説明

切削工具

【課題】耐摩耗性および潤滑性が高く、かつ耐欠損性に優れた切削工具を提供する。
【解決手段】基体2と、この基体2の表面を被覆する被覆層6とからなり、被覆層6が、Ti1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1)からなる第1層7と、(Al1−hM’(ただし、M’はTi、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる1種以上、0≦h≦0.65、1≦w/v≦2.5)からなる第2層8とからなる切削工具1である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は基体の表面に被覆層が成膜されている切削工具に関する。
【背景技術】
【0002】
現在、切削工具や耐摩部材、摺動部材といった耐摩耗性や摺動性、耐欠損性を必要とする部材では、超硬合金やサーメット等の焼結合金、ダイヤモンドやcBN(立方晶窒化硼素)の高硬度焼結体、アルミナや窒化珪素等のセラミックスからなる基体の表面に被覆層を成膜して、耐摩耗性、摺動性、耐欠損性を向上させる手法が使われている。
【0003】
また、上記物理蒸着法としてアークイオンプレーティング法やスパッタリング法を用いてTiやAlを主成分とする窒化物層を成膜することが好適に行われており、さらに工具寿命を延命させるためのこの窒化物層の改良が検討されている。例えば、特許文献1では(TiWSi)N組成の硬質被膜について開示され、超硬合金等の基体と被覆層との密着性が高くなることが記載されている。
【0004】
また、かかる物理蒸着法において、最近窒素ガスと酸素ガス等の複数のガスを順にチャンバ内に導入して、窒化物層と酸化物層との積層構造とした被覆層が試みられている(例えば特許文献2〜4参照)。
【特許文献1】特開2006−111915号公報
【特許文献2】特開2003−127006号公報
【特許文献3】特開2006−28600号公報
【特許文献4】特開2005−125411号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献1の(TiWSi)N被覆層は耐摩耗性が不十分であり、切削工具のさらなる長寿命化が求められていた。
【0006】
また、特許文献2〜4に記載された窒化物層と酸化物層との積層体からなる被覆層でも、被覆層全体としての耐摩耗性や耐欠損性が必ずしも十分とは言えず、さらなる改善が要求されていた。
【0007】
本発明は前記課題を解決するためのものであり、その目的は、耐摩耗性、耐酸化性および耐チッピング性が向上する被覆層を備えた切削工具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の切削工具は、基体と、この基体の表面を被覆する被覆層とからなる切削工具であって、
前記被覆層が、
Ti1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1)からなる第1層と、
(Al1−hM’(ただし、M’はTi、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる1種以上、0≦h≦0.65、1≦w/v≦2.5)からなる第2層と
からなることを特徴とする。
【0009】
ここで、上記構成において、前記第1層の膜厚は1〜7μm、前記第2層の膜厚は0.5〜5μmであることが望ましい。このとき、前記第1層の平均結晶幅は0.01〜0.5μm、前記第2層の平均結晶幅は0.6〜3μmであることが望ましい。
【0010】
また、上記構成において、前記第1層中に平均結晶粒径が0.05〜1μmの分散粒子が点在することが望ましい。
【0011】
一方、上記構成において、前記被覆層は、前記第1層と前記第2層とが2層以上交互に積層されてなることが望ましい。このとき、前記第1層の各層の膜厚は0.02〜0.7μm、前記第2層の各層の膜厚は0.01〜0.5μmであり、前記第1層の総膜厚は1〜7μm、前記第2層の総膜厚は0.5〜5μmであることが望ましい。
【発明の効果】
【0012】
本発明の切削工具に第1層として用いられるTi1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Yから選ばれる1種以上であり、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1である。)の第1層は硬度が高くかつ内部応力が小さいものである。一方、第2層は耐酸化性および耐溶着性に優れ、かつ第1層との密着性が良好なものである。ゆえに、本発明の切削工具に用いられる被覆層は、耐摩耗性、耐溶着性および耐欠損性に優れたものである。
【0013】
また、前記第1層の膜厚は1〜7μm、前記第2層の膜厚は0.5〜5μmであることが、基体に対する第1層と第2層との剥離を抑制し、かつ耐酸化性に優れる点で望ましい。このとき、前記第1層の平均結晶幅は0.01〜0.5μm、前記第2層の平均結晶幅は0.6〜3μmであることが、被覆層の硬度を高めるとともに被覆層の表面での耐溶着性の向上の点で望ましい。
【0014】
また、前記第1層中に平均結晶粒径が0.05〜1μmの分散粒子が点在することが、被覆層の靭性を高めて被覆層の耐欠損性を高める点で望ましい。
【0015】
一方、上記構成において、前記被覆層は、前記第1層と前記第2層とが2層以上交互に積層されてなる構成であってもよい。この構成によれば被覆層の硬度を向上させることができる。このとき、前記第1層各層の膜厚は0.02〜0.7μm、前記第2層の各層の膜厚は0.01〜0.5μmであり、前記第1層の総膜厚は1〜7μm、前記第2層の総膜厚は0.5〜5μmであることが、被覆層の硬度および耐酸化性の向上の点で望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
本発明の切削工具の一例について、好適な実施態様例である切削工具の概略斜視図である図1、本発明の第1の実施態様についての概略断面図である図2、および本発明の第2の実施態様についての概略断面図である図3を用いて説明する。
【0017】
図1〜3によれば、本発明の切削工具(以下、単に工具と略す。)1は、主面にすくい面3を、側面に逃げ面4を、すくい面3と逃げ面4との交差稜線に切刃5を有し、基体2の表面に被覆層6、9を成膜した構成となっている。
【0018】
被覆層6、9は、Ti1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1)からなる第1層7と、(Al1−hM’(ただし、M’はTi、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる1種以上、0≦h≦0.65、1≦w/v≦2.5)からなる第2層8とからなる。この構成によって、第1層7は酸化開始温度が高くなって耐酸化性が高くかつ内在する内部応力を低減することができて耐欠損性が高い。しかも、第2層8は耐溶着性および耐酸化性にさらに優れるとともに、第1層7との密着性も高いものであるので、被覆層6、9は耐酸化性、耐溶着性および耐欠損性に優れたものとなる。
【0019】
すなわち、a(Al組成比)が0.45よりも少ないと被覆層6、9の耐酸化性が低下してしまい、a(Al組成比)が0.55よりも多いと被覆層6、9の結晶構造が立方晶から六方晶に変化する傾向があり硬度が低下する。aの特に望ましい範囲は0.48≦a≦0.52である。また、b(W組成比)が0.01よりも少ないと被覆層6、9の内部応力が高くて耐欠損性が低下するとともに、基体2と被覆層6、9との密着性が低下して切削中にチッピングや被覆層7の剥離が発生しやすくなり、b(W組成比)が0.1よりも多いと被覆層6、9の硬度が低下する。bの特に望ましい範囲は0.01≦b≦0.08である。さらに、c(Si組成比)が0.05よりも多いと被覆層6、9の硬度が低下する。cの特に望ましい範囲は0.01≦c≦0.04である。また、d(M組成比)が0.01よりも少ないと酸化開始温度が低くなってしまい、d(M組成比)が0.1よりも多いと金属Mの一部が立方晶とは別の低硬度相として存在して被覆層6、9の硬度が低下する。dの特に望ましい範囲は0.01≦d≦0.08である。
【0020】
なお、金属MはNb、Mo、Ta、Hf、Yから選ばれる1種以上であるが、中でもNbまたはMoを含有することが耐摩耗性・耐酸化性に最も優れる点があるから望ましい。
【0021】
また、被覆層6、9の非金属成分であるC、Nは切削工具に必要な硬度および靭性に優れたものであり、被覆層6、9の表面に発生するドロップレット(粗大粒子)を抑制するために、x(N組成比)の特に望ましい範囲は0.5≦x≦1である。ここで、本発明によれば、上記被覆層6、9の組成は、エネルギー分散型X線分光分析法(EDX)またはX線光電子分光分析法(XPS)にて測定できる。
【0022】
また、第1層7は内部応力がさほど高くないものであるから、厚膜化しても被覆層6、9がチッピングしにくく、被覆層6、9の総膜厚が1.5〜12μmであっても被覆層6、9自身の内部応力によって剥離やチッピングすることを防止できて十分な耐摩耗性を維持することができる。被覆層6、9の総膜厚の望ましい範囲は5〜7.5μmである。なお、第1層7の膜厚は1〜7μm、第2層8の膜厚は0.5〜5μmであることが、基体2に対する第1層7と第2層8との剥離を抑制し、かつ耐摩耗性に優れる点で望ましい。
【0023】
また、このとき、第1層7の平均結晶幅は0.01〜0.5μm、第2層8の平均結晶幅は0.6〜3μmであることが、被覆層6、9の硬度を高めるとともに被覆層6、9の表面での耐溶着性の向上の点で望ましい。なお、本発明において、被覆層6、9の平均結晶幅を測定するには、被覆層6、9の断面写真において、被覆層6、9の中間の厚さにあたる部分に線A(図示せず。)を引いて測定する。具体的には、被覆層6、9中の柱状結晶(図示せず。)の平均結晶幅は100nm以上の長さL(図示せず。)の線分Aを特定し、この線分Aを横切る粒界の数を数えて平均結晶幅=長さL/粒界の数によって算出する。
【0024】
さらに、第1層7中に平均結晶粒径が0.05〜1μmの分散粒子(図示せず。)が点在することが、第1層6の靭性を高めて被覆層6、9の耐欠損性を高める点で望ましい。分散粒子の組成として、具体的には、分散粒子以外のマトリックスに対してW(タングステン)の含有量が多い窒化物粒子、例えば、被覆層6、9の全体組成がTi1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1)からなる場合には、Ti1−a−b−cAlSi(C1−y)(ただし、MはNb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種であり、0≦a≦0.4、0.05≦b≦0.8、0≦c≦0.01、0≦d≦0.5、0.2≦y≦1である。)からなる分散粒子が挙げられる。
【0025】
一方、被覆層の構成は上記被覆層6の構成に限定されるものではなく、例えば、図3に示す第2の実施態様に示す被覆層9の構成であってもよい。
【0026】
すなわち、本発明の第2の実施態様を示す図3によれば、被覆層9は第1層7と第2層8との多層が2層以上交互に積層されてなる。この構成によれば、第1層7と第2層8との界面の存在によって格子歪みエネルギーが増加して硬度が向上し耐摩耗性が高くなる。また、被覆層9の表面にクラックが発生した場合には、第1層7と第2層8との界面の存在によってクラックの進展が妨げられるので被覆層9の耐欠損性が高くなる。
【0027】
このとき、第1層7の各層の膜厚は0.02〜0.7μm、第2層8の各層の膜厚は0.01〜0.5μmであり、第1層7の総膜厚は1〜7μm、第2層8の総膜厚は0.5〜5μmであることが、被覆層の硬度向上および耐欠損性の向上の点で望ましい。
【0028】
なお、基体2としては、炭化タングステンや炭窒化チタンを主成分とする硬質相とコバルト、ニッケル等の鉄族金属を主成分とする結合相とからなる超硬合金やサーメットの硬質合金、窒化ケイ素や酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス、多結晶ダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素からなる硬質相とセラミックスや鉄族金属等の結合相とを超高圧下で焼成する超高圧焼結体等の硬質材料が好適に使用される。
【0029】
(製造方法)
次に、本発明の切削工具の製造方法について説明する。
【0030】
まず、工具形状の基体2を従来公知の方法を用いて作製する。次に、基体2の表面に被覆層6、9を成膜する。被覆層6、9の成膜方法としてはイオンプレーティング法やスパッタリング法等の物理蒸着(PVD)法が好適に適応可能である。
【0031】
本発明の好適な成膜方法の一例として、例えば、アークイオンプレーティングカソードとマグネトロンスパッタリングカソードとの両方を具備する成膜装置を用いて被覆層6、9を成膜する方法が挙げられる。つまり、アークイオンプレーティング法によって第1層7の窒化物層を成膜し、かつマグネトロンスパッタリング法によって第2層8の酸化物層を成膜する方法が好適である。
【0032】
具体的には、バイアス電圧30〜200V、成膜温度400〜600℃で、アークイオンプレーティングカソードにアーク放電やグロー放電などを照射して金属源を蒸発させイオン化すると同時に、窒素源の窒素(N)ガスや炭素源のメタン(CH)/アセチレン(C)ガスを2〜5Paのガス圧で流して反応させることにより、第1層7を成膜する。
【0033】
次に、成膜温度を500〜700℃として、マグネトロンスパッタリングカソードに3kW〜7kWのパルス電力を加える。その際、繰り返し周波数を20−100kHzに、デューティサイクルを5〜80%とする。バイアス電圧としてパルスDC電圧を30〜150V、50kHz〜350kHz印加するとともに、0.3〜0.8Paのアルゴンと酸素の混合ガス(酸素ガス圧0.05〜0.2Pa)を流すことによって放電状態とし、第1層7の表面に第2層8を被覆することができる。
【0034】
なお、カソードとして、例えば、金属チタン(Ti)、金属アルミニウム(Al)、金属W、金属Si、金属M(ただし、MはTi、Wを除く周期表第4、5、6族元素、希土類元素から選ばれる1種以上)をそれぞれ独立に含有する金属カソード、これらを複合化した合金カソード、またはこれらの炭化物、窒化物、硼化物化合物粉末または焼結体からなる混合物カソードを用いることができる。
【0035】
また、上記成膜装置にて上記各成膜工程を繰り返す手法によって、第1層7と第2層8とが2層以上交互に積層された構成の被覆層9を形成することができる。
【実施例1】
【0036】
平均粒径0.8μmの炭化タングステン(WC)粉末を主成分として、平均粒径1.2μmの金属コバルト(Co)粉末を10質量%、平均粒径1.0μmの炭化バナジウム(VC)粉末を0.1質量%、平均粒径1.0μmの炭化クロム(Cr)粉末を0.3質量%の割合で添加し混合して、プレス成形によりCNMG120408MS形状のスローアウェイチップ形状に成形した後、脱バインダ処理を施し、0.01Paの真空中、1450℃で1時間焼成して超硬合金を作製した。また、各試料のすくい面表面をブラスト加工、ブラシ加工等によって研磨加工した。さらに、作製した超硬合金にブラシ加工にて刃先処理(ホーニング)を施した。
【0037】
このようにして作製した基体に対して、アークイオンプレーティングカソードとマグネトロンスパッタリングカソードとの両方を具備する成膜装置を用いて、表1に示す成膜条件によって種々の組成にて被覆層を成膜した。
【0038】
得られた試料に対して、被覆層の表面を含む断面について透過型電子顕微鏡(TEM)にて観察し、被覆層を構成する結晶の平均結晶幅を求めた。また、TEMにて観察する際に、各被覆層の任意3箇所における組成をエネルギー分散分光分析(EDS)によって測定し、これらの平均値を各被覆層の組成として算出した。さらに、被覆層中の分散粒子の有無、およびその組成を確認した。
【0039】
次に、得られた外径切削工具CNMG120408MS形状のスローアウェイチップを用いて以下の切削条件にて切削試験を行った。結果は表3に示した。
【0040】
切削方法:外径旋削加工
被削材 :SUS304
切削速度:150m/分
送り :0.2mm/rev
切り込み:2.0mm
切削状態:湿式
評価方法:30分切削後の横逃げ面摩耗と先端摩耗、チッピングの有無を顕微鏡に
て測定した。
【表1】

【0041】
【表2】

【0042】
【表3】

【0043】
表1〜3に示す結果より、第2層が成膜されず第1層のみが成膜された構成からなる試料No.10では、チッピングが発生した。また、第2層が酸化物層ではなく窒化物層からなる試料No.13、14では、耐酸化性が不十分でありこのテストのように過酷な切削条件では耐摩耗性の低いものであった。さらに、第1層が金属M成分(Nb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種)を含有しない組成からなる試料No.11では耐摩耗性が悪く、第1層がWを含有しない組成からなる試料No.12では耐欠損性が低下した。
【0044】
これに対して、本発明の範囲内である試料No.1〜10では、いずれも被覆層が耐欠損性および耐酸化性に優れて良好な切削性能を発揮した。
【実施例2】
【0045】
実施例1の試料No.2の被覆層において、成膜温度550℃の条件で第1層0.2μm、第2層0.1μmの周期で25層積層した構成の被覆層とする以外は実施例1と同様に切削工具を作製し、同様に切削性能を評価した。その結果、チッピングの発生は見られず、摩耗幅も0.08mmと小さいものであった。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】本発明の切削工具の一例を示す概略斜視図である。
【図2】図1の切削工具の第1の実施態様を示す断面模式図である。
【図3】図1の切削工具の第2の実施態様を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【0047】
1 切削工具
2 基体
3 すくい面
4 逃げ面
5 切刃
6、9 被覆層
7 第1層
8 第2層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基体と、この基体の表面を被覆する被覆層とからなる切削工具であって、
前記被覆層が、
Ti1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1)からなる第1層と、
(Al1−hM’h(ただし、M’hはTi、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta、HfおよびYから選ばれる1種以上、0≦h≦0.65、1≦w/v≦2.5)からなる第2層と
からなることを特徴とする切削工具。
【請求項2】
前記第1層の膜厚は1〜7μm、前記第2層の膜厚は0.5〜5μmであることを特徴とする請求項1記載の切削工具。
【請求項3】
前記第1層の平均結晶幅は0.01〜0.5μm、前記第2層の平均結晶幅は0.6〜3μmであることを特徴とする請求項1または2記載の切削工具。
【請求項4】
前記第1層中に平均結晶粒径が0.05〜1μmの分散粒子が点在することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の切削工具。
【請求項5】
前記被覆層は、前記第1層と前記第2層とが2層以上交互に積層されてなることを特徴とする請求項1記載の切削工具。
【請求項6】
前記第1層の各層の膜厚は0.02〜0.7μm、前記第2層の各層の膜厚は0.01〜0.5μmであり、前記第1層の総膜厚は1〜7μm、前記第2層の総膜厚は0.5〜5μmであることを特徴とする請求項5記載の切削工具。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公開番号】特開2009−190091(P2009−190091A)
【公開日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−29915(P2008−29915)
【出願日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【出願人】(000006633)京セラ株式会社 (13,660)
【Fターム(参考)】