【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】1以上の窒化物材料を形成するためのＭＯＣＶＤシステム及び製造方法を提供する。
【解決手段】該システムは、中心軸１２８の周りを回転するように構成されているサセプタ１２０、及び該サセプタ上部に、サセプタとは直接接触していない状態で配置されるシャワーヘッド１１０を含む。加えて、該システムは、該サセプタ上に配置され、中心軸の周りを回転し、かつ対応するホルダ軸１２６の周りもそれぞれ回転するように構成されている1以上の基板ホルダ１３０を含む。更に該システムは、該中心部品内部に形成された1以上の第1の入口１０１、1以上の第2の入口１０２、及びシャワーヘッド内部に形成され、かつ中心部品からの距離が該1以上の第2の入口１０２より更に離れて配置される1以上の第3の入口１０３を含む。 （もっと読む）

【課題】均質なｎ型導電性のＩＩＩ族窒化物半導体層を含むＩＩＩ族窒化物半導体膜およびかかるＩＩＩ族窒化物半導体膜を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体膜２０は、主面２０ｍ，２１ｍ，２２ｍが（０００１）面２０ｃに対して０°より大きく１８０°より小さいオフ角θを有し、ｎ型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるＩＩＩ族窒化物半導体層２１，２２を少なくとも１層含む。また、本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、上記のＩＩＩ族窒化物半導体膜２０を含む。 （もっと読む）

【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置及びこの装置を用いた気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行うことが可能な気相成長装置であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

【課題】耐密着性に優れ、耐欠損性に優れた表面被覆部材を提供する。
【解決手段】基体２の表面に、ＴｉＣＮ層４と、Ｔｉ、Ａｌ、炭素および酸素を含み、平均膜厚が５〜３０ｎｍで途切れることなく存在する中間層５と、α型Ａｌ_２Ｏ_３層９とが順に被着形成された積層体を有する被覆層３を備え、ＴｉＣＮの（２００）面に帰属される回折ピークが現れる２θの値θ_ｔとＪＣＰＤＳカードのθ_ｔ０との差△θ_ｔ（＝θ_ｔ−θ_ｔ０）と、Ａｌ_２Ｏ_３のα型結晶構造の回折ピークが現れる各結晶面の２θの値θ_{ａ（ｈｋｌ）}とＪＣＰＤＳカードのθ_{ａ０（ｈｋｌ）}との差△θ_{ａ（ｈｋｌ）}（＝θ_{ａ（ｈｋｌ）}−θ_{ａ０（ｈｋｌ）}）と、の差△θ_ｚ（ｈｋｌ）（＝△θ_ｔ−△θ_{ａ（ｈｋｌ）}）がいずれも−０．２°〜０．２°の表面被覆部材１である。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法及び窒化物半導体結晶層を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表面にシリコン酸化膜が形成された基体の上に設けられた２０μｍ以下の厚さのシリコン結晶層の上に、１μｍ以上の厚さの窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の上に、窒化物半導体結晶層のうちの第１の部分を形成した後、第１の部分よりも高い温度で第２の部分を形成する。シリコン結晶層は、シリコン結晶層の層面に対して平行な面内において、０．５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の特性長さを持つ島状に区分されている。区分されたシリコン結晶層のそれぞれの上に選択的に互いに離間した複数の窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の少なくとも一部を窒化物半導体結晶層に取り込ませ、シリコン結晶層の厚さを減少させる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＰ型ＧａＮ層が形成された積層体において、その表面が極めて平滑であり、電極特性が良好な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ（Ｘ、ＹおよびＺが、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である）層と、不純物原子がドープされたＧａＮ層と有するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、Ｐ型ＧａＮ層１６が、層厚みをＴ[ｎｍ]とし、Ｐ型ＧａＮ層の層厚み方向における成長速度をＧＲ[ｎｍ／分]とし、Ｐ型ＧａＮ層を形成するために用いられるＧａ原料の流量をＦ_Ｇａ［μｍｏｌ／分］とし、不純物原子原料の流量をＦｉ[μｍｏｌ／分]としたときに、ＧＲが０．１５以上２．０以下、（Ｆｉ／Ｆ_Ｇａ）×ｌｎ（Ｔ）が０．１を超え０．４以下となるように成長させる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と中間層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層からなり、（ｂ）中間層は、κ型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層にＺｒを０．００４〜０．１２％（ただし、全体組成に対するＺｒの割合を原子％で示す）含むＺｒ含有κ型Ａｌ_２Ｏ_３層（下部中間層）と、該下部中間層の表面に部分的に形成されたＺｒＯ_２薄層（上部中間層）からなり、（ｃ）上部層は、その垂直断面を観察した場合、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相と上記ＺｒＯ_２薄層上に形成されたα型Ａｌ_２Ｏ_３相のα−κ混合組織を有し、さらに、その表面研磨面を観察した場合、α型Ａｌ_２Ｏ_３相の周囲をκ型Ａｌ_２Ｏ_３相が囲繞するα−κ網目状混合組織を有するＡｌ_２Ｏ_３層からなる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第１の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第１の構造体に最も近い第２の構造体の形状の重心と、は、第２軸上に並ぶ。凹部の深さをｈｂとし、凹部の底部の第２軸に沿った幅をｒｂとし、凸部の第２軸に沿った幅をＲｂとしたとき、ｒｂ／（２・ｈｂ）≦０．７、及び、ｒｂ／Ｒｂ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第１バッファ層と、前記第１バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に形成される第３バッファ層と、前記第３バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第２バッファ層はボイドを含む。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン系薄膜の製造方法に関して、大面積の基板を用いた場合においても、高品質かつ均一な薄膜を得られる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、高周波電極と、該高周波電極と対向して配置される基板と、該高周波電極と対向して配置され、かつ、該基板を保持するホルダとを含み、プラズマＣＶＤ装置を使用するシリコン系薄膜の製造方法であって、
該高周波電極面と該ホルダ面との距離（Ｅ／Ｈ）、および該高周波電極面と該ホルダに保持された基板の面との距離（Ｅ／Ｓ）の差Ｄ＝（Ｅ／Ｓ）−（Ｅ／Ｈ）が、
２ｍｍ以上４ｍｍ以下であり、かつ該距離（Ｅ／Ｓ）が、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法である。好ましくは該シリコン系薄膜が非晶質シリコン系薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】電子のトラッピング現象を緩和すると共に、ヘキサゴナル欠陥の発生を抑制可能な窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に核生成層２を形成し、その核生成層２上に第一の窒化物半導体層３を形成し、その第一の窒化物半導体層３上に、前記第一の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層４を形成する窒化物半導体エピタキシャルウェハ１０の製造方法において、前記第一の窒化物半導体層３を形成する際の成長温度が、前記第二の窒化物半導体層４を形成する際の成長温度よりも低くするものである。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）