【課題】一般鋼、高硬度鋼等の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記硬質被覆層が、０．５〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_{１−α−β}Ｃｒ_αＲｅ_β）Ｎ（但し、αはＣｒの含有割合を示し、原子比で、０．２５≦α≦０．５５、βはＲｅの含有割合を示し、原子比で、０．００１≦β≦０．１０である）を満足するＡｌとＣｒとＲｅの複合窒化物層からなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｃ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層＋Ａ層＋Ｂ層＋Ｃ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】各種デバイスを積層するための基材とするためのポリイミドフィルムと支持体との積層体であって、デバイス作製時の高温プロセスにおいても剥がれることなく、しかもポリイミドフィルム上にデバイスを作製した後には容易に支持体からポリイミドフィルムを剥離することができる積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム６として、少なくとも支持体１に対向させる面にプラズマ処理が施されたフィルムを用い、支持体１とポリイミドフィルム６とが対向する面の少なくとも一方にカップリング剤を用いて、接着剥離強度は異なり表面粗さは略同一である良好接着部分と易剥離部分とを形成するパターン化処理を施した後、重ね合わせて加圧加熱処理することとし、ポリイミドフィルム６は、７０モル％以上がベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類を主成分とするジアミン類とテトラカルボン酸類との反応によって得られる。 （もっと読む）

【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板２に成膜された無機物からなる無機層３上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、硬質被覆層が、（ａ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ａTｉ_１−ａ）N（ａはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ａ≦０．７５）を満足するＡｌとＴｉの複合窒化物からなるＡ層、（ｂ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ｂCｒ_１−ｂ）N（ｂはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ｂ≦０．７５）を満足するＡｌとＣｒの複合窒化物からなるＢ層、（ｃ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有する窒化クロムからなるＣ層、前記Ａ層、Ｂ層、Ｃ層からなる単位被覆ユニットを２回以上積層した全体膜厚０．５〜６μｍを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】被洗浄基板、あるいは、さらに処理される清潔な基板を製造するための、方法および装置を提供する。
【解決手段】電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。アノード機器（７）は、一方ではアノード電極（９）を、他方では、自身から電気的に孤立されている閉じ込め部（１１）を備えている。この閉じ込め部（１１）は、洗浄されるべき基板（２１）の領域（Ｓ）に向けられた、開口部（１３）を備えている。電子源カソード（５）およびアノード電極（９）は、供給源（１９）を有する供給回路によって、電気を供給されている。この回路は、電気的に浮遊して操作される。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】フィルムにした際に、蒸着強度、耐ブロッキング性およびヒートシール強度に優れ、溶媒抽出成分量の少ない蒸着フィルム用ポリプロピレン系樹脂組成物を提供する。
【解決手段】プロピレンに由来する構造単位が主な構造単位であるプロピレン系重合体成分（成分（Ａ））６０〜９０重量％と、エチレンに由来する構造単位の含有量が２０〜４０重量％であり、極限粘度（［η］Ｂ）が３〜８ｄＬ／ｇであるプロピレン−エチレン共重合体成分（成分（Ｂ））１０〜４０重量％とを含む蒸着フィルム用ポリプロピレン系樹脂組成物（但し、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との合計の重量を１００重量％とする。）。 （もっと読む）

【課題】より高いガスバリア性を有し、かつ耐食性にも優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材２と、基材２上に設けられたガスバリア層３とを有し、前記ガスバリア層３が、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化物及び無機酸化窒化炭化物から選ばれる少なくとも１種の無機化合物と、モリブデンと、モリブデン以外の耐食性金属とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボイル殺菌、レトルト殺菌、加熱調理等による加熱処理がなされても当初のガスバリア性及びラミネート強度が劣化しにくく、落下による破袋がしにくく、突き刺し性に優れるようにした、加熱処理耐性を有する蒸着フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧１×１０^−１〜１×１０^−３Ｔｏｒｒという環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第１高分子樹脂層、ガスバリア層、シラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第２高分子樹脂層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧気圧０．１Ｐａ〜１０Ｐａという環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第１高分子樹脂層、ガスバリア層、シラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第２高分子樹脂層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜である上記ＴｉＡｌＮや、ＴｉＣｒＡｌＮ、ＴｉＣｒＡｌＳｉＢＮ、ＣｒＡｌＳｉＢＮ、ＮｂＣｒＡｌＳｉＢＮ等よりもより耐酸化性、耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｂＡｌ_ｃＭ_ｄＢ_ｅ）（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）からなり、０≦ａ≦０．２、０．０５≦ｂ≦０．４、０．４５≦ｃ≦０．６５、０．００５≦ｄ≦０．０５、０≦ｅ≦０．１５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１、０≦ｘ≦０．５、Ｍ：Ｃｅ、ＰｒおよびＳｃよりなる群から選択される１種以上（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは夫々Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ，Ｂの原子比を示し、ｘはＣの原子比を示す。）であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】成膜材料であるＤｙ、Ｔｂを有効に利用しつつ、所定形状鉄−ホウ素−希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能な処理室２と、前記処理室内を加熱する加熱手段２３と、前記処理室内でバルク体たる金属蒸発材料と被処理物とをそれぞれ保持する保持手段６とを備え、前記処理室の減圧下で前記加熱手段を作動させ、少なくとも金属蒸発材料が蒸発する温度まで処理室を加熱して処理室内に金属蒸気雰囲気を形成し、前記金属蒸気雰囲気中の金属原子が、加熱されている被処理物表面に付着するように構成した。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と密着性に優れる硬質膜を表面に有し、長寿命で交換回数を大幅に削減し得る寸法測定治具を提供する。
【解決手段】基材２の表面に硬質膜１が成膜されてなる寸法測定治具であり、硬質膜１は、基材２の表面上に直接成膜されるクロムを主体とする下地層１ａと、下地層１ａの上に成膜されるタングステンカーバイトとダイヤモンドライクカーボンとを主体とする混合層１ｂと、該混合層１ｂの上に成膜されるダイヤモンドライクカーボンを主体とする表面層１ｃとからなる構造の膜であり、混合層１ｂは、下地層１ａ側から表面層１ｃ側へ向けて連続的または段階的に、該混合層１ｂ中のタングステンカーバイトの含有率が小さくなり、該混合層１ｂ中のダイヤモンドライクカーボンの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】切削性能、耐熱亀裂性、および寸法精度に優れた刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．２８〜１．１３質量％のＴａと、不可避不純物とを含み、かつ残部がＷＣである超硬合金からなり、該超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜２μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出していないことを特徴とする。
−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋３１．７≧ＨＣ≧−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋２７．２ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】溶剤系のアンダーコートあるいはプライマー処理を行うことなく、硬質塩化ビニルからなる基材の表面に強固に接着して高温・高湿に対する耐久性に優れた金属皮膜を有する、金属被覆された硬質塩化ビニル基材を提供する。
【解決手段】硬質塩化ビニルからなる基材の表面に表面改質層が設けられ、前記基材の表面改質層を介して、蒸着による金属薄膜層が被覆してなる金属被覆された硬質塩化ビニル基材。表面改質層が、官能基として少なくともカルボキシル基を含むことが好ましい。表面改質層が、窒素ガスを反応ガスとする大気圧プラズマ処理により形成されてなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）