【課題】安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを成膜容器に供給する反応ガス供給部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御し、かつ、高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、点火プラグを備える点火室と、成膜容器と点火室との間に配置されるバルブと、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための新規な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、
上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、
上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。
さらに、本発明は、高品質のIII族窒化物層のエピタキシャル成長に非常に適した方法、中間層若しくはテンプレートデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】基板上部で安定してプラズマを発生させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行し、前記成膜空間に向く端部がお互いに異なる極性を帯びた一対の磁石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダー材料の温度均一性向上のために、基板ホルダー用の基板ホルダー材料の加工方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に種々の半導体材料の層状蒸着を誘導加熱を用いて形成するために、その第１の側上に該半導体基板を載置する基板ホルダーの材料加工方法であって、前記方法は、前記基板ホルダー材料上の少なくとも１つの測定位置における第１の電気抵抗率を求めるステップと、前記第１の電気抵抗率を第２の基準電気抵抗率と比較するステップと、前記比較に対応させて前記基板ホルダー材料を修正するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体膜が形成された基板に残存する反りを十分に低減することの可能な気相成長方法、及び気相成長方法により形成された化合物半導体膜を提供することを課題とする。
【解決手段】化合物半導体膜１２を成膜後に、基板１１の温度を下げる降温工程、及び／又は化合物半導体膜１２を気相成長後に基板１１の温度を上げる昇温工程と、を有し、降温工程及び／又は昇温工程では、反応炉１６内への気相成長原料（原料ガス）の導入を停止すると共に、反応炉１６内への不活性ガスの導入を段階的に減少させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（工程１）により制限領域内に形成されたテラス２０２に、工程１よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を少なくして、トリメチルガリウム(TMG)又はトリエチルガリウム(TEG)を供給し、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１を１個以上100個以下発生させる（工程２）。次に、工程２よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を多くする（工程３）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。工程２と工程３を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体層に意図しない種類のドーパント原子又は意図しない濃度のドーパント原子が半導体層に含まれることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ドーパント原子を含む第１原料ガスを用いて、成長室３０内に設置された下地基板１６に第１半導体層１８を結晶成長させる第１半導体層成長工程と、成長室３０の内壁３２に付着したドーパント原子を除去するドーパント除去工程と、第２原料ガスを用いて、成長室３０内に設置された下地基板１６に第２半導体層２０を結晶成長させる第２半導体層成長工程を備えている。ドーパント除去工程は、第１半導体層成長工程と第２半導体層成長工程の間に実施される。 （もっと読む）

【課題】成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキが生じるとの課題があった。
【解決手段】液体原料又は固体原料を貯留する液体原料タンク３１５と、液体原料又は固体原料をガス状態にするガス化機構３１５、３１０と、ガス化機構３１５、３１０と処理室２０１との間に設けられたＭＦＣ３１８とを有し、コントローラ２８０は、液体原料又は固体原料をガス状態にして供給する際、ガス化機構３１５、３１０及びＭＦＣ３１８を制御して原料ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】第ＩＩＩ−Ｖ族含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】実施態様において、二成分化合物のエピタキシャル薄膜を形成するためのシステムと方法を含むエピタキシャル薄膜形成ためのシステムと方法が提供されている。本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。前記方法および装置は、準単分子層薄膜蒸着の急速反復を可能にする多段階蒸着プロセスおよびシステムを含む。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した
積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては７００℃以上が好ましく、さらには１１００℃以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体は、面方位が（１１１）のシリコン基板上にエピタキシャル成長される。ＧａＮの格子定数と、とシリコン（１１１）面の格子定数の差が、約１７％と大きいのでめ、成長されたＧａＮには１０^１０ｃｍ^−２を超える転位が導入される。転位により、ＧａＮを用いたトランジスタのリーク電流が増大する。また、トランジスタの移動度が低下する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の（１５０）面上に、エピタキシャル成長された窒化物半導体層と、を備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、後工程に送られるガス中の原料ガスの分圧を高くできる液体原料の気化方法を提供する。
【解決手段】 気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して液体原料を供給する際、原料供給路内で液体原料に所定流量でセカンドキャリアガスを予め混合して気液混合状態とし、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口２４から排出する。この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗に好適な、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する薄膜を提供する。
【解決手段】銅(Ｉ)Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネートの蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上に銅の金属薄膜を析出させる。コバルト(ＩＩ)ビス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。これら金属の窒化物及び酸化物の薄膜は、前記水素をそれぞれアンモニア又は水蒸気に代えることによって形成することができる。 （もっと読む）

【課題】転動部材が隣接する転動部材に乗り上がってしまうことを防止することができる自公転機構を備えた気相成長装置を提供する。
【解決手段】加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタ１１に、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材２１を転動部材（ボール２２，２３）を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材を回転させ、該基板保持部材に保持された基板１２をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記転動部材として、径が異なる転動部材（大径ボール２２及び小径ボール２３）を交互に配置する。 （もっと読む）