成膜装置および成膜方法
【課題】成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】容器１３１と，容器１３１内を加熱するヒータ１３７と、容器１３１内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料１３５がその内部に置かれ、気体状となった成膜材料を容器１３１内に供給する成膜材料供給部１３３と、容器１３１に設けられた開口部１３６と、被成膜体１１を開口部１３６の最外部よりも内側に位置させる回転ドラム１１０と、開口部１３６と連通する真空容器１０２と、真空容器１０２を排気する真空ポンプ１０３と、を備える。
【解決手段】容器１３１と，容器１３１内を加熱するヒータ１３７と、容器１３１内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料１３５がその内部に置かれ、気体状となった成膜材料を容器１３１内に供給する成膜材料供給部１３３と、容器１３１に設けられた開口部１３６と、被成膜体１１を開口部１３６の最外部よりも内側に位置させる回転ドラム１１０と、開口部１３６と連通する真空容器１０２と、真空容器１０２を排気する真空ポンプ１０３と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置および成膜方法に関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する膜を成膜する成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料の特徴により、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子と高分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子に大きく分けられ、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子は、真空蒸着法によって製造されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１においては、ノズル内で有機発光材料を気化させて、気化した有機発光材料を基板に向けてノズルから吐出させることにより基板上に有機発光材料からなる膜を成膜している。そして、ノズルと基板との距離を１５ｍｍ以下とすることにより、膜中に取り込まれる水分を少なくして有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を図っている。
また、非特許文献１においては、有機発光材料を蒸発させるノズル内部に流路補正板を設置することで幅方向の膜厚分布を改善できることが示されている。
【０００４】
しかしながら、非特許文献１の方法によっても膜厚の均一性の改善は十分ではなく、成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２８７９９６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】信学技法 ＩＥＩＣＥ Technical Report ＯＭＥ ２００９−１０ （２００９−０５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の主な目的は，成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者達は、上述した従来の方法について考察した結果、以下の知見を得た。すなわち、従来の方法は、いわゆる真空蒸着法であり、ノズル内で有機発光材料を気化させて気化粒子を作成し、気化粒子をノズルから基板に向けて輸送し、基板上に気化粒子を付着堆積させて有機発光材料からなる膜を作成する方法であるので、ノズルから基板に向かう気化粒子の流れの分布を均一にしない限り、膜厚分布は均一にはならない。その一方で、上述したような従来の方法では、ノズルと基板との距離を短くしており、そのような状況では、ノズルから基板に向かう気化粒子の流れの分布を均一にすることは非常に困難である。
【０００９】
このように、従来のような真空蒸着の手法を用いる限り、ノズルと基板との距離を短くした場合には、気化粒子の流れ分布を基板上で均一にすることは非常に困難である。従って、膜厚分布をさらに均一なものとするためには、真空蒸着とは全く異なった手法を用いる必要がある。
【００１０】
本願発明者達は、このような考えの下、鋭意研究した結果、真空蒸着法のように基板を気化粒子の流れの中に置くのではなく、気化粒子が一定の蒸気圧で存在する真空の状態であって、気化粒子の流れがない真空の状態に基板を置けばいいということを見出した。このような状態では、気化粒子は、３次元的に等方的に運動をしているので、気化粒子が基板に付着・堆積することによって基板上に成膜される膜の膜厚は均一なものとなる。
【００１１】
本発明は上記の知見に基づくものであり、
本発明の好ましい一態様によれば、
容器と，
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器に設けられた開口部と、
被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置が提供される。
【００１２】
この装置では、成膜材料供給部が容器内に設けられ、当該容器は加熱手段によって加熱されるので、加熱された温度において、液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。
【００１３】
また、上記容器とは別に真空容器が設けられ、この真空容器を排気する排気手段が設けられ、上記容器に設けられた開口部はこの真空容器に連通しているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給部から液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料が供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００１４】
そして、位置手段によって被成膜体を開口部の最外部よりも内側に位置させるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内で、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させることができる。そして、この状態で被成膜体に成膜材料を付着させて被成膜体上に膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させているので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００１５】
好ましくは、前記位置手段によって、前記被成膜体を一方向に、前記容器の外側から前記開口部へ移動させ、前記開口部から前記容器の外側へ移動させる。このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００１６】
また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の最外部である。
【００１７】
また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出する突出部の最外部である。このように、突出部を設けた場合には、突出部の最外部に対して、被成膜体を位置させることができる。
【００１８】
また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出し、前記一方向に沿って延在する突出部の最外部である。このようにすれば、突出部を設けた場合にも、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００１９】
また、好ましくは、前記位置手段は、その表面に前記被成膜体が巻き掛けられる回転ドラムである。このようにすれば、回転ドラムを回転することによって、被成膜体を移動させることができ、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００２０】
また、好ましくは、前記位置手段は、前記開口部へ前記被成膜体を直線的に移動させる移動手段である。このようにすれば、被成膜体を直線的に移動させることによって、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００２１】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部と、
被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて前記容器内へ位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置が提供される。
【００２２】
この装置では、成膜材料供給部が容器内に設けられ、当該容器は加熱手段によって加熱されるので、加熱された温度において、液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。
【００２３】
また、上記容器とは別に真空容器が設けられ、この真空容器を排気する排気手段が設けられ、上記容器に設けられた開口部はこの真空容器に連通しているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給部から液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料が供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００２４】
そして、容器の互いに対向する側面に開口部をそれぞれ設け、位置手段によって被成膜体を２つの開口部を貫通させて容器内へ位置させるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内で、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させることができる。そして、この状態で被成膜体に成膜材料を付着させて被成膜体上に膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させているので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。また、容器の互いに対向する側面に開口部をそれぞれ設け、位置手段によって被成膜体を２つの開口部を貫通させて容器内へ位置させるので、容器内にある被成膜体の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段によって被成膜体を一方の開口部から他方の開口部に向かって移動させれば、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００２５】
また、好ましくは、前記気体状となった成膜材料が前記容器内に前記成膜材料の飽和蒸気圧で存在する状態で成膜を行う。
【００２６】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置が提供される。
【００２７】
この装置では、容器に開口部が設けられ、この開口部と真空排気手段との間には排気経路が設けられているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給手段から、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００２８】
そして、位置手段によって容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがないので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体の被成膜面を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００２９】
さらに、当該位置手段は、容器内に開口部を介して被成膜体を位置させるので、成膜中に開口部を通じて被成膜体を移動させることができ、このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００３０】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置が提供される。
【００３１】
この装置では、容器に開口部が設けられ、この開口部と真空排気手段との間には排気経路が設けられているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給手段から、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００３２】
そして、位置手段によって容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所では、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしているので、
成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００３３】
さらに、当該位置手段は、容器内に開口部を介して被成膜体を位置させるので、成膜中に開口部を通じて被成膜体を移動させることができ、このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００３４】
また、開口部を、容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部とし、位置手段によって被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて位置させてもよく、容器内にある被成膜体の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段によって被成膜体を一方の開口部から他方の開口部に向かって移動させれば、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００３５】
好ましくは、前記位置手段によって前記被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる。
【００３６】
好ましくは、前記成膜装置は、前記成膜材料供給手段が前記容器内に配置され、前記容器内を所定の温度に加熱する加熱手段をさらに備える。
【００３７】
このようにすれば、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を容器に供給する成膜材料供給手段が容器内に配置され、当該容器は加熱手段によって所定の温度に加熱されるので、加熱された所定の温度において、熱的に平衡状態にある気体状の成膜材料の蒸気圧で、気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。
【００３８】
好ましくは、前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記所定の温度における飽和蒸気圧である。
【００３９】
好ましくは、前記成膜材料供給手段が前記容器の外部に配置され、前記容器内を第１の所定の温度に加熱する第１の加熱手段および前記成膜材料供給手段を第２の所定の温度に加熱する第２の加熱手段をさらに備える。
【００４０】
このようにすれば、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を容器に供給する成膜材料供給手段が容器の外部に配置され、成膜材料供給手段は第２の加熱手段によって第２の所定の温度に加熱されるので、加熱された第２の所定の温度において、熱的に平衡状態にある気体状の成膜材料の蒸気圧で、気体状の成膜材料がこの成膜材料供給手段の空間に存在し、その蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給される。そして、容器内は第１の加熱手段によって第１の所定の温度に加熱されるので、成膜温度と、成膜材料の蒸気圧を決定する温度とを異なるものとすることができるようになる。
【００４１】
好ましくは、前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧である。
【００４２】
また、好ましくは、前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、前記第１の気体と共に、前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧で前記容器に供給される。
【００４３】
また、好ましくは、前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段と、前記成膜材料と反応しない第２の気体を成膜材料容器の下流に供給する第２の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、（前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧）×（前記第１の気体の流量）／（前記第１の気体の流量＋前記第２の気体の流量）の蒸気圧で前記容器に供給される。
【００４４】
このようにすれば、容器に供給される気体状の成膜材料の蒸気圧を、成膜材料供給手段の第２の加熱手段による加熱温度だけでなく、第１の気体の流量と第２の気体の流量によっても制御することができるようになる。
【００４５】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置が提供される。
【００４６】
このように、容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがないので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００４７】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置が提供される。
【００４８】
このように、容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所では気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしているので、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００４９】
好ましくは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である。
【００５０】
本発明の好ましい他の態様によれば、
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法が提供される。
【００５１】
このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、被成膜体に成膜材料を付着させて成膜するので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させて成膜することになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００５２】
本発明の好ましい他の態様によれば、
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法が提供される。
【００５３】
このように、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させて成膜するので、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００５４】
好ましくは、前記気体状の成膜材料が容器内に前記一定の蒸気圧で存在し、前記容器内には前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が供給されると共に、前記容器は排気されている。このようにすれば、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００５５】
好ましくは、前記一定の蒸気圧は前記成膜材料の飽和蒸気圧である。
【００５６】
また、好ましくは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である
【発明の効果】
【００５７】
本発明によれば、成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、本発明の第１乃至４の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子を説明するための概略縦断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１乃至４の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置を説明するための概略縦断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図４】図４は、図３のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図５】図５は、図３のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図６】図６は、図３のＸ２−Ｘ２線断面図である。
【図７】図７は、図４のＡ部の部分拡大縦断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１乃至４の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図１０】図１０は、図９のＸ３−Ｘ３線断面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＢ部の部分拡大縦断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図１３】図１３は、図１２のＸ４−Ｘ４線断面図である。
【図１４】図１４は、図１３のＣ部の部分拡大縦断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第４の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図１６】図１６は、図１５のＸ５−Ｘ５線断面図である。
【図１７】図１７は、図１５のＸ６−Ｘ６線断面図である。
【図１８】図１８は、図１６のＤ部の部分拡大縦断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第５の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２０】図２０は、図１９のＸ７−Ｘ７線側面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第６の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２２】図２２は、図２１のＸ８−Ｘ８線側面図である。
【図２３】図２３は、本発明の第７の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２４】図２４は、図２３のＸ９−Ｘ９線側面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第８の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第９の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第１０の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の第１１の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５９】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００６０】
（第１の実施の形態）
図１を参照すれば、本発明の第１乃至１１の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子１０は、基板１１上に、陽極１２、正孔注入層１３、正孔輸送層１４、発光および電子輸送層１５、電子注入層１６、陰極１７がこの順に形成されている。
【００６１】
基板１１は、例えば、長さが数十ｍのＰＥＴ （ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルムからなる長尺のフレキシブル基板である。陽極１２は、膜厚が例えば１５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる透明電極である。正孔注入層１３は、膜厚が例えば１０ｎｍのＣｕＰＣ（銅フタロシアニン）からなっている。正孔輸送層１４は、膜厚が例えば５０ｎｍのａ−ＮＰＤ（ビス［Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ-フェニル］ベンジジン）からなっている。発光および電子輸送層１５は、膜厚が例えば６５ｎｍのＡｌｑ３（８-ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体）からなっている。電子注入層１６は、膜厚が例えば０．５ｎｍのＬｉＦ(フッ化リチウム）からなっている。陰極１７は、層厚が例えば８０ｎｍのＡＩ（アルミニウム）からなっている。
【００６２】
次に、図２を参照すれば、本発明の第１乃至１２の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置１００は、成膜室１０１と、基板繰り出し室１８０と、基板巻き取り室１９０と、制御部３００とを備えている。
【００６３】
基板繰り出し室１８０は、チャンバ１８１と、真空ポンプ１８６とを備え、チャンバ１８１内には、ロール状の基板１１を繰り出す繰り出しローラ１８２と、基板１１をガイドするガイドローラ１８３と、基板１１を上下方向から扶持するローラ１８４、１８５とが設けられている。チャンバ１８１内は真空ポンプ１８６によって排気される。
【００６４】
基板巻き取り室１９０は、チャンバ１９１と、真空ポンプ１９４とを備え、チャンバ１９１内には、基板１１をガイドするガイドローラ１９３と、基板をロール状に巻き取る巻き取りローラ１９２とが設けられている。チャンバ１９１内は真空ポンプ１９４によって排気される。
【００６５】
成膜室１０１は、チャンバ１０２と、真空ポンプ１０３と、回転ドラム１１０と、ＣｕＰＣ膜を成膜するＣｕＰＣ膜成膜室１３０と、αーＮＰＤ膜を成膜するαーＮＰＤ膜成膜室１４０と、Ａｌｑ３膜を成膜するＡｌｑ３膜成膜室１５０と、ＬｉＦ膜を成膜するＬｉＦ膜成膜室１６０と、Ａｌ膜を成膜するＡｌ膜成膜室１７０とを備えている。ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０は、回転ドラム１１０の回転方向にこの順で回転ドラム１１０の外周面に沿って配置されている。チャンバ１０２内は真空ポンプ１０３によって排気される。
【００６６】
チャンバ１０２の壁１０４には、基板繰り出し室１８０および基板巻き取り室１９０とそれぞれ連通する連通孔１０５および連通孔１０６がそれぞれ設けられている。基板繰り出し室１８０内の繰り出しローラ１８２から繰り出された基板１１は、ガイドローラ１８３によってガイドされ、ローラ１３２、１３３によって上下方向から扶持され、連通孔１０５を通って成膜室１０１に入り、成膜室１０１内に設けられた回転ドラム１１０の外周面上を搬送され、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０をこの順に経由し、その後、連通孔１０６を通って基板巻き取り室１９０に入り、ガイドローラ１９３によってガイドされ、巻き取りローラ１９２によってロール状に巻き取られる。
【００６７】
制御部３００は、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０と信号線３０１で接続され、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＣｕＰＣ膜成膜室１３０の温度等を制御する。制御部３００は、αーＮＰＤ膜成膜室１４０と信号線３０２で接続され、αーＮＰＤ膜成膜室１４０から温度等の信号を受け取り、それに応じてαーＮＰＤ膜成膜室１４０の温度等を制御する。制御部３００は、Ａｌｑ３膜成膜室１５０と信号線３０３で接続され、Ａｌｑ３膜成膜室１５０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＡｌｑ３膜成膜室１５０の温度等を制御する。制御部３００は、ＬｉＦ膜成膜室１６０と信号線３０４で接続され、ＬｉＦ膜成膜室１６０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＬｉＦ膜成膜室１６０の温度等を制御する。制御部３００は、Ａｌ膜成膜室１７０と信号線３０５で接続され、Ａｌ膜成膜室１７０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＡｌ膜成膜室１７０の温度等を制御する。
【００６８】
また、制御部３００は、真空ポンプ１０３および成膜室１０１の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０６で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１０３を制御して、成膜室１０１内を所定の真空度に制御する。制御部３００は、真空ポンプ１８６および基板繰り出し室１８０の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０７で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１８６を制御して、基板繰り出し室１８０内を所定の真空度に制御する。制御部３００は、真空ポンプ１９４および基板巻き取り室１９０の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０８で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１９４を制御して、基板巻き取り室１９０内を所定の真空度に制御する。
【００６９】
さらに、制御部３００は、回転ドラム１１０，繰り出しローラ１８２および巻き取りローラ１９２と信号線３１１、３１２および３０９でそれぞれ接続され、回転ドラム１１０，繰り出しローラ１８２および巻き取りローラ１９２の回転等をそれぞれ制御する。
【００７０】
次に、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０を説明するにあたり、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０を例にとって説明する。αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０はＣｕＰＣ膜成膜室１３０と同じ構成なので、その説明は省略する。
【００７１】
図３〜６を参照すれば、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０は、容器１３１と、容器１３１内を加熱するヒータ１３７と、容器１３１内に設けられ、成膜材料１３５がその内部に置かれる成膜材料容器１３３と、成膜材料容器１３３の上側開口を閉じる蓋１３４であって、上下移動可能な蓋１３４とを備えている。容器１３１の側面（本実施の形態では底面）１３１ａには開口部１３６が設けられている。
【００７２】
回転ドラム１１０が、この開口部１３６に配置され、それによって、回転ドラム１１０の外周面上に位置している基板１１の被成膜面１１ａが、開口部１３６の最外部、すなわち、本実施の形態では、側面（底面）１３１ａの最外部である表面１３１ｂ（図７参照）、よりも内側に位置している。
【００７３】
基板１１は、回転ドラム１１０が左回りに回転するにつれて、一方向１３１ｘ（図３では紙面の右から左方向、図４では、紙面の裏側から表側）に移動する。
【００７４】
制御部３００は、ヒータ１３７および容器１３１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１０で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３７を制御して、容器１３１内を所定の温度に制御する。
【００７５】
このように、成膜材料容器１３３が容器１３１内に設けられ、当該容器１３１内はヒータ１３７によって加熱されるので、加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）がこの容器１３１内の空間１３２に存在する。容器１３１内の空間１３２には、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が存在している。
【００７６】
また、上記容器１３１とは別に成膜室１０２のチャンバ１０２が設けられ、このチャンバ１０２を排気する真空ポンプ１０３が設けられ、上記容器１３１に設けられた開口部１３６はこのチャンバ１０２に連通しているので、容器１３１内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料容器１３３から成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が供給されるので、容器１３１内を気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が一定の蒸気圧、本実施の形態では飽和蒸気圧、で存在する真空の状態とすることができる。
【００７７】
そして、回転ドラム１１０によって基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させるので、容器１３１内を気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が一定の蒸気圧、本実施の形態では飽和蒸気圧、で存在する真空内で、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）の流れがない箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させることができる。そして、この状態で基板１１の被成膜面１１ａに成膜材料（ＣｕＰＣ）を付着させて基板１１の被成膜面１１ａ上にＣｕＰＣ膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）の流れがない箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させているので、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が３次元的に等方的に運動をしている箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させることになり、成膜されたＣｕＰＣ膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００７８】
次に、上記した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置１００を用いて、上記し
た有機エレクトロルミネッセンス素子１０を製造するための製造方法を図８を参照して説明する。
【００７９】
まず、基板１１として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルムからなる長尺のフレキシブル基板を準備し、基板１１の表面にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）１２を形成する。そして、ＩＴＯ２０が形成された基板１１をロール状にし、繰り出しローラ１８２、回転ドラム１１０、巻き取りローラ１９２にセットする。
【００８０】
次に、回転ドラム１１０の外周面上を搬送されてくる基板１１に対し、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０によって、順次ＣｕＰＣ膜１３、αーＮＰＤ膜１４、Ａｌｑ３膜１５、ＬｉＦ膜１６およびＡｌ膜１７を形成する。
【００８１】
（第２の実施の形態）
図９乃至図１１を参照して第２の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、基板１１を回転ドラム１１０の外周面上を搬送したが、本実施の形態では、基板１１を張り渡して直線状に移動させる点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８２】
（第３の実施の形態）
図１２乃至図１４を参照して第３の実施の形態を説明する。第２の実施の形態では、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の外面より突出する突出部２０１を基板１１の移動方向に沿って設けており、基板１１の被成膜面１１ａを突出部２０１の最外部２０１ｂよりも内側に位置させている点が第２の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８３】
（第４の実施の形態）
図１５乃至図１８を参照して第４の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の外面より突出する突出部２０１を設けており、基板１１の被成膜面１１ａを突出部２０１の最外部２０１ｂよりも内側に位置させている点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８４】
（第５の実施の形態）
図１９、図２０を参照して第５の実施の形態を説明する。第１乃至第４の実施の形態では、容器１３１の底面１３１ａに開口部１３６を設け、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６内に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の底面１３１ａには開口部は設けず、容器１３１の互いに対向する側面１３１ｂに開口部２１２をそれぞれ設け、位置手段（図示せず）によって被成膜体である平板状の基板１１を２つの開口部２１２を貫通させて容器１３１内へ位置させ、２つの開口部２１２をチャンバ２１２内に位置させている点が第１乃至第４の実施の形態と異なるが他の点は同様である。本実施の形態では、容器１３１内にある基板１１の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段（図示せず）によって被成膜体を一方の開口部２１２から他方の開口部２１２に向かって移動させれば、基板１１に連続して成膜することができる。
【００８５】
（第６の実施の形態）
図２１、図２２を参照して第６の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、基板１１は平板状であったが、本実施の形態では、基板１１は棒状である点が第５の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８６】
（第７の実施の形態）
図２３、図２４を参照して第７の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、基板１１は平板状であったが、本実施の形態では、基板１１は筒状である点が第５の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８７】
（第８の実施の形態）
図２５を参照して第８の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、成膜材料容器１３３の上側開口を閉じる蓋１３４であって、上下移動可能な蓋１３４を備えており、成膜しない時には、蓋１３４によって成膜材料容器１３３の上側開口を閉じることによって成膜材料が不必要に消費されるのを防止していたが、本実施の形態では、蓋１３４は設けず、成膜材料容器１３３の基板１１が配置される側の空間１３２ａと成膜材料容器１３３側の空間２４４とを隔てる隔壁２４０を成膜材料容器１３３に設け、隔壁２４０と容器１３０の上面１３１ｃとの間に隙間２４１を設けている点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同様である。このような構造にすれば、隙間２４１を介して、成膜に必要十分な量の成膜材料を基板１１の被成膜面１１ａに供給できる。なお、本実施の形態でも、ヒータ１３７によって加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）がこの容器１３１内の空間２４４および１３２ａに存在する、すなわち、容器１３１内の空間２４４および１３２ａには、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が存在している点も第１の実施の形態と同じである。
【００８８】
（第９の実施の形態）
図２６を参照して第９の実施の形態を説明する。第８の実施の形態の成膜室１３０に対して、容器１３１の側壁１３１ｄに、気体供給管２４３をさらに設けた点が第８の実施の形態と異なるが、他の点は同じである。気体供給管２４３からは、成膜材料１３５と反応しない気体、例えば、Ａｒ等を供給する。このようにすれば、ヒータ１３７によって加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）を気体供給管２４３に供給される気体によって、空間２４４から空間１３２ａに運ぶことができる。
【００８９】
（第１０の実施の形態）
図２７を参照して第１０の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、成膜材料容器１３３と基板１１が配置される側の空間とが一つの容器１３１内に設けられていたが、本実施の形態では、基板１１が配置される成膜容器２５１と成膜材料１３５が配置される成膜材料容器２６１とを別々のものとしている。ＣｕＰＣ膜成膜室１３０は、成膜容器２５１を有する成膜室２５０と、成膜容器２５１内を加熱するヒータ１３７と、成膜材料容器２６１を有する成膜材料供給室２６０と、成膜材料容器２６１内を加熱するヒータ１３８と、を備えている。
【００９０】
成膜容器２５０の底面１３１ａには開口部１３６が設けられている。回転ドラム１１０が、この開口部１３６に配置され、それによって、回転ドラム１１０の外周面上に位置している基板１１の被成膜面１１ａが、開口部１３６の最外部、すなわち、本実施の形態では、底面１３１ａの最外部である表面１３１ｂ（図７参照）よりも内側に位置している。基板１１は、回転ドラム１１０が左回りに回転するにつれて、一方向１３１ｘ（紙面の裏側から表側）に移動する。
【００９１】
成膜材料容器２６１内には、成膜材料１３５が置かれている。成膜材料容器２６１と成膜容器２５１との間には、管２６６が成膜材料容器２６１の側面２６２と成膜容器２５０の側面２５２とを貫通して設けられ、管２６６によって、成膜材料容器２６１内の空間２６４と成膜容器２５１内の空間２５４とを連通している。成膜材料容器２６１の側面２６３を貫通して気体供給管２６５が設けられている。気体供給管２６５からは、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と反応しない気体、例えば、Ａｒが供給される。
【００９２】
制御部３００は、ヒータ１３７および成膜容器２５１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１０で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３７を制御して、成膜容器２５１内を所定の温度に制御する。制御部３００は、また、ヒータ１３８および成膜材料容器２６１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１１で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３８を制御して、成膜材料容器２６１内を所定の温度に制御する。
【００９３】
このように、成膜材料容器２６１内はヒータ１３８によって所定の温度に加熱されるので、加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）がこの成膜材料容器２６１内の空間２６４に存在する。すなわち、成膜材料容器２６１内の空間２６４には、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）が存在している。そして、気体供給管２６５から供給された気体と共に、ヒータ１３８によって加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）が管２６６を介して、成膜容器２５１内の空間２５４内に供給され、基板１１の被成膜面１１ａに成膜される。
【００９４】
成膜容器２５１内はヒータ１３７によって所定の温度に加熱されるので、成膜材料容器２６１内の温度と、成膜容器２５１内の温度とを異なるものとすることができる。すなわち、成膜温度を、成膜材料の蒸気圧を決定する温度とを異なるものとすることができる。なお、本実施の形態では、成膜材料の凝縮や凝固を防止するために、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とすることが好ましい。
【００９５】
（第１１の実施の形態）
図２８を参照して第１０の実施の形態を説明する。第１０の実施の形態の管２６６に対して、気体供給管２６７をさらに接続して設けた点が第１０の実施の形態と異なるが、他の点は同じである。気体供給管２６７からは、成膜材料１３５と反応しない気体、例えば、Ａｒ等を供給する。
【００９６】
このようにすれば、成膜材料１３５は、（成膜材料容器２６１内の温度における飽和蒸気圧）×（気体供給管２６５から供給される気体の流量）／（気体供給管２６５から供給される気体の流量＋気体供給管２６７から供給される気体の流量）の蒸気圧で成膜容器２５１内の空間２５４内に供給され、基板１１の被成膜面１１ａに成膜される。
【００９７】
本実施の形態では、成膜容器２５１内に供給される気体状の成膜材料１３５の蒸気圧を、ヒータ１３８によって加熱された成膜材料容器２６１内の温度だけでなく、気体供給管２６５から供給される気体の流量と気体供給管２６７から供給される気体の流量とによっても制御することができるようになる。本実施の形態では、成膜材料容器２６１内の温度と、成膜容器２５１内の温度とを異なるものとすることができるが、気体供給管２６７から供給される気体によって、成膜容器２５１内に供給される気体状の成膜材料１３５の蒸気圧を成膜材料容器２６１内の温度における飽和蒸気圧よりも下げることができるので、成膜材料の凝縮や凝固を防止するために、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とする必要はなくなり、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とすることも可能となる。
【００９８】
なお、以上の各実施の形態では、成膜材料容器１３３や成膜材料容器２６１に置かれる成膜材料は、その材料や成膜材料容器１３３や成膜材料容器２６１の温度に応じて、液体状または固体状である。
【符号の説明】
【００９９】
１０ 有機エレクトロルミネッセンス素子
１１ 基板
１２ ＩＴＯ（陽極）
１３ ＣｕＰＣ（正孔注入層）
１４ αーＮＰＤ（正孔輸送層）
１５ Ａｌｑ３（発光および電子輸送層）
１６ ＬｉＦ（電子注入層）
１７ Ａｌ（陰極）
１００ 有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置
１０１ 成膜室
１０２ チャンバ
１０３ 真空ポンプ
１０４ 壁
１０５、１０６ 連通孔
１１０ 回転ドラム
１３０ ＣｕＰＣ膜成膜室
１３１ 容器
１３１ａ 底面
１３１ｂ、１３１ｄ 側面
１３１ｃ 上面
１３２、１３２ａ 空間
１３３ 成膜材料容器
１３４ 蓋
１３５ 成膜材料
１３６ 開口部
１３７、１３８ ヒータ
１４０ αーＮＰＤ膜成膜室
１５０ Ａｌｑ３膜成膜室
１６０ ＬｉＦ膜成膜室
１７０ Ａｌ膜成膜室
１８０ 基板繰り出し室
１８１ チャンバ
１８２ 繰り出しローラ
１８３ ガイドローラ
１８４、１８５ ローラ
１８６ 真空ポンプ
１９０ 基板巻き取り室
１９１ チャンバ
１９２ 巻き取りローラ
１９３ ガイドローラ
１９４ 真空ポンプ
２１２ 開口部
２４０ 隔壁
２４１ 隙間
２４３、２６５、２６７ 気体供給管
２４４ 空間
２５０ 成膜室
２５１ 成膜容器
２５２、２６２、２６３ 側面
２５４、２６４ 空間
２６０ 成膜材料供給室
２６１ 成膜材料容器
２６６ 管
３００ 制御部
３０１〜３１１ 信号線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置および成膜方法に関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する膜を成膜する成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料の特徴により、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子と高分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子に大きく分けられ、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子は、真空蒸着法によって製造されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１においては、ノズル内で有機発光材料を気化させて、気化した有機発光材料を基板に向けてノズルから吐出させることにより基板上に有機発光材料からなる膜を成膜している。そして、ノズルと基板との距離を１５ｍｍ以下とすることにより、膜中に取り込まれる水分を少なくして有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を図っている。
また、非特許文献１においては、有機発光材料を蒸発させるノズル内部に流路補正板を設置することで幅方向の膜厚分布を改善できることが示されている。
【０００４】
しかしながら、非特許文献１の方法によっても膜厚の均一性の改善は十分ではなく、成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２８７９９６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】信学技法 ＩＥＩＣＥ Technical Report ＯＭＥ ２００９−１０ （２００９−０５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の主な目的は，成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者達は、上述した従来の方法について考察した結果、以下の知見を得た。すなわち、従来の方法は、いわゆる真空蒸着法であり、ノズル内で有機発光材料を気化させて気化粒子を作成し、気化粒子をノズルから基板に向けて輸送し、基板上に気化粒子を付着堆積させて有機発光材料からなる膜を作成する方法であるので、ノズルから基板に向かう気化粒子の流れの分布を均一にしない限り、膜厚分布は均一にはならない。その一方で、上述したような従来の方法では、ノズルと基板との距離を短くしており、そのような状況では、ノズルから基板に向かう気化粒子の流れの分布を均一にすることは非常に困難である。
【０００９】
このように、従来のような真空蒸着の手法を用いる限り、ノズルと基板との距離を短くした場合には、気化粒子の流れ分布を基板上で均一にすることは非常に困難である。従って、膜厚分布をさらに均一なものとするためには、真空蒸着とは全く異なった手法を用いる必要がある。
【００１０】
本願発明者達は、このような考えの下、鋭意研究した結果、真空蒸着法のように基板を気化粒子の流れの中に置くのではなく、気化粒子が一定の蒸気圧で存在する真空の状態であって、気化粒子の流れがない真空の状態に基板を置けばいいということを見出した。このような状態では、気化粒子は、３次元的に等方的に運動をしているので、気化粒子が基板に付着・堆積することによって基板上に成膜される膜の膜厚は均一なものとなる。
【００１１】
本発明は上記の知見に基づくものであり、
本発明の好ましい一態様によれば、
容器と，
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器に設けられた開口部と、
被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置が提供される。
【００１２】
この装置では、成膜材料供給部が容器内に設けられ、当該容器は加熱手段によって加熱されるので、加熱された温度において、液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。
【００１３】
また、上記容器とは別に真空容器が設けられ、この真空容器を排気する排気手段が設けられ、上記容器に設けられた開口部はこの真空容器に連通しているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給部から液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料が供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００１４】
そして、位置手段によって被成膜体を開口部の最外部よりも内側に位置させるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内で、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させることができる。そして、この状態で被成膜体に成膜材料を付着させて被成膜体上に膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させているので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００１５】
好ましくは、前記位置手段によって、前記被成膜体を一方向に、前記容器の外側から前記開口部へ移動させ、前記開口部から前記容器の外側へ移動させる。このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００１６】
また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の最外部である。
【００１７】
また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出する突出部の最外部である。このように、突出部を設けた場合には、突出部の最外部に対して、被成膜体を位置させることができる。
【００１８】
また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出し、前記一方向に沿って延在する突出部の最外部である。このようにすれば、突出部を設けた場合にも、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００１９】
また、好ましくは、前記位置手段は、その表面に前記被成膜体が巻き掛けられる回転ドラムである。このようにすれば、回転ドラムを回転することによって、被成膜体を移動させることができ、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００２０】
また、好ましくは、前記位置手段は、前記開口部へ前記被成膜体を直線的に移動させる移動手段である。このようにすれば、被成膜体を直線的に移動させることによって、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００２１】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部と、
被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて前記容器内へ位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置が提供される。
【００２２】
この装置では、成膜材料供給部が容器内に設けられ、当該容器は加熱手段によって加熱されるので、加熱された温度において、液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。
【００２３】
また、上記容器とは別に真空容器が設けられ、この真空容器を排気する排気手段が設けられ、上記容器に設けられた開口部はこの真空容器に連通しているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給部から液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料が供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００２４】
そして、容器の互いに対向する側面に開口部をそれぞれ設け、位置手段によって被成膜体を２つの開口部を貫通させて容器内へ位置させるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内で、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させることができる。そして、この状態で被成膜体に成膜材料を付着させて被成膜体上に膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させているので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。また、容器の互いに対向する側面に開口部をそれぞれ設け、位置手段によって被成膜体を２つの開口部を貫通させて容器内へ位置させるので、容器内にある被成膜体の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段によって被成膜体を一方の開口部から他方の開口部に向かって移動させれば、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００２５】
また、好ましくは、前記気体状となった成膜材料が前記容器内に前記成膜材料の飽和蒸気圧で存在する状態で成膜を行う。
【００２６】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置が提供される。
【００２７】
この装置では、容器に開口部が設けられ、この開口部と真空排気手段との間には排気経路が設けられているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給手段から、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００２８】
そして、位置手段によって容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがないので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体の被成膜面を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００２９】
さらに、当該位置手段は、容器内に開口部を介して被成膜体を位置させるので、成膜中に開口部を通じて被成膜体を移動させることができ、このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００３０】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置が提供される。
【００３１】
この装置では、容器に開口部が設けられ、この開口部と真空排気手段との間には排気経路が設けられているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給手段から、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００３２】
そして、位置手段によって容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所では、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしているので、
成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００３３】
さらに、当該位置手段は、容器内に開口部を介して被成膜体を位置させるので、成膜中に開口部を通じて被成膜体を移動させることができ、このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。
【００３４】
また、開口部を、容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部とし、位置手段によって被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて位置させてもよく、容器内にある被成膜体の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段によって被成膜体を一方の開口部から他方の開口部に向かって移動させれば、被成膜体に連続して成膜することができる。
【００３５】
好ましくは、前記位置手段によって前記被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる。
【００３６】
好ましくは、前記成膜装置は、前記成膜材料供給手段が前記容器内に配置され、前記容器内を所定の温度に加熱する加熱手段をさらに備える。
【００３７】
このようにすれば、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を容器に供給する成膜材料供給手段が容器内に配置され、当該容器は加熱手段によって所定の温度に加熱されるので、加熱された所定の温度において、熱的に平衡状態にある気体状の成膜材料の蒸気圧で、気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。
【００３８】
好ましくは、前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記所定の温度における飽和蒸気圧である。
【００３９】
好ましくは、前記成膜材料供給手段が前記容器の外部に配置され、前記容器内を第１の所定の温度に加熱する第１の加熱手段および前記成膜材料供給手段を第２の所定の温度に加熱する第２の加熱手段をさらに備える。
【００４０】
このようにすれば、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を容器に供給する成膜材料供給手段が容器の外部に配置され、成膜材料供給手段は第２の加熱手段によって第２の所定の温度に加熱されるので、加熱された第２の所定の温度において、熱的に平衡状態にある気体状の成膜材料の蒸気圧で、気体状の成膜材料がこの成膜材料供給手段の空間に存在し、その蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給される。そして、容器内は第１の加熱手段によって第１の所定の温度に加熱されるので、成膜温度と、成膜材料の蒸気圧を決定する温度とを異なるものとすることができるようになる。
【００４１】
好ましくは、前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧である。
【００４２】
また、好ましくは、前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、前記第１の気体と共に、前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧で前記容器に供給される。
【００４３】
また、好ましくは、前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段と、前記成膜材料と反応しない第２の気体を成膜材料容器の下流に供給する第２の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、（前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧）×（前記第１の気体の流量）／（前記第１の気体の流量＋前記第２の気体の流量）の蒸気圧で前記容器に供給される。
【００４４】
このようにすれば、容器に供給される気体状の成膜材料の蒸気圧を、成膜材料供給手段の第２の加熱手段による加熱温度だけでなく、第１の気体の流量と第２の気体の流量によっても制御することができるようになる。
【００４５】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置が提供される。
【００４６】
このように、容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがないので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００４７】
本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置が提供される。
【００４８】
このように、容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所では気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしているので、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００４９】
好ましくは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である。
【００５０】
本発明の好ましい他の態様によれば、
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法が提供される。
【００５１】
このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、被成膜体に成膜材料を付着させて成膜するので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させて成膜することになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００５２】
本発明の好ましい他の態様によれば、
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法が提供される。
【００５３】
このように、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させて成膜するので、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００５４】
好ましくは、前記気体状の成膜材料が容器内に前記一定の蒸気圧で存在し、前記容器内には前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が供給されると共に、前記容器は排気されている。このようにすれば、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。
【００５５】
好ましくは、前記一定の蒸気圧は前記成膜材料の飽和蒸気圧である。
【００５６】
また、好ましくは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である
【発明の効果】
【００５７】
本発明によれば、成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、本発明の第１乃至４の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子を説明するための概略縦断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１乃至４の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置を説明するための概略縦断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図４】図４は、図３のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図５】図５は、図３のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図６】図６は、図３のＸ２−Ｘ２線断面図である。
【図７】図７は、図４のＡ部の部分拡大縦断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１乃至４の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図１０】図１０は、図９のＸ３−Ｘ３線断面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＢ部の部分拡大縦断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図１３】図１３は、図１２のＸ４−Ｘ４線断面図である。
【図１４】図１４は、図１３のＣ部の部分拡大縦断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第４の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図１６】図１６は、図１５のＸ５−Ｘ５線断面図である。
【図１７】図１７は、図１５のＸ６−Ｘ６線断面図である。
【図１８】図１８は、図１６のＤ部の部分拡大縦断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第５の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２０】図２０は、図１９のＸ７−Ｘ７線側面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第６の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２２】図２２は、図２１のＸ８−Ｘ８線側面図である。
【図２３】図２３は、本発明の第７の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２４】図２４は、図２３のＸ９−Ｘ９線側面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第８の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第９の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第１０の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の第１１の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５９】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００６０】
（第１の実施の形態）
図１を参照すれば、本発明の第１乃至１１の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子１０は、基板１１上に、陽極１２、正孔注入層１３、正孔輸送層１４、発光および電子輸送層１５、電子注入層１６、陰極１７がこの順に形成されている。
【００６１】
基板１１は、例えば、長さが数十ｍのＰＥＴ （ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルムからなる長尺のフレキシブル基板である。陽極１２は、膜厚が例えば１５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる透明電極である。正孔注入層１３は、膜厚が例えば１０ｎｍのＣｕＰＣ（銅フタロシアニン）からなっている。正孔輸送層１４は、膜厚が例えば５０ｎｍのａ−ＮＰＤ（ビス［Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ-フェニル］ベンジジン）からなっている。発光および電子輸送層１５は、膜厚が例えば６５ｎｍのＡｌｑ３（８-ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体）からなっている。電子注入層１６は、膜厚が例えば０．５ｎｍのＬｉＦ(フッ化リチウム）からなっている。陰極１７は、層厚が例えば８０ｎｍのＡＩ（アルミニウム）からなっている。
【００６２】
次に、図２を参照すれば、本発明の第１乃至１２の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置１００は、成膜室１０１と、基板繰り出し室１８０と、基板巻き取り室１９０と、制御部３００とを備えている。
【００６３】
基板繰り出し室１８０は、チャンバ１８１と、真空ポンプ１８６とを備え、チャンバ１８１内には、ロール状の基板１１を繰り出す繰り出しローラ１８２と、基板１１をガイドするガイドローラ１８３と、基板１１を上下方向から扶持するローラ１８４、１８５とが設けられている。チャンバ１８１内は真空ポンプ１８６によって排気される。
【００６４】
基板巻き取り室１９０は、チャンバ１９１と、真空ポンプ１９４とを備え、チャンバ１９１内には、基板１１をガイドするガイドローラ１９３と、基板をロール状に巻き取る巻き取りローラ１９２とが設けられている。チャンバ１９１内は真空ポンプ１９４によって排気される。
【００６５】
成膜室１０１は、チャンバ１０２と、真空ポンプ１０３と、回転ドラム１１０と、ＣｕＰＣ膜を成膜するＣｕＰＣ膜成膜室１３０と、αーＮＰＤ膜を成膜するαーＮＰＤ膜成膜室１４０と、Ａｌｑ３膜を成膜するＡｌｑ３膜成膜室１５０と、ＬｉＦ膜を成膜するＬｉＦ膜成膜室１６０と、Ａｌ膜を成膜するＡｌ膜成膜室１７０とを備えている。ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０は、回転ドラム１１０の回転方向にこの順で回転ドラム１１０の外周面に沿って配置されている。チャンバ１０２内は真空ポンプ１０３によって排気される。
【００６６】
チャンバ１０２の壁１０４には、基板繰り出し室１８０および基板巻き取り室１９０とそれぞれ連通する連通孔１０５および連通孔１０６がそれぞれ設けられている。基板繰り出し室１８０内の繰り出しローラ１８２から繰り出された基板１１は、ガイドローラ１８３によってガイドされ、ローラ１３２、１３３によって上下方向から扶持され、連通孔１０５を通って成膜室１０１に入り、成膜室１０１内に設けられた回転ドラム１１０の外周面上を搬送され、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０をこの順に経由し、その後、連通孔１０６を通って基板巻き取り室１９０に入り、ガイドローラ１９３によってガイドされ、巻き取りローラ１９２によってロール状に巻き取られる。
【００６７】
制御部３００は、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０と信号線３０１で接続され、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＣｕＰＣ膜成膜室１３０の温度等を制御する。制御部３００は、αーＮＰＤ膜成膜室１４０と信号線３０２で接続され、αーＮＰＤ膜成膜室１４０から温度等の信号を受け取り、それに応じてαーＮＰＤ膜成膜室１４０の温度等を制御する。制御部３００は、Ａｌｑ３膜成膜室１５０と信号線３０３で接続され、Ａｌｑ３膜成膜室１５０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＡｌｑ３膜成膜室１５０の温度等を制御する。制御部３００は、ＬｉＦ膜成膜室１６０と信号線３０４で接続され、ＬｉＦ膜成膜室１６０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＬｉＦ膜成膜室１６０の温度等を制御する。制御部３００は、Ａｌ膜成膜室１７０と信号線３０５で接続され、Ａｌ膜成膜室１７０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＡｌ膜成膜室１７０の温度等を制御する。
【００６８】
また、制御部３００は、真空ポンプ１０３および成膜室１０１の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０６で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１０３を制御して、成膜室１０１内を所定の真空度に制御する。制御部３００は、真空ポンプ１８６および基板繰り出し室１８０の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０７で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１８６を制御して、基板繰り出し室１８０内を所定の真空度に制御する。制御部３００は、真空ポンプ１９４および基板巻き取り室１９０の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０８で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１９４を制御して、基板巻き取り室１９０内を所定の真空度に制御する。
【００６９】
さらに、制御部３００は、回転ドラム１１０，繰り出しローラ１８２および巻き取りローラ１９２と信号線３１１、３１２および３０９でそれぞれ接続され、回転ドラム１１０，繰り出しローラ１８２および巻き取りローラ１９２の回転等をそれぞれ制御する。
【００７０】
次に、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０を説明するにあたり、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０を例にとって説明する。αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０はＣｕＰＣ膜成膜室１３０と同じ構成なので、その説明は省略する。
【００７１】
図３〜６を参照すれば、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０は、容器１３１と、容器１３１内を加熱するヒータ１３７と、容器１３１内に設けられ、成膜材料１３５がその内部に置かれる成膜材料容器１３３と、成膜材料容器１３３の上側開口を閉じる蓋１３４であって、上下移動可能な蓋１３４とを備えている。容器１３１の側面（本実施の形態では底面）１３１ａには開口部１３６が設けられている。
【００７２】
回転ドラム１１０が、この開口部１３６に配置され、それによって、回転ドラム１１０の外周面上に位置している基板１１の被成膜面１１ａが、開口部１３６の最外部、すなわち、本実施の形態では、側面（底面）１３１ａの最外部である表面１３１ｂ（図７参照）、よりも内側に位置している。
【００７３】
基板１１は、回転ドラム１１０が左回りに回転するにつれて、一方向１３１ｘ（図３では紙面の右から左方向、図４では、紙面の裏側から表側）に移動する。
【００７４】
制御部３００は、ヒータ１３７および容器１３１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１０で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３７を制御して、容器１３１内を所定の温度に制御する。
【００７５】
このように、成膜材料容器１３３が容器１３１内に設けられ、当該容器１３１内はヒータ１３７によって加熱されるので、加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）がこの容器１３１内の空間１３２に存在する。容器１３１内の空間１３２には、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が存在している。
【００７６】
また、上記容器１３１とは別に成膜室１０２のチャンバ１０２が設けられ、このチャンバ１０２を排気する真空ポンプ１０３が設けられ、上記容器１３１に設けられた開口部１３６はこのチャンバ１０２に連通しているので、容器１３１内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料容器１３３から成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が供給されるので、容器１３１内を気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が一定の蒸気圧、本実施の形態では飽和蒸気圧、で存在する真空の状態とすることができる。
【００７７】
そして、回転ドラム１１０によって基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させるので、容器１３１内を気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が一定の蒸気圧、本実施の形態では飽和蒸気圧、で存在する真空内で、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）の流れがない箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させることができる。そして、この状態で基板１１の被成膜面１１ａに成膜材料（ＣｕＰＣ）を付着させて基板１１の被成膜面１１ａ上にＣｕＰＣ膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）の流れがない箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させているので、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が３次元的に等方的に運動をしている箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させることになり、成膜されたＣｕＰＣ膜の膜厚は非常に均一なものとなる。
【００７８】
次に、上記した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置１００を用いて、上記し
た有機エレクトロルミネッセンス素子１０を製造するための製造方法を図８を参照して説明する。
【００７９】
まず、基板１１として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルムからなる長尺のフレキシブル基板を準備し、基板１１の表面にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）１２を形成する。そして、ＩＴＯ２０が形成された基板１１をロール状にし、繰り出しローラ１８２、回転ドラム１１０、巻き取りローラ１９２にセットする。
【００８０】
次に、回転ドラム１１０の外周面上を搬送されてくる基板１１に対し、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０によって、順次ＣｕＰＣ膜１３、αーＮＰＤ膜１４、Ａｌｑ３膜１５、ＬｉＦ膜１６およびＡｌ膜１７を形成する。
【００８１】
（第２の実施の形態）
図９乃至図１１を参照して第２の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、基板１１を回転ドラム１１０の外周面上を搬送したが、本実施の形態では、基板１１を張り渡して直線状に移動させる点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８２】
（第３の実施の形態）
図１２乃至図１４を参照して第３の実施の形態を説明する。第２の実施の形態では、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の外面より突出する突出部２０１を基板１１の移動方向に沿って設けており、基板１１の被成膜面１１ａを突出部２０１の最外部２０１ｂよりも内側に位置させている点が第２の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８３】
（第４の実施の形態）
図１５乃至図１８を参照して第４の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の外面より突出する突出部２０１を設けており、基板１１の被成膜面１１ａを突出部２０１の最外部２０１ｂよりも内側に位置させている点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８４】
（第５の実施の形態）
図１９、図２０を参照して第５の実施の形態を説明する。第１乃至第４の実施の形態では、容器１３１の底面１３１ａに開口部１３６を設け、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６内に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の底面１３１ａには開口部は設けず、容器１３１の互いに対向する側面１３１ｂに開口部２１２をそれぞれ設け、位置手段（図示せず）によって被成膜体である平板状の基板１１を２つの開口部２１２を貫通させて容器１３１内へ位置させ、２つの開口部２１２をチャンバ２１２内に位置させている点が第１乃至第４の実施の形態と異なるが他の点は同様である。本実施の形態では、容器１３１内にある基板１１の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段（図示せず）によって被成膜体を一方の開口部２１２から他方の開口部２１２に向かって移動させれば、基板１１に連続して成膜することができる。
【００８５】
（第６の実施の形態）
図２１、図２２を参照して第６の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、基板１１は平板状であったが、本実施の形態では、基板１１は棒状である点が第５の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８６】
（第７の実施の形態）
図２３、図２４を参照して第７の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、基板１１は平板状であったが、本実施の形態では、基板１１は筒状である点が第５の実施の形態と異なるが他の点は同じである。
【００８７】
（第８の実施の形態）
図２５を参照して第８の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、成膜材料容器１３３の上側開口を閉じる蓋１３４であって、上下移動可能な蓋１３４を備えており、成膜しない時には、蓋１３４によって成膜材料容器１３３の上側開口を閉じることによって成膜材料が不必要に消費されるのを防止していたが、本実施の形態では、蓋１３４は設けず、成膜材料容器１３３の基板１１が配置される側の空間１３２ａと成膜材料容器１３３側の空間２４４とを隔てる隔壁２４０を成膜材料容器１３３に設け、隔壁２４０と容器１３０の上面１３１ｃとの間に隙間２４１を設けている点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同様である。このような構造にすれば、隙間２４１を介して、成膜に必要十分な量の成膜材料を基板１１の被成膜面１１ａに供給できる。なお、本実施の形態でも、ヒータ１３７によって加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）がこの容器１３１内の空間２４４および１３２ａに存在する、すなわち、容器１３１内の空間２４４および１３２ａには、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が存在している点も第１の実施の形態と同じである。
【００８８】
（第９の実施の形態）
図２６を参照して第９の実施の形態を説明する。第８の実施の形態の成膜室１３０に対して、容器１３１の側壁１３１ｄに、気体供給管２４３をさらに設けた点が第８の実施の形態と異なるが、他の点は同じである。気体供給管２４３からは、成膜材料１３５と反応しない気体、例えば、Ａｒ等を供給する。このようにすれば、ヒータ１３７によって加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）を気体供給管２４３に供給される気体によって、空間２４４から空間１３２ａに運ぶことができる。
【００８９】
（第１０の実施の形態）
図２７を参照して第１０の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、成膜材料容器１３３と基板１１が配置される側の空間とが一つの容器１３１内に設けられていたが、本実施の形態では、基板１１が配置される成膜容器２５１と成膜材料１３５が配置される成膜材料容器２６１とを別々のものとしている。ＣｕＰＣ膜成膜室１３０は、成膜容器２５１を有する成膜室２５０と、成膜容器２５１内を加熱するヒータ１３７と、成膜材料容器２６１を有する成膜材料供給室２６０と、成膜材料容器２６１内を加熱するヒータ１３８と、を備えている。
【００９０】
成膜容器２５０の底面１３１ａには開口部１３６が設けられている。回転ドラム１１０が、この開口部１３６に配置され、それによって、回転ドラム１１０の外周面上に位置している基板１１の被成膜面１１ａが、開口部１３６の最外部、すなわち、本実施の形態では、底面１３１ａの最外部である表面１３１ｂ（図７参照）よりも内側に位置している。基板１１は、回転ドラム１１０が左回りに回転するにつれて、一方向１３１ｘ（紙面の裏側から表側）に移動する。
【００９１】
成膜材料容器２６１内には、成膜材料１３５が置かれている。成膜材料容器２６１と成膜容器２５１との間には、管２６６が成膜材料容器２６１の側面２６２と成膜容器２５０の側面２５２とを貫通して設けられ、管２６６によって、成膜材料容器２６１内の空間２６４と成膜容器２５１内の空間２５４とを連通している。成膜材料容器２６１の側面２６３を貫通して気体供給管２６５が設けられている。気体供給管２６５からは、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と反応しない気体、例えば、Ａｒが供給される。
【００９２】
制御部３００は、ヒータ１３７および成膜容器２５１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１０で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３７を制御して、成膜容器２５１内を所定の温度に制御する。制御部３００は、また、ヒータ１３８および成膜材料容器２６１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１１で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３８を制御して、成膜材料容器２６１内を所定の温度に制御する。
【００９３】
このように、成膜材料容器２６１内はヒータ１３８によって所定の温度に加熱されるので、加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）がこの成膜材料容器２６１内の空間２６４に存在する。すなわち、成膜材料容器２６１内の空間２６４には、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）が存在している。そして、気体供給管２６５から供給された気体と共に、ヒータ１３８によって加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）が管２６６を介して、成膜容器２５１内の空間２５４内に供給され、基板１１の被成膜面１１ａに成膜される。
【００９４】
成膜容器２５１内はヒータ１３７によって所定の温度に加熱されるので、成膜材料容器２６１内の温度と、成膜容器２５１内の温度とを異なるものとすることができる。すなわち、成膜温度を、成膜材料の蒸気圧を決定する温度とを異なるものとすることができる。なお、本実施の形態では、成膜材料の凝縮や凝固を防止するために、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とすることが好ましい。
【００９５】
（第１１の実施の形態）
図２８を参照して第１０の実施の形態を説明する。第１０の実施の形態の管２６６に対して、気体供給管２６７をさらに接続して設けた点が第１０の実施の形態と異なるが、他の点は同じである。気体供給管２６７からは、成膜材料１３５と反応しない気体、例えば、Ａｒ等を供給する。
【００９６】
このようにすれば、成膜材料１３５は、（成膜材料容器２６１内の温度における飽和蒸気圧）×（気体供給管２６５から供給される気体の流量）／（気体供給管２６５から供給される気体の流量＋気体供給管２６７から供給される気体の流量）の蒸気圧で成膜容器２５１内の空間２５４内に供給され、基板１１の被成膜面１１ａに成膜される。
【００９７】
本実施の形態では、成膜容器２５１内に供給される気体状の成膜材料１３５の蒸気圧を、ヒータ１３８によって加熱された成膜材料容器２６１内の温度だけでなく、気体供給管２６５から供給される気体の流量と気体供給管２６７から供給される気体の流量とによっても制御することができるようになる。本実施の形態では、成膜材料容器２６１内の温度と、成膜容器２５１内の温度とを異なるものとすることができるが、気体供給管２６７から供給される気体によって、成膜容器２５１内に供給される気体状の成膜材料１３５の蒸気圧を成膜材料容器２６１内の温度における飽和蒸気圧よりも下げることができるので、成膜材料の凝縮や凝固を防止するために、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とする必要はなくなり、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とすることも可能となる。
【００９８】
なお、以上の各実施の形態では、成膜材料容器１３３や成膜材料容器２６１に置かれる成膜材料は、その材料や成膜材料容器１３３や成膜材料容器２６１の温度に応じて、液体状または固体状である。
【符号の説明】
【００９９】
１０ 有機エレクトロルミネッセンス素子
１１ 基板
１２ ＩＴＯ（陽極）
１３ ＣｕＰＣ（正孔注入層）
１４ αーＮＰＤ（正孔輸送層）
１５ Ａｌｑ３（発光および電子輸送層）
１６ ＬｉＦ（電子注入層）
１７ Ａｌ（陰極）
１００ 有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置
１０１ 成膜室
１０２ チャンバ
１０３ 真空ポンプ
１０４ 壁
１０５、１０６ 連通孔
１１０ 回転ドラム
１３０ ＣｕＰＣ膜成膜室
１３１ 容器
１３１ａ 底面
１３１ｂ、１３１ｄ 側面
１３１ｃ 上面
１３２、１３２ａ 空間
１３３ 成膜材料容器
１３４ 蓋
１３５ 成膜材料
１３６ 開口部
１３７、１３８ ヒータ
１４０ αーＮＰＤ膜成膜室
１５０ Ａｌｑ３膜成膜室
１６０ ＬｉＦ膜成膜室
１７０ Ａｌ膜成膜室
１８０ 基板繰り出し室
１８１ チャンバ
１８２ 繰り出しローラ
１８３ ガイドローラ
１８４、１８５ ローラ
１８６ 真空ポンプ
１９０ 基板巻き取り室
１９１ チャンバ
１９２ 巻き取りローラ
１９３ ガイドローラ
１９４ 真空ポンプ
２１２ 開口部
２４０ 隔壁
２４１ 隙間
２４３、２６５、２６７ 気体供給管
２４４ 空間
２５０ 成膜室
２５１ 成膜容器
２５２、２６２、２６３ 側面
２５４、２６４ 空間
２６０ 成膜材料供給室
２６１ 成膜材料容器
２６６ 管
３００ 制御部
３０１〜３１１ 信号線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と，
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器に設けられた開口部と、
被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記位置手段によって、前記被成膜体を一方向に、前記容器の外側から前記開口部へ移動させ、前記開口部から前記容器の外側へ移動させる請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記開口部の最外部は、前記容器の最外部である請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出する突出部の最外部である請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項５】
前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出し、前記一方向に沿って延在する突出部の最外部である請求項２記載の成膜装置。
【請求項６】
前記位置手段は、その表面に前記被成膜体が巻き掛けられる回転ドラムである請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項７】
前記位置手段は、前記開口部へ前記被成膜体を直線的に移動させる移動手段である請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項８】
容器と、
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部と、
被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて前記容器内へ位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置。
【請求項９】
前記気体状となった成膜材料が前記容器内に前記成膜材料の飽和蒸気圧で存在する状態で成膜を行う請求項１乃至８のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１０】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置。
【請求項１１】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置。
【請求項１２】
前記位置手段によって前記被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる請求項１０または１１記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記開口部は、前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部であり、前記位置手段によって前記被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて位置させる請求項１０または１１記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記成膜材料供給手段が前記容器内に配置され、前記容器内を所定の温度に加熱する加熱手段をさらに備える請求項１０乃至１３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記所定の温度における飽和蒸気圧である請求項１４記載の成膜装置。
【請求項１６】
前記成膜材料供給手段が前記容器の外部に配置され、前記容器内を第１の所定の温度に加熱する第１の加熱手段および前記成膜材料供給手段を第２の所定の温度に加熱する第２の加熱手段をさらに備える請求項１０乃至１３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１７】
前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧である請求項１６記載の成膜装置。
【請求項１８】
前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、前記第１の気体と共に、前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧で前記容器に供給される請求項１６記載の成膜装置。
【請求項１９】
前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段と、前記成膜材料と反応しない第２の気体を成膜材料容器の下流に供給する第２の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、（前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧）×（前記第１の気体の流量）／（前記第１の気体の流量＋前記第２の気体の流量）の蒸気圧で前記容器に供給される請求項１６記載の成膜装置。
【請求項２０】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置。
【請求項２１】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置。
【請求項２２】
前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である請求項１乃至２１のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２３】
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法。
【請求項２４】
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法。
【請求項２５】
前記気体状の成膜材料が容器内に前記一定の蒸気圧で存在し、前記容器内には前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が供給されると共に、前記容器は排気されている請求項２３または２４記載の成膜方法。
【請求項２６】
前記一定の蒸気圧は前記成膜材料の飽和蒸気圧である請求項２３乃至２５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項２７】
前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である請求項２３乃至２６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１】
容器と，
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器に設けられた開口部と、
被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記位置手段によって、前記被成膜体を一方向に、前記容器の外側から前記開口部へ移動させ、前記開口部から前記容器の外側へ移動させる請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記開口部の最外部は、前記容器の最外部である請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出する突出部の最外部である請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項５】
前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出し、前記一方向に沿って延在する突出部の最外部である請求項２記載の成膜装置。
【請求項６】
前記位置手段は、その表面に前記被成膜体が巻き掛けられる回転ドラムである請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項７】
前記位置手段は、前記開口部へ前記被成膜体を直線的に移動させる移動手段である請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項８】
容器と、
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部と、
被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて前記容器内へ位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置。
【請求項９】
前記気体状となった成膜材料が前記容器内に前記成膜材料の飽和蒸気圧で存在する状態で成膜を行う請求項１乃至８のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１０】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置。
【請求項１１】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置。
【請求項１２】
前記位置手段によって前記被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる請求項１０または１１記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記開口部は、前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部であり、前記位置手段によって前記被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて位置させる請求項１０または１１記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記成膜材料供給手段が前記容器内に配置され、前記容器内を所定の温度に加熱する加熱手段をさらに備える請求項１０乃至１３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記所定の温度における飽和蒸気圧である請求項１４記載の成膜装置。
【請求項１６】
前記成膜材料供給手段が前記容器の外部に配置され、前記容器内を第１の所定の温度に加熱する第１の加熱手段および前記成膜材料供給手段を第２の所定の温度に加熱する第２の加熱手段をさらに備える請求項１０乃至１３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１７】
前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧である請求項１６記載の成膜装置。
【請求項１８】
前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、前記第１の気体と共に、前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧で前記容器に供給される請求項１６記載の成膜装置。
【請求項１９】
前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段と、前記成膜材料と反応しない第２の気体を成膜材料容器の下流に供給する第２の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、（前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧）×（前記第１の気体の流量）／（前記第１の気体の流量＋前記第２の気体の流量）の蒸気圧で前記容器に供給される請求項１６記載の成膜装置。
【請求項２０】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置。
【請求項２１】
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置。
【請求項２２】
前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である請求項１乃至２１のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項２３】
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法。
【請求項２４】
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法。
【請求項２５】
前記気体状の成膜材料が容器内に前記一定の蒸気圧で存在し、前記容器内には前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が供給されると共に、前記容器は排気されている請求項２３または２４記載の成膜方法。
【請求項２６】
前記一定の蒸気圧は前記成膜材料の飽和蒸気圧である請求項２３乃至２５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項２７】
前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である請求項２３乃至２６のいずれかに記載の成膜方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２０１１−６８９８１（Ｐ２０１１−６８９８１Ａ）
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１１０３５２（Ｐ２０１０−１１０３５２）
【出願日】平成２２年５月１２日（２０１０．５．１２）
【出願人】（５０９２４３７６８）株式会社ＴＩ (1)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１２日（２０１０．５．１２）
【出願人】（５０９２４３７６８）株式会社ＴＩ (1)
【Ｆターム（参考）】
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