさらに備える。 （もっと読む）

本発明は、真空被覆装置（３）の被覆チャンバ（１）内でテストガラス（２４，２４’’）を選択的に被覆しかつ光学的に測定するためのテストガラス変動システム（１０）に関する。被覆チャンバ（１）内では、基板（７）がターンテーブル（２）によって、被覆材料の流れを通る軌道において案内される。テストガラス変動システム（１０）は、テストガラス（２４，２４’’）を収容するためのテストガラスプレート（２６）と、このテストガラスプレート（２６）を選択的に覆うためのカバー（２８，２８’’）とを備えたテストガラスホルダ（８，８’）を有している。さらに、テストガラス変動システム（１０）は、ターンテーブル（２）の回動軸線（５）に対してほぼ平行に方向付けられた軸線（５’）を中心としてテストガラスプレート（２６）を回動させるための回動装置（３４）を有している。テストガラスホルダ（８，８’’）は、ユニットとしてターンテーブル（２）に位置決め可能であり、被覆チャンバ（１）から取出し可能である。
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【課題】磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクと前記基板を保持するキャリヤの状態をより確実に制御する。
【解決手段】基板保持装置５００は、キャリヤ４１０と、前記キャリヤ４１０を制御する制御部４２０とを備える。前記キャリヤ４１０は、永電磁石１０１と第１接点１２０ａとを含む。前記永電磁石１０１の極性可変磁石の極性を制御することによって、前記マスク２００および前記基板３００を保持する第１状態と、保持しない第２状態とのいずれかに設定される。前記制御部４２０は、前記第１接点１２０ａと前記第１接点１２０ａに接触して永電磁石１０１のコイルに電流を供給するための第２接点１２１ａとの接触状態を検知する検知部と、前記第１接点１２０ａと前記第２接点１２１ａとを介して前記コイルに電流を供給する電流供給部１５１とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】成膜において発生する搬送ローラ上でのフィルムのスリップ検出方法及び検出装置と、このスリップの検出結果に基づいて、成膜工程でのフィルムの搬送状態を監視し、搬送時のフィルムに掛かる張力などの条件を制御することで、スリップの発生を抑制し、スリップによる傷の発生を防ぐフィルムの成膜装置を提供する。
【解決手段】皮膜を表面に備えるフィルムを、少なくとも２個の搬送ローラを介して搬送するフィルム搬送装置に用いられるフィルムのスリップ検出方法であって、前記少なくとも２個の搬送ローラ間を搬送されるフィルムに付加した振動波の変化から、前記搬送ローラで発生する前記フィルムのスリップ状態を検出することを特徴とするフィルムのスリップ検出方法。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】蒸着原料の特性に合わせて電子銃の制御を的確に行うレンズの成膜方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置の蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を形成するレンズの成膜方法で、制御部が、蒸着原料の種類に応じて予め設定された初期出力を加熱部に指令して加熱部を起動し、オープンループ制御によって加熱部の出力を徐々に増大するように指令し、予め設定した条件を満たしたときには光学式膜厚測定部の光量値に基づくフィードバック制御によって加熱部の出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】膜厚検出器の検出ヘッドを迅速にかつ精度よく交換できる。
【解決手段】真空蒸着容器１１にシャッタ６１,７１を介して開閉自在な導入予備容器６２と導出予備容器とを備え、水晶振動子３１を収容した収納ボックスに、位置決めピンと給電および計測用の端子とを有する検出ヘッド２２を設け、真空蒸着容器内に設けられた検出器支持部材２３に、検出ヘッド２２の位置決めピンを嵌合させる位置決め孔を有する計測部２３ａを設け、使用済みの検出ヘッド２２を計測部２３ａから導出予備容器に搬出する検出器導出装置と、新規な検出ヘッド２２を導入予備容器６２から計測部２３ａに搬入する検出器導入装置６３とを設け、検出ヘッド２２のメス形コネクタに接続可能なオス形コネクタを有する操作ロッド５１を設けた。 （もっと読む）

【課題】 成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して成膜レートを一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象Ｓが設置される真空成膜室１０と、原料モノマーＭａ、Ｍｂが封入されている蒸発源２１ａ、２１ｂと、前記蒸発源に設けられた加熱手段２２ａ、２２ｂとを備え、前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管にコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂ及び圧力計３２ａ、３２ｂを設けると共に、当該コンダクタンス可変バルブには、前記圧力計で測定された圧力値が前記コンダクタンス可変バルブの設定された圧力値と等しくなるようにコンダクタンス可変バルブの開度を制御する制御部３３ａ、３３ｂを設ける。 （もっと読む）