【課題】 保持可能な基板の種類が限定されず、かつ当該基板の温度を効果的に制御することができる新規な基板保持装置を提供する。
【解決手段】 この発明に係る基板保持機構１８は、例えば真空蒸着装置に適用されるものであり、図示しない液体冷却装置から冷却水が供給される水冷ジャケット３４を有している。そして、この水冷ジャケット３４の下面には、複数の押圧ユニット４０，４０，…が設けられており、それぞれの押圧ユニット４０は、水冷ジャケット３４を介して冷却水が注入される溶接ベローズ５２を有している。この溶接ベローズ５２の移動端（先端）には、中継冷却板５６が結合されており、冷却水の圧力に応じて当該ベローズ５２が伸縮すると、中継冷却板５６によってヒートシンク７０と共にウェハ１６が下方に押し付けられ、固定される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物品を支持して、少なくとも公転させる回転テーブル及び該回転テーブル上に支持される被処理物品を冷却する冷却機構を有する、蒸発源を用いたＰＶＤによるコーティング装置であって、回転テーブルに支持される被処理物品を従来より確実に冷却することができ、冷却機構の設計の自由度が従来より大きいコーティング装置を提供する。さらに、メインテナンスの容易なコーティング装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル４２上に支持される被処理物品Ｗに臨むように該テーブル４２上に冷却部５を搭載し、冷却部５の冷媒循環通路５１には、テーブル４２とは分離されたコネクタ部ＣＣを介して冷媒を循環させる。冷却部５を搭載した回転テーブル４２は、真空容器２に対し搬入搬出可能の可動テーブル４０に支持させる。或いは、真空容器壁の一部（例えば底壁）であって、容器本体に対し着脱可能の部分に設置する。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン系サーメットからなる超硬基体の表面に、（ａ）０．８〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_X）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４５〜０．７５を示す）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなる下部層、（ｂ）０．８〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ｗ_1-ＹＺｒ_Ｙ）Ｂ（ただし、原子比で、Ｙは０．１０〜０．４０を示す）を満足するＷとＺｒの複合硼化物層からなる上部層、以上（ａ）および（ｂ）で構成された硬質被覆層を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の窓層として、金属酸化物の透明導電膜からなる電流分散層を形成し、且つ同時に粗面化することが可能な真空蒸着装置、この真空蒸着装置に利用するフィルタ、それらを用いて作製した半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置の構成として、真空容器１５内に、金属酸化物の蒸発源１４と、この蒸発源上方に該蒸発源に対し被着面を傾斜させて臨ませた被着基板１１とを置き、前記蒸発源１４と被着基板１１との間に、機械的に構成された多数の微小径の空孔を有するフィルタ１２を設け、これに蒸気流を通過させることによって被着基板１１の被着面に粗面化された金属酸化物から成る透明導電膜が形成されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】簡素な装置構成で運転が容易で長期間に亘り安定的に成膜操作が可能であり、またターゲットの不均一で無駄な消耗が少なく高価なターゲット材料の使用歩留りを大幅に高めることが可能なレーザーアブレーション装置を提供する。
【解決手段】膜構成成分を含有する円盤状のターゲット２を保持するターゲット保持台３２と、上記ターゲット２にレーザー光４を照射することによりターゲット成分を原子，分子，イオンまたはクラスター状の微細化粒子として放出するレーザー発振装置５と、上記ターゲットから放出された微細化粒子を薄膜として堆積させる基板６を保持する基板保持台１４と、上記ターゲット保持台３２をその自転軸周りに回転自在とし、かつ自転軸と平行で所定距離をおいて配置された公転軸周りに公転自在とするターゲット駆動機構３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 より小型な構成でワークの姿勢を変化させること。
【解決手段】 真空槽２内で基板Ｐの表面に成膜を行うものであって、自転運動する自転車１１と、基板Ｐを保持する基板保持部１２と、該基板保持部１２を自転車１１に連動可能に連結する連結部材１３とを有する自転機構３と、該自転機構３を揺動可能に支持する支持機構４と、自転車１１と接触する案内面を有する案内部材５とを備え、連結部材１３が、自転車１１が案内面に接触しうる所定の２点からの距離が異なる点で、自転車１１に連結されている成膜装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、凹凸のある試料に均一なコーティングができ、真空を汚したり、グリース切れによる動作不良がなく、しかも、スパッタリングに費やす時間が長くかからないイオンスパッタ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、試料を載置する回転自在なる試料台が備わるイオンスパッタ装置において、前記試料台の回転移動に伴い試料台を傾斜させる傾斜支持台を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アーク式イオンプレーティングによる成膜方法及び装置であって、カソード材料として２種以上の元素を含むものを採用して複数元素を含む膜を形成でき、しかも、ドロップレット付着が抑制された、それだけ平滑な膜を形成できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】カソード１２として２種以上の元素を含む材料からなるものを採用し、膜形成にあたって、カソードアーク走行面１２１と正規成膜位置Ｐの被成膜物品Ｗ間の成膜距離Ｌを１５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下に設定し、真空アーク放電を成膜用ガス雰囲気において行わせ、且つ、成膜ガス圧を４Ｐａ〜７Ｐａの範囲に設定し、プラズマ生成領域に磁場を印加し、該磁場は、該カソードアーク走行面１２１位置で該面の法線となす角度が３０°以下である磁力線１３１からなる磁場とするアーク式イオンプレーティングによる成膜方法及び成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層を真空蒸着で形成し、かつ、蒸着レートおよび膜厚を正確に制御できる放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】成膜中にレーザ変位計２０ａ〜２０ｆ等を用いて蛍光体層の膜厚を測定し、その測定結果に応じて、加熱制御手段２４によりルツボ５０ａ〜５０ｆの発熱を調整して、ルツボ毎の蒸着レートを制御する。 （もっと読む）

【課題】 基材ホルダの着脱が容易であり、かつ成膜中に反転駆動される基材ホルダに対して高周波電力及びバイアス電圧を高い供給品質及び印加品質において安定に供給及び印加することが可能なイオン加工装置を提供する。
【解決手段】 その内部で電力を用いて基材へのイオン加工を行うための導電性の真空チャンバ１と、前記真空チャンバの内部に配設され前記基材が装着される導電性の基材ホルダ８と、前記真空チャンバの内部に前記電力を導入しかつ前記基材ホルダを回動自在に支持するための電力導入体５と、前記基材ホルダを前記真空チャンバの内部で反転させるための反転構造９と、前記電力導入体に電気的に接続され該電力導入体に前記電力を供給するための電源１６，１７とを備えるイオン加工装置１００であって、前記電力を前記電力導入体から前記基材ホルダに供給するための給電構造１０１を有し、前記電源から前記電力導入体を介して前記真空チャンバの内部に導入される前記電力が前記反転構造により反転可能な前記基材ホルダに対して前記給電構造を介して実質的に供給される。 （もっと読む）

【課題】 アンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）法の高密着性の特徴を維持しつつ、基板面全域で膜質の均一な膜を形成する。
【解決手段】 非平衡な磁場分布を形成するアンバランスドマグネトロンスパッタ電極と、基板２を保持するホルダー３を備えた回転ステージ１と、該回転ステージ１の周囲に設けられ該基板２の表面に対向する複数、好ましくは３体以上のターゲット４ａ、４ｂ、４ｃを備えたアンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）装置であって、（１）複数、好ましくは３体以上のターゲット４ａ、４ｂ、４ｃが高さを変えて設置され、且つ基板２を載置するステージ１を公転させる機構を有するか、又は（２）基板２をターゲット４ｄ、４ｅ、４ｆに対して平行方向（回転ステージに対して上下方向）５に振動させる機構と、基板２を載置するステージ１を公転させる機構を有する。 （もっと読む）

【課題】 ワークの大きさに応じてワークの自転の軸間距離をより小さくし、且つワークの公転の軌道径をより大きくすることができ、一度にＰＶＤ処理できるワークの数をより多くすることができる皮膜形成用ワーク保持装置の提供。
【解決手段】 回転不能の中央歯車１１に同軸的に、回転可能なテーブル１２が設けられ、テーブル１２の周縁部にはガイド部１２Ｂが設けられている。ガイド部１２Ｂと中央歯車１１との間には、ギヤユニット２０が設けられており、ギヤユニット２０の１次遊星ギヤ２１は中央歯車１１に噛合し、２次遊星ギヤ２２は１次遊星ギヤ２１に噛合する。ワークたるピストンリング２は２次遊星ギヤ２２の回転軸２２Ａと一体に回転する載置台に載置される。回転軸２２Ａにはスペーサ２３が設けられ、スペーサ２３はガイド部１２Ｂに当接するとともに、スペーサ２３どうしが互いに当接する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスおよび高い生産レートで基板上に材料を堆積する技法に関し、堆積した膜は予想された厚み分布を有し、装置は、非常に長期間にわたって連続して、かつ、反復して動作することが可能である。
【解決手段】本発明は、サイクル時間を減らすことによって生産の増加を実現する。コーティング・レートの増加は、遊星駆動システムを大きな陰極と結合することによって達成される。陰極直径は、遊星の直径より大きく、かつ、遊星の直径の２倍未満である。アーク放電を抑制する、陰極における低い電力密度によって低い欠陥率が得られ、一方、マスクを使用することなく、遊星に対する陰極の幾何形状によってランオフが最小になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチで使用する部分的に使い捨ての基板ホルダに関する。
【解決手段】この基板ホルダは、磁気ラッチに引きつけられる強磁性材料で少なくとも部分的にできている再利用可能なベースと、比較的安価で、強磁性で、容易に成形可能な材料でできており、コーティング材料の付着を促進し、コーティング温度での蒸気圧が低い使い捨てカバーとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】 実用的なＢＮ膜を生成する。
【解決手段】 各被処理物３６，３６，…は、自公転機構２８によってプラズマ領域６８に順次搬送される。そして、このプラズマ領域６８において、坩堝２２に収容されたホウ素材と、ガス管５８を介して導入される窒素ガスと、を材料とするＢＮ膜が生成される。このとき、各被処理物３６，３６，…には、バイアス電力として、直流成分Ｖｄｃが重畳された高周波電力Ｅｂが供給される。なお、直流成分Ｖｄｃが大きく変動すると、ＢＮ膜の破壊、ひいては剥離を誘発するが、この成膜装置１０においては、電圧制御回路６６によって当該直流成分Ｖｄｃの変動が抑制される。従って、剥離を生じない、実用的なＢＮ膜を生成することができる。 （もっと読む）

本発明は、基板の真空コーティング用の設備に関し、当該設備は、真空室と、少なくとも１つの基板を保持する装置と、基板をコーティング領域に搬送する搬送装置とを備えており、真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域に、少なくとも１つのプラズマインパルス化学蒸着用の装置が設けてあり、真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域に、少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置が設けてある。
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【課題】限られたスペースでも効率良く回転機構の組立分解を行なうことができるメンテナンス性及び作業性のよい真空装置を提供する。また、基板ドームの芯振れ防止、ベアリングから発生する粉塵による汚染防止、及び、回転機構の薄型化により成膜精度を向上する。
【解決手段】真空槽、真空槽内部に固定されるベース、ベースに取り付けられる回転機構、及び、成膜基板が搭載され回転機構によって水平に回転される基板ドームからなる真空装置であって、回転機構をベースから真空槽底面方向に着脱可能な構成とした。 （もっと読む）