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Fターム[4K029DA03]の内容

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Fターム[4K029DA03]に分類される特許

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【課題】 本発明は、EL材料の利用効率を高め、且つ、EL層成膜の均一性やスループ
ットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、蒸着室内において、蒸着材料が封入された容器を複数個設置した細長い矩形形
状の蒸着源ホルダ17に設け、基板13に対してあるピッチで移動しながら蒸着を行うこ
とを特徴とする。また、基板の一辺に対して矩形形状の蒸着ホルダの長手方向を斜めにし
たまま移動させてもよい。また、TFT作製時におけるレーザー光の走査方向に対して、
蒸着時における蒸着ホルダの移動方向を異ならせることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
光学薄膜の成膜において、膜厚、屈折率が設計値からずれた場合でも、最終的に得られる光学性能が目的とする光学性能に近づけることができる技術を提供する。
【解決手段】
光学的膜厚がλ/4以上の層で光量の極値が判明した時点で、それ以前に成膜した光学的膜厚がλ/4以下の薄い層の屈折率と膜厚を推定し、最適化手法を用いて成膜中の層および成膜中の層以降の層の膜厚を補正することによって目的とする光学性能を得る。 (もっと読む)


【課題】成膜中のパーティクルを正確に検出することができ、そのパーティクル発生量の変動に合わせた適切なプロセス管理によって、膜中に含まれるパーティクルを管理することができるアークイオンプレーティングを用いた成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】真空炉1本体に通じる開口部51を一端部に備え、他端部を閉塞した筒体5と、筒体5の他端部に取り付けられたパーティクル検出手段6とを備え、筒体5は、その軸芯の延長線上にターゲット表面の一部が位置するように配置され、開口部51の最小開口径Dに対する基準点60と開口部51との間の距離Lの比率が12以上30以下となるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】蒸着工程中に基板と薄膜蒸着装置との精密なアラインが可能である薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着源110の一側に配され、第1方向Yに沿って複数個の蒸着源ノズル121が形成された蒸着源ノズル部120と、蒸着源ノズル部120と対向し第2方向Xに沿って複数個のパターニング・スリット151が形成されるパターニング・スリットシート150と、を具備し、該基板が、第1方向Yに沿って移動しつつ蒸着が行われ、該パターニング・スリットシート150は、第1アラインマーク152及び第2アラインマーク153を含み、該基板は、第1アラインパターン502及び第2アラインパターン503を含み、これらを撮影する第1カメラアセンブリ161及び第2カメラアセンブリ162と、をさらに具備する薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】装置の外部から観察し、ガラス基板の搬送や位置決めを行うための搬送ロボットのティーチング作業に好適な真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】壁部材11により周囲を取り囲んでその内部に真空環境を形成すると共に、当該真空環境内に、少なくとも、ガラス基板100の表面に蒸着処理を行うための蒸着ステージ30と共に、ガラス基板を蒸着ステージへ搬送するための搬送ロボット20を収納した真空チャンバ装置において、壁部材の一部に覗き窓(ビューポート)40を備え、かつ、当該覗き窓は略半球状で均一の肉厚で形成した窓部材41を備え、そして、半球状の部分が真空環境側に突出する。 (もっと読む)


【課題】蒸着時の蒸着対象物の温度を正確かつ精密に取得することのできる蒸着温度計測装置、及びこれを用いた蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】受熱量に応じた検出信号を出力する温感素子と、温感素子からの出力信号を記録する記憶部と、を含む電子温度センサと、蒸着面に貫通孔の設けられた基板と、を備え、基板の貫通孔内に電子温度センサを配設した蒸着温度計測装置とする。また、この蒸着温度計測装置をコートドームに配設した蒸着装置とする。 (もっと読む)


【課題】膜厚モニターの示す蒸着材料の蒸着レート指示値から算出される蒸着膜厚と、基板上への蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】蒸着材料21の蒸気を発生させる蒸着源20と、蒸着材料21の蒸着レートをモニターして蒸着源20の制御を行う膜厚センサーと、を有し、前記膜厚センサーが、少なくとも第1の膜厚センサー31と、第2の膜厚センサー32と、からなる真空蒸着装置1を用いて、被蒸着部材(基板50)に蒸着材料21の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、第1の膜厚センサー31による蒸着源20の制御中において第2の膜厚センサー32に蒸着膜を付着させた後に、第1の膜厚センサー31から第2の膜厚センサー32に切り替えて蒸着源20の制御を行うことを特徴とする、真空蒸着方法。 (もっと読む)


【課題】蒸発速度が安定するまでの時間を短くする技術を提供する。
【解決手段】有機薄膜材料6の温度を測定しながら加熱装置4によって昇温させて、測定で求められる温度が目標温度に到達したら加熱装置に供給される電力を制御して有機薄膜材料の温度を目標温度に維持させる工程を複数回行ない、複数回行なっている間に測定で求められる有機薄膜材料の蒸発速度が閾値蒸発速度以上になったら、加熱装置による有機薄膜材料の加熱によって蒸発速度を増大させ、測定で求められる蒸発速度が目標蒸気速度になったら加熱装置に供給される電力を制御して蒸発速度を目標蒸気速度に維持させる工程を複数回行ない蒸発速度が成膜時蒸発速度に到達したら有機薄膜材料の蒸発速度を成膜時蒸発速度に維持して有機薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子17に衝突するため、フラーレン分子17が大きく変形し、フラーレン分子17の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子17のケージの中に入る確率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】正電荷又は負電荷に帯電した不揮発性分子の分子ビームをパルス化して照射できるようにするとともに、真空室の排気系の負担を軽減する。
【解決手段】大気圧とされた導入チャンバ2と、真空雰囲気とされた真空チャンバ3と、導入チャンバ2内に不揮発性分子を含有する試料溶液を液滴状にして噴霧する液滴生成部4と、導入チャンバ2及び真空チャンバ3の間に設けられ、液滴生成部4から出た液滴を真空チャンバ3内に間欠的に導入するパルスノズル部5と、液滴を帯電させるために、液滴生成部4又はパルスノズル部5に高電圧を印加する高電圧印加部6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置1は、被成膜面上の一方向である第1の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Wを成膜対象とし、ステージ3と、成膜源4と、検出部10と、成膜源制御部16とを具備する。成膜源4は、成膜材料Tから成膜粒子を生成させ、ステージ3に支持された基板Wに第2の方向から成膜粒子を照射する。検出部10は、ステージ3の回転角度を検出する。成膜源制御部16は、検出部10の検出結果に基づいて、第1の方向と、第2の方向を被成膜面に投影した第3の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第1の成膜速度となり、第1の方向と第3の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第1の成膜速度より小さい第2の成膜速度となるように成膜源4を制御する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 (もっと読む)


【課題】基板の自重たわみを安定させると共にこのたわみを利用して基板との密着を容易にする蒸着用メタルマスクを提供する。
【解決手段】金属フレーム10と、金属フレーム10に固定され、複数の開口11を有する金属箔12と、から構成され、金属フレーム10の内縁の角部に基板受け部13が設けられ、基板受け部13のみによって基板20が支持されることを特徴とする、蒸着用メタルマスク1。 (もっと読む)


【課題】成膜した薄膜の膜厚を従来より広い範囲で測定できる膜厚測定方法と、均一な膜厚の薄膜を成膜する真空蒸着装置及び真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】
薄膜材料60に電子線を照射して、薄膜材料60から蒸気を放出させ、成膜対象物80を薄膜材料60に対して走行移動させながら、成膜対象物80の表面に薄膜を成膜する際に、薄膜材料60から放出され、成膜対象物80上のX線検出装置20で薄膜と成膜対象物80とを透過した透過X線の強度を検出し、あらかじめ記憶された透過X線の強度と薄膜の膜厚との対応関係から、成膜対象物80に形成された薄膜の膜厚を測定する。測定結果を基準値と比較して、比較結果から、成膜対象物80の移動速度や電子線の照射位置の移動速度を変更し、薄膜の膜厚を増減させることで、薄膜の膜厚を基準値に近づける。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度n及び電子温度Teを求め、それにより得られた該プラズマ密度n及びプラズマ電位Teに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Jを、J=nq〔√(k・Te/M)〕・exp(−1/2)(該式においてqはイオン電荷量、kはボルツマン定数、Mはイオン質量)を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 (もっと読む)


【課題】長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう場合に、基板とドラムとの密着不良を抑制することにより、熱による基板の変形を防止し、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜手段による成膜領域を規定する開口部68aを有するマスク68と、マスクの開口部における基板Zの搬送方向の上流側の位置で、基板とドラム36との密着状態を検出する密着検出手段と、基板とドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、密着制御手段が密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、基板とドラムとの密着状態を制御する。 (もっと読む)


【課題】高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを形成するための成膜方法、およびこれらの成膜方法を用いて形成されたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、所定の真空度のチャンバ内で基板の表面に無機膜を形成する方法であり、チャンバ内に基板の表面に無機膜を形成する成膜部と、水分を吸着する機能を有する金属を基板以外のものに蒸着する蒸着部とが設けられており、成膜部により基板の表面に無機膜を形成する前、および無機膜の形成中の少なくとも一方のタイミングで蒸着部による蒸着を行う。 (もっと読む)


【課題】複数材料の同時蒸着により形成される混合薄膜の膜厚及び組成を同時に検出するための計測装置を備えた混合薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】被蒸着体にn個の材料からなる混合薄膜を形成する装置において、被蒸着体側から斜めに複数の波長λ1、λ2・・・λnの光が入射し、入射光の一部に混合薄膜中で光吸収が起こり、混合薄膜の表面で全反射した後、再度被蒸着体側に出斜してくる光の減衰率は、元の光強度に対して、Rλ1=f1(d1,d2・・・dn)、Rλ2=f2(d1,d2・・・dn)、Rλn=fn(d1,d2・・・dn)と表されるので、Rλ1、Rλ2・・・Rλnを測定し、上記式を連立して解いて、d1,d2・・・dnを求めることにより、被蒸着体上に堆積する混合薄膜の組成と膜厚の時間に対する推移を同時に計測しながら混合薄膜を形成する混合薄膜形成装置。 (もっと読む)


【課題】大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりが向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質115を放射する蒸着源110と、蒸着源110の一側に配され、複数の蒸着源ノズル121が形成された蒸着源ノズル部120と、蒸着源ノズル部120と対向して配され、複数のパターニングスリット151が配されるパターニングスリットシート150と、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間に配されて、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間の空間を複数の蒸着空間に区切る複数の遮断板131を備える遮断板アセンブリー130と、パターニングスリットシート150に対する基板500の相対的な位置を検出する位置検出部材と、基板500に対するパターニングスリットシート150の相対的な位置を変化させるアライン制御部材と、を備える薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】センサの故障等を検知することができるセンサ故障検知方法、センサ故障検知装置、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】まず、処理装置に配置されているセンサがON/OFFしたか否かを判別する(ステップS1)。センサがON/OFFしたと判別すると(ステップS1:Yes)、センサが異常パターンに該当するか否かを判別する(ステップS2)。センサが異常パターンに該当すると判別すると(ステップS2:Yes)、センサの変化情報を作成する。次に、作成したセンサの変化情報を処理装置の操作パネルに表示する(ステップS3)。そして、センサの変化情報をセンサ情報記憶部に記憶する(ステップS4)。 (もっと読む)


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