【課題】極めて水、酸素の少ない環境下で薄膜の堆積、高誘電率絶縁薄膜やシリコンエピタキシャル膜を形成でき、かつ膜中の不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる。
【解決手段】極低水分子・酸素分子排出装置２０４によりガス中の水濃度を１ＰＰＢ以下、酸素濃度を１０^−２１Ｐａ以下に制御した雰囲気ガスを反応室に流入させて、反応室内の脱水脱酸素処理を行ない、反応室内の水分圧を１０^−１０Ｐａ以下とし、その後原料ガスを導入し、水分量を１ＰＰＢ以下、酸素分圧を１０^−２１Ｐａ以下の超低水分、酸素分圧下でウエハ２０３上に薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】
ＩＴＯを積層した透明導電性基材に比して、低いシート抵抗値を有すると同時に外部からの熱に対して耐熱性を備えてなるような、長期間にわたり安定した性能を発揮できる耐性を備えた透明導電性基材を提供する。
【解決手段】
高分子樹脂フィルムよりなる透明基板と、導電性を備えた物質を積層してなる導電性層と、導電性を備えると同時に耐熱性をも備えた物質を積層してなる耐熱導電性層と、をこの順に積層してなるものであり、前記導電性層と前記耐熱導電性層とは共に物理的蒸着法（ＰＶＤ）により積層されてなり、前記導電性層を積層する際の第１成膜雰囲気における酸化度よりも前記耐熱導電性層を積層する際の第２成膜雰囲気における酸化度の方が高くなるようにしてなる、透明導電性基材とした。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性が高く、かつ耐欠損性に優れた切削工具を提供する。
【解決手段】基体２と、この基体２の表面を被覆する被覆層６とからなり、被覆層６が、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_１−ｘＮ_ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、ＨｆおよびＹから選ばれる少なくとも１種、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１）からなる第１層７と、（Ａｌ_１−ｈＭ’_ｈ）_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍ’はＴｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、ＨｆおよびＹから選ばれる１種以上、０≦ｈ≦０．６５、１≦ｗ／ｖ≦２．５）からなる第２層８とからなる切削工具１である。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 切刃における耐摩耗性と切屑が衝突する部分においても被覆層が剥離しない耐剥離性を兼ね備えた切削工具を提供する。
【解決手段】 すくい面と逃げ面との交差稜線部を切刃とし、基体６の表面に被覆層７を被覆してなり、被覆層７を外表面から顕微鏡にて観察した組織が、切刃部５においては平均粒径０．５〜２μｍの粒状粒子として観察され、切刃部５から離れた中央部８では平均粒径０．１〜０．８μｍの粒状粒子として観察される切削工具１である。 （もっと読む）

【課題】所定の有機膜と無機膜とを有する機能性フィルムの製造において、目的とする性能を有する機能性フィルムを安定して製造することを可能にする。
【解決手段】基板の表面にポリマーを主成分とする有機膜を成膜し、その後、真空成膜法によって無機膜を成膜し、かつ、前記無機膜の成膜を終了するまでは、真空中において前記有機膜の表面に接触することなく、前記有機膜を成膜した基板の処理を行なうことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 蒸着材料を蒸着している領域に供給すると、蒸着源の温度が下がり、蒸着速度が安定せず、蒸着速度を長時間安定に行うことができない。
【解決手段】蒸着材料１０４に電子ビームを照射して溶解した材料を、電子ビームを照射して蒸発する少なくとも２つの領域１０１，１０３とつながり、蒸発せずに溶解した部分１０２に供給することで、急激な温度差が発生しにくいため、材料供給時にスプラッシュが発生しにくく、また料供給時に、蒸発源温度の低下が抑制でき、２つの蒸発領域１０１，１０３の蒸発面高さを一定にすることができるので、蒸着レートの変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード２２と、カソード２２から熱電子が放出されている状態においてカソード２２との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド２３と、カソード２２との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード２４と、加速された電子を集束して電子ビームＥＢを生成する集束部２５とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置６であって、カソード２２は、アノード２４側の一面２２ｓの十点平均粗さＲｚが０．１０μｍ以上０．２８μｍ以下の範囲内となるように研磨されている。 （もっと読む）

【課題】バリア性能が向上したバリア性積層体を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有し、前記有機層は、重合性化合物と、１分子中に２以上の重合開始能を有する部位を有する光重合開始剤を含む組成物を光照射して硬化させてなることを特徴とするバリア性積層体。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系の材料を用いて形成された、太陽電池の上部電極をなす透明導電膜の表面抵抗を低下させるとともに、可視光線の透過性を良好に保ち、光電変換効率を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により基板上に酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜することにより中間電極やバッファ層を形成する工程を備え、この中間電極やバッファ層の形成工程では、水素ガス、酸素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む雰囲気中にてスパッタを行う。 （もっと読む）

【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード２２と、カソード２２から熱電子が放出されている状態においてカソード２２との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド２３と、カソード２２との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード２４と、加速された電子を集束して電子ビームＥＢを生成する集束部２５とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置６であって、アノード２４は、カソード２２に対向配置されたフランジ部（鍔状部）２４ａと、熱電子を集束部２５に向けて案内する筒状部２４ｂとが一体形成されて構成されると共に、フランジ部２４ａにおけるカソード２２側の一面２４ｓの算術平均粗さＲａが２．０μｍ以上７．３μｍ以下の範囲内となるようにショットブラスト加工されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜の作製を長時間にわたって連続的に行なう必要がある場合でも、薄膜を均一かつ効率的に形成することが可能な薄膜の製造方法、薄膜の製造装置およびこれにより製造された薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、レーザ光が入射窓３１を通してターゲット８１に照射される工程と、レーザ光が照射されたターゲット８１からターゲット粒子８９が飛散する工程と、ターゲット粒子８９が基板８２上に堆積することにより、基板８２上に薄膜８３が形成される工程とを備えている。そして、レーザ光が照射される工程では、入射窓３１からターゲット８１に向かうレーザ光の行路９１において、ターゲット８１から入射窓３１に向かう向きとは異なる向きである矢印９２の向きに気体が流される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金などの非鉄材料からなる母材とダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜などの硬質皮膜との密着性が良好な硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金などの非鉄材料からなる母材の表面に窒素含有クロム皮膜及び炭素含有クロム皮膜を順次に形成し、この炭素含有クロム皮膜上に硬質皮膜としてＤＬＣ皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、クレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備え、この被膜は、１層または２層以上からなり、該層のうち少なくとも１層は、化学式Ｈｆ_1-aＺｒ_aＸ_b(ただし、ａ、ｂはそれぞれ原子比を示し、０＜ａ≦０．５５、０．１≦ｂ≦２である。またＸは硼素、酸素、炭素および窒素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を示す。)で示される第１化合物を含むジルコニウム含有ハフニウム層であり、第１化合物は、Ｘ線回折における（１１１）面のピーク強度Ａと（２００）面のピーク強度Ｂとの比Ｂ／Ａが０≦Ｂ／Ａ≦１である結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体の製造方法は、不活性ガス雰囲気下において、アルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、アルミニウム−ガリウム合金、アルミニウム−インジウム合金、アルミニウム−スカンジウム合金、ガリウム−インジウム合金、ガリウム−スカンジウム合金、インジウム−スカンジウム合金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属と窒素とを反応させることによって、窒化半導体を製造する反応スパッタリング法において、窒素と共に酸素を供給し、不活性ガス、窒素および酸素の全モル数に対する酸素のモル％が、０．８％以上、３．２％以下である。 （もっと読む）

【課題】 速い成膜速度においても膜が受けるダメージを最小限に留めることができ、かつ連続成膜可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法を実施する装置であって、
支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】低硬度で溶着を起こしやすい被削材の高速切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、１〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ｃｒ_1−ＸＹ_Ｘ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦Ｘ≦０．１）を満足するＣｒとＹの複合窒化物層からなる硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】低硬度で溶着性の高い被削材の高速切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、ＣｒとＹの複合窒化物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、その層厚方向に沿って、ＣｒとＹの含有割合がそれぞれ連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、さらに、該硬質被覆層におけるＹ最高含有点でのＹの含有割合αは０．１６〜０．２６、また、Ｃｒ最高含有点でのＹの含有割合βは０．０１〜０．１０（但し、α、βはいずれも原子比）を満足する。 （もっと読む）