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Fターム[4K029DA03]の内容

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Fターム[4K029DA03]に分類される特許

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【課題】
充填したArガスの漏れ量を精度良くモニターして、基板温度異常を防ぐことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明による真空処理装置は、真空チャンバー内に、一対の電極を備え、上面に基板を吸着する静電チャックを配置し、静電チャックの表面にシール部材を設け、少なくとも一つの熱媒体導入系を介して基板と静電チャックとの間に熱媒体を導入し、基板と静電チャックとの間に導入される熱媒体の圧力を圧力監視手段で監視し、熱媒体導入系を介して基板と静電チャックとの間に導入される熱媒体の圧力が予め設定されている所定圧力になるように圧力監視手段を制御する制御手段を設け、そしてシール部と基板との間から真空チャンバーへの熱媒体の漏洩を検知する検知手段を設けている。 (もっと読む)


【課題】光学的品質の薄膜を製造することに関し、特に非線形光学デバイス及び有機発光デバイスで利用されるそのような薄膜の低圧製造を提供する。
【解決手段】基体58上に有機薄膜を形成する方法であって、その方法は、複数の有機前駆物質(14、48)を気相で与え、前記複数の有機前駆物質(14、48)を減圧下で反応させる工程を有する。そのような方法により製造された薄膜及びそのような方法を実施するのに用いられる装置も含む。本方法は、有機発光デバイスの形成及び他のディスプレイ関連技術によく適している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、膜質の向上を図りつつ、長時間にわたり連続して成膜作業を行うことを可能とする成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置1は、真空容器10内でプラズマビームPにより成膜材料Maを蒸発させ、被処理物としての基板11に付着させて膜を生成する成膜装置であって、成膜材料Maを保持すると共に、プラズマビームPを誘導する主陽極3と、主陽極3を囲むように配置されると共に、主陽極3によるプラズマビームPの誘導を補助する環状の補助陽極4と、補助陽極4の位置を調整する位置調整装置6と、を備え、真空容器10は、真空容器10の内外を連通させる貫通孔10f〜10jを有しており、位置調整装置6は、貫通孔10f〜10jを通じて、真空容器10の外側から補助陽極4の位置を調整するための調整部70と、貫通孔のシール性を維持するベローズ80とを有する。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法により従来よりもバリア性が高い無機層を成膜すること。
【解決手段】無機層を成膜する面の面積がa(単位:cm2)である支持体を、容積が100a(単位:cm3)以下である第1真空槽へ搬入して真空状態とし、真空状態を維持したまま支持体を第2真空槽へ搬送して、第2真空槽内にて支持体上に無機層を真空成膜する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で蒸着材料の蒸気流密度分布を把握し、蒸着レート及び薄膜の膜厚制御が可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム5の照射により蒸発源1に設けられた蒸着材料3を蒸発させ、天井側に配置されたワーク7の表面に蒸着材料3を堆積させて薄膜を形成する薄膜形成装置において、自己に堆積した蒸着材料3の膜厚を測定する複数の膜厚センサ8,9と、複数の膜厚センサ8,9により測定された複数の膜厚に基づきワーク7の表面に形成された薄膜の膜厚を算出する算出部10と、算出部10により算出された薄膜の膜厚に応じて電子ビーム5の出力を制御する電子ビーム電源11とを備え、少なくとも2つの膜厚センサは、蒸発源1における蒸着材料3を収納する部分の中心点から蒸発面に対して垂直上方方向と、中心点から自己の膜厚センサに至る方向とがなす角度について、互いに異なる角度に設けられている。 (もっと読む)


【課題】膜厚分布が良く、膜質が優れた膜を基板に形成することができ、しかも成膜材料の無駄を抑制できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着方法は、真空容器内で複数の蒸発源を用いて蒸着により基板の表面に膜を形成するものである。蒸発源は上方に開口部を有し、内部に成膜材料が収納される加熱容器、この底部から所定の高さの位置の温度を測定する温度センサ、加熱容器を加熱する加熱部を備え、成膜材料を蒸発させるものである。基板に膜を形成するに際して、各蒸発源について、所定の温度に達した後からの温度センサにより測定された温度の平均値を求め、温度センサによる温度の測定値が、平均値に所定の温度差値を足した値以上になったとき、温度が達した蒸発源における成膜材料の蒸発を停止させる。 (もっと読む)


【課題】基板上に所望のサイズのクラスター粒子を所望の堆積量分布に従って形成する。
【解決手段】所定サイズのクラスター粒子からなるイオンビームを出射することが可能なイオンビーム出射手段(2)と、イオンビーム出射手段(2)から出射されたイオンビーム(14)の照射方向を可変する照射方向可変手段(4)と、イオンビームの照射方向に配置された基板(8)と、イオンビーム(14)の基板(8)上での強度分布を推定するためのイオンビーム強度分布推定手段(20)と、基板上に所望の堆積量分布を有するクラスター粒子を形成するために、イオンビーム強度分布推定手段(20)によって推定された強度分布に基づいて、イオンビーム出射手段(2)および照射方向可変手段(4)を制御する制御装置(12)と、を備える、クラスター粒子堆積装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】真空蒸着装置において、正確な蒸着レートを安定的に計測して、この蒸着レートに基づいて高精度な蒸着膜を形成する。
【課題手段】真空蒸着装置は真空チャンバ1内に蒸着材料2を収容する蒸発源3と被蒸着体4とが、蒸発源3と被蒸着体4との間には蒸着材料2が気化される温度に加熱された筒状体5が配置される。また、真空蒸着装置は蒸着膜厚を計測する膜厚計測部6と、筒状体5と膜厚計測部6との間を接続する誘導路7とを備え、誘導路7は屈曲部71を備えると共に蒸着材料2が気化される温度に加熱される。この構成によれば、蒸着材料2が誘導路7内に堆積せず、膜厚計測部6は筒状体5からの輻射熱を受け難くなり、突沸が生じても塊状の蒸着材料2が膜厚計測部6に付着しない。そのため、真空蒸着装置は正確な蒸着レートを安定的に計測でき、これに基づいて高精度な蒸着膜を形成することができる。 (もっと読む)


本発明のストリップコーティングシステム1は、第1のプーリ2に巻回された柔軟性のある、金属又はアルミの基板3を備えるプーリ2を含む。更に、本ストリップコーティングシステム1は、コーティングされた基板3を巻き取る第2のプーリ4(巻き取りプーリ)を有する。本ストリップコーティングシステム1において行われるコーティングプロセスは、連続的なコーティングプロセスである。このコーティングプロセスの間、第1のプーリ2及び第2のプーリ4は回動し、基板3の表面3’上にコーティングパーティクル6を堆積するためのコーティング装置5を、基板3が連続的に通過するように、基板3を動かす。速度vによりコーティング部を通過した後、表面3’の上にコーティングフィルムを載せた基板3は、コーティングフィルム7の層の厚さを計測するためのIR分光計測装置8を通過する。矢印9はIR分光計測装置8とコーティング装置5との間のフィードバック制御を示している。フィードバック制御9は計測装置8により検出されたコーティングフィルム7の厚さの計測値に応じて、コーティング装置5の、1つ、又は、複数のプロセスパラメータを制御する。このようにして、コーティングフィルム7の厚さを、インシチュにより、オンラインで測定し得る。
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【課題】簡単な構成で、蒸着膜厚を長時間にわたって高精度に制御することができる仕組みを提供する。
【解決手段】本発明の有機EL素子の製造装置は、有機EL素子の素子基板に有機材料からなる蒸着材料を蒸着させるとともに、素子基板に蒸着される蒸着材料の膜厚を監視する膜厚監視部23を備える。膜厚監視部23は、光透過性を有する測定用板26と、この膜厚監視部23の一部に蒸着材料を付着させるための蒸着窓30を有する防着板27と、測定用板26を回転移動可能に支持する駆動機構28と、蒸着窓30を通して測定用板26に付着した蒸着膜厚を光学的に測定する反射率測定器29とを有する。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバーに設けられている圧力計を交換する際に、真空チャンバー内やロードロック室等を大気開放することなく交換できるロードロック室を有する真空チャンバー装置を提供することである。
【解決手段】ロードロック室と圧力計がそれぞれ配管により連接されているチャンバーと、ロードロック用ポンプと、高真空ポンプと、荒引きポンプと、を備えたロードロック室を有する真空チャンバー装置であって、前記配管により連接されている圧力計とチャンバー間に第一の開閉バルブを備え、第一の開閉バルブと圧力計の間に、その間の配管内を大気圧にする第二の開閉バルブを備え、さらに、第一の開閉バルブと圧力計の間に、第三の開閉バルブを介して配管内を減圧する配管用荒引きポンプを具備していることを特徴とするロードロック室を有する真空チャンバー装置である。 (もっと読む)


【課題】均一な金属薄膜が形成されるようにソース容器内のソース量を常にほぼ一定に維持することができるソース量制御が可能な真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、チャンバー100と、チャンバー100内の上部に設けられる基板130と、基板130の直下に設けられ、内部にソース111が満たされるソース容器110と、ソース容器110の下面に取付けられた質量測定機120と、質量測定機120に接続されてソース容器110の質量の情報を受信する制御部140と、制御部140に接続され、ソース容器110の質量の情報に応じて制御部140で生成されたソース供給信号が伝達され、ソース容器110内にソース111を供給するソース供給機150とを含んでいる。 (もっと読む)


マグネトロン(72)をターゲット(38)の裏面の近傍で、半径方向成分を有する複雑な選択経路(150)で走査する場合、ターゲットエロージョン分布は、選択される複数の経路によって変わる形状を有する。所定のマグネトロンに対応する半径方向エロージョン速度分布(160)を測定する。走査中、定期的に、エロージョン分布(168)を、測定エロージョン速度分布(160)及び当該測定エロージョン速度分布から得られる分布(162,164,166)、マグネトロンが異なる半径方向位置で消費した時間、及びターゲット電力に基づいて計算する。計算エロージョン分布を使用することにより、エロージョン量がいずれかの位置で過剰になった時点を通知してターゲット交換を催促することができ、またターゲット上方のマグネトロンの高さを繰り返し走査に対応して調整することができる。本発明の別の態様によれば、マグネトロンの高さを、走査中に動的に調整する(206)ことによりエロージョン特性を補正する。当該補正は、計算エロージョン分布に基づいて行なうことができ、または定電力ターゲット電源(110)のターゲット電圧(124)の現在値をフィードバック制御することにより行なうことができる。
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【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるHB(High brightness)放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるHB放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第1電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりHB放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 (もっと読む)


【課題】ホスト材料とドーパントとからなる膜層のドーパントの混合比率を、コストを抑制しつつ測定する。
【解決手段】第1の基板11を、周縁部を除いて開放した状態で基準面25上を第1の方向線51に沿って搬送する第1の搬送手段31と、第1の搬送手段31と隣り合う搬送手段であって、第2の基板12を周縁部を除いて開放した状態で基準面25上を第1の方向線51に沿って搬送する第2の搬送手段32と、基準面25上において第1の方向線51と直行する第2の方向線52を中心とする所定の幅を有する帯状の領域40と第1の基板11とが重なり得る第1の領域41及び帯状の領域40と第2の基板12とが重なり得る第2の領域42、の双方の領域に第2の蒸着材料を同時に飛翔させることが可能な第2の蒸着源62と、第1の蒸着材料を第1の領域41にのみ飛翔させることが可能な第1の蒸着源61と、を備えることを特徴とする蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】蒸着源が固定されて駆動軸により上下に移動される棚が、カウンターウェイトが装着された滑車と締結することによって、蒸着源及び棚の全体の重さが顕著に低減し、自重が減少した棚を往復移動させるための駆動装置の駆動力も小容量化になることができるとともに、カウンターウェイトによって軽減された棚の重さが望ましくは“0(zero)”になるようにして棚の正確な位置移動が可能になり、落下をあらかじめ除去できるようになった蒸着源用移動装置を提供する。
【解決手段】蒸着機が搭載/固定された棚と、この棚が選択的に垂直往復移動されることができるように連動設置された駆動軸と、棚が一端部と締結されて、カウンターウェイトが他端部に装着された重さの軽減部材と、が具備されてなされることを特徴とする蒸着源用移動装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】波長毎に凹面回折格子212の調節をする必要が無く、半導体ウエハWの異なる層を処理するときに生じる光を、各層の物理的及び/又は化学的特性を分析するのに必要な分解能で分光することができる。
【解決手段】導入スリット211と、凹面回折格子212と、光検出部と、を備え、前記光検出部の受光面213aが、前記凹面回折格子212により定まる仕様位置Pとは異なり、前記半導体ウエハWの2以上の異なる処理の際に生じる光それぞれに対して、当該各処理の物理的及び/又は化学的特性を得るのに必要な分解能を有する位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なたZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、CeおよびBを含み、Ce含有量がB含有量より多く、Ce含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内およびB含有量が0.1〜10質量%の範囲内であるZnO多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が3〜50%の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、CeとBの合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、CeおよびScを含み、Ce含有量がSc含有量より多く、Ce含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内およびSc含有量が0.1〜10質量%の範囲内であるZnO多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が3〜50%の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、CeとScの合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも1つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


201 - 220 / 331