説明

Fターム[4K053PA01]の内容

Fターム[4K053PA01]の下位に属するFターム

Fターム[4K053PA01]に分類される特許

21 - 40 / 72


本発明は、基板をコーティングする方法であって:(a)苛性洗浄剤を基板の少なくとも一部に適用すること;(b)ステップ(a)に供した基板の少なくとも一部を水でリンスすること;(c)苛性洗浄した基板の少なくとも一部に酸性洗浄剤を適用すること;(d)ステップ(c)に供した基板の少なくとも一部を水でリンスすること;および(e)ジルコニウムを含む化成処理剤を、酸性洗浄した基板の少なくとも一部に適用することを含み;ステップ(c)および(e)で使用される材料の少なくとも1つは実質的にクロムを含まない方法を対象とする。本発明は、前述の方法によりコーティングされた、アルミニウム基板などの基板をさらに対象とする。 (もっと読む)


【課題】良好な洗浄性を有するとともにさび止め性をも兼ね備えた洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】120℃における蒸発速度が1000〜9000g/mhである炭化水素系液体成分Aと、120℃における蒸発速度が300g/mh以下である炭化水素系液体成分Bとを含み、成分Aの含有量が99〜85重量%及び成分Bの含有量が1〜15重量%であり、好ましくは、成分Aの120℃における蒸発速度に対する成分Bの120℃における蒸発速度の比が0.30以下である洗浄剤組成物、および該洗浄剤組成物を用いて金属部品を洗浄する洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】金属屑から分離した異物が金属屑に再付着することを抑制することができる金属屑の洗浄装置を得る。
【解決手段】異物5が付着した金属屑6が内側に入れられ、洗浄水1を貯留する洗浄槽2と、金属屑6を攪拌する攪拌機7と、洗浄槽2に貯留された洗浄水1に気泡3を供給し、気泡3を異物5に吸着させ、異物5を金属屑6から分離させ、気泡3が洗浄水1の水面に向かって浮上するのに伴って異物5を浮上させる気泡生成器4と、洗浄水1を洗浄槽2からオーバーフローさせて、異物5を洗浄槽2の外側へ排出する異物排出手段11とを備えている。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を用いず、過熱水蒸気を用いる方法であって、耐熱性が低い被洗浄材や機械的な強度が低い被洗浄材であっても、長尺な被洗浄材の全表面を、損傷を与えずに均一に連続して洗浄できる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】蒸気ボイラー1で発生させた飽和水蒸気を、過熱蒸気発生装置2で過熱水蒸気として洗浄室8に導入し、被洗浄材としてリール9に巻かれた長尺はんだテープ11を洗浄室8下側の開口から供給し、上部の開口から取り出し、リール10に巻き取ることにより、長尺の被洗浄材を被洗浄材の熱容量に応じた所定の速度で下方から上方に通過させる。 (もっと読む)


処理用洗剤を作成する方法は、黄銅顆粒をアセトンと混合するステップと、アセトン黄銅混合物内にカーボンナノチューブ材料、銀顆粒、黄鉄鉱顆粒、および銅顆粒を混合するステップと、残存する固体材料から液を濾過するステップとを含む。黄銅顆粒、銀顆粒、黄鉄鉱顆粒、カーボンナノチューブ材料、および銅顆粒などの材料を処理する方法は、材料を処理用洗剤内で洗浄するステップと、それに続く、材料を濾過し、乾燥させるステップとを含む。
(もっと読む)


洗浄工程で、現場生成されたフッ化水素(HF)を使用するシステム及び装置を開示する。例示的なシステムは、液相又は気相のハロゲン化供給材料と水素ガスとの現場反応を促進してHFを形成するために十分な温度で動作する洗浄レトルトを含む。このシステムは、洗浄レトルトの外部に配置された、液相又は気相のハロゲン化供給材料源と水素ガス源とを含み、それらは、反応すると洗浄レトルト内でHFを生成する。洗浄レトルト内に配置されるHFスクラバーは、現場反応によって形成された残留HFガスを実質的に除去する。例示的な装置は、洗浄レトルトを含み、洗浄レトルトは、洗浄の必要がある部品を保持できる第1の領域と、HFスクラバーとして動作する第2の領域とを備える。
(もっと読む)


【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ7.5〜12.0のpHを有するように十分な濃度で非金属pH調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも2つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 (もっと読む)


【課題】照明灯等の表面の膨張した赤錆を除去し防錆処理等を走行しつつ行う洗浄および防錆処理方法を提供することも目的とする。
【解決手段】供給水を所定圧力に加圧する高圧ポンプ1と、加温する温水器2と、高圧ポンプ1,温水器2と接続流路8,9,10で接続され高圧温水を噴射する噴射ノズル装置4と、粒状の炭酸水素ナトリウムの貯留タンク4と、該タンク4に基端が接続され先端が噴射ノズル5aに接続され該噴射流中に粒状の炭酸水素ナトリウムを混入させる炭酸水素ナトリウム供給路11を備えた高圧洗浄装置を用いた洗浄および防錆処理方法であり、噴射ノズル5aの先端から、粒状の炭酸水素ナトリウムを含み内部でキャビテーションを起こさせた状態の高圧温水を、処理しようとする金属製の対象物に噴射することによって、表面に発生している赤錆の膨張した部分を洗浄して除去し該除去した後に不動態被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つのコーティングされた表面を有するコーティングされた基材から、1つ以上のポリマーコーティング層を少なくとも部分的に除去するための方法を提供する。
【解決手段】大気圧において放出されるイオン化ガス流中に少なくとも一種の反応性種を生成する工程;および該コーティングされた表面をイオン化ガス流中に配置する工程、を包含する。少なくとも一種の反応性種が、1つ以上のポリマーコーティング層と反応し、その結果、該1つ以上のコーティング層が、大気圧において基材のコーティングされた表面から少なくとも部分的に除去される。 (もっと読む)


【課題】水を主体とする洗浄水と微細気泡によって洗浄し、洗浄後のすすぎ工程を省略することによって、環境負荷を抑制する。重量物となる被洗浄物容器の着脱を容易にし、作業者の肉体的負担を軽減し作業効率を向上させる。
【解決手段】被洗浄物を収納する被洗浄物容器20と、容器を摺動させて装置内外に搬入出する摺動保持機構部90と、容器を洗浄水に浸漬する洗浄槽30と、容器を洗浄槽に浸漬及びその引き揚げを行う昇降機構部40と、昇降機構部に設けられ、容器を回転させる回転機構部50と、洗浄槽の洗浄水から油脂分を分離する油水分離部80と、浸漬洗浄中の被洗浄物容器20に対して、気泡を含む洗浄水流を噴射する気泡発生部63及びノズル64と、洗浄槽から引き揚げられ、回転された洗浄後の容器に対して、水切り用の空気流を噴射する水切り機構部70とを備える。 (もっと読む)


【課題】洗浄で用いたアルカリ電解水を中和し、中性水として再利用することで、環境に対する負荷を少なくでき、しかもメタル版に形成した0.22mm幅や0.14mm幅といった非常に狭い幅の印刷パターンの穴をも綺麗に洗浄可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】アルカリ電解水供給装置30に、塩分濃度を一定濃度に設定した中性水を貯留する貯水タンク31と、貯水タンク31内の中性水を用いてアルカリ電解水と強酸性水とを生成するアルカリ電解水生成器32と、洗浄装置本体11において洗浄液として使用した後のアルカリ電解水とアルカリ電解水生成器32にて生成した強酸性水とを混合して中和する中和タンク33とを備えさせ、中和タンク33内にて生成される中性水を貯水タンク31に戻して、洗浄液として使用した後のアルカリ電解水を中性水として再利用した。 (もっと読む)


【課題】固体状微細異物の洗浄性に優れ、且つ、省エネ・低環境負荷型の洗浄システムを提供する。
【解決手段】被洗浄物を洗浄槽内に収納し、下記洗浄組成物を含んだ洗浄液を平均80m/min以上の速度で前記被洗浄物に対して衝突させることにより被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。洗浄剤組成物:(1)〜(4)を(1)〜(4)の合計質量に対する特定の比率で含有する。(1)テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド:7〜9%(2)グルコン酸ナトリウム:3〜7%(3)エチレンジアミンテトラ酢酸四ナトリウム:7〜11%(4)C10H21O-EOnH(式中、EOはエチレンオキサイド単位であり、nはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表しかつ1〜10の数である):残部 (もっと読む)


【課題】フロンや塩素系溶剤の代換え溶剤として使用されている臭素系溶剤は、フロンや塩素系溶剤に比較して分解しやすいことが特徴である。従来の臭素系の洗浄組成物は、防錆剤やニトロエタンなどの安定剤を用いて分解を防いでいたが、これらの洗浄剤をプリント基板の洗浄剤に用いると、絶縁抵抗の低下をもたらし、リーク不良などが発生することがあった。
【解決手段】臭素系の溶剤の安定剤として、n-プロピルブロマイド、メチレンブロマイド、ブロモクロロメタン、n-ブチルブモマイド、イソブチルブロマイド、sec-ブチルブロマイド、ter-ブチルブロマイドから選択される臭化物と炭素数4〜10のアルケン系炭化水素またはアルキン系炭化水素を混合したものからなる非引火性洗浄組成物を用いる。 (もっと読む)


【目的】循環使用される脱脂処理用アルカリ液の濃度を常時監視し、同アルカリ液濃度が所定値以下に低下した時にはアルカリ剤を注入してアルカリ液の濃度を所定値に調整する脱脂処理用アルカリ液を精製できるようにした再利用システムを提供する。
【構成】アルカリ液を貯留する貯留タンクと、前記タンク内のアルカリ液の濃度を検出する検出手段と、前記検出手段からの情報にもとづいて前記アルカリ液の濃度を所定の濃度に保つために同アルカリ液にアルカリ剤を注入する手段とを備え、貯留槽内、あるいは貯留槽から排出された前記アルカリ液の濃度を検出し、アルカリ液の濃度が所定値より低下した時は、その情報に基づいて前記アルカリ剤注入手段から所定量のアルカリ剤を前記アルカリ液に注入することにより、前記アルカリ液の濃度を所定値(pH8〜10)に調整するものである。 (もっと読む)


【課題】粉体を供給した後に洗浄から乾燥まで容器の運転を停止せずに連続的に処理することができるコニカルドライヤーとその洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】揺動自在な密閉容器を有し、容器の供給口および排出口に可撓性の供給管および排出管が接続されており、好ましくは、排出口にフィルターが設けられており、上記容器を揺動し、処理物の供給と排出を連続的に行うことができることを特徴とするコニカルドライヤーであり、該コニカルドライヤーを用い、該容器内に連続的に粉体と洗浄液を供給し、容器を揺動して粉体を洗浄した後に、洗浄液を濾過排出して乾燥することを特徴とする洗浄乾燥方法。 (もっと読む)


【課題】含フッ素エーテルからアルコールを十分除去するとともに、含フッ素エーテルが系外へ排出されるのを防ぐことができる物品の水切り方法の提供。
【解決手段】物品をアルコールに接触させるアルコール接触工程3、物品を、1,1,2,2−テトラフルオロエチル−2,2,2−トリフルオロエチルエーテル等の含フッ素エーテルに接触させるエーテル置換工程4、エーテル置換工程4から、アルコールを含んだ含フッ素エーテルを取り出す取出し工程、取出し工程で取り出された、前記アルコールを含んだ含フッ素エーテルに、該含フッ素エーテルの質量に対して、1〜10倍の量の水を接触させる水抽出工程6、含フッ素エーテルと水とを分離させる水分離工程7、水と分離された含フッ素エーテルを、上記エーテル置換工程4に戻す工程を有する物品の水切り方法。 (もっと読む)


【課題】バンプショートの発生を防止して半導体素子の歩留まりを向上させるフラックスの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】フラックス洗浄剤によりウェーハ1を洗浄する洗浄処理工程(A)と、前記洗浄処理後、連続して、液温40℃以上の脱イオン水によりウェーハ1をリンスする第1リンス処理工程(B)と、前記第1リンス処理後、連続して、液温25℃以下の脱イオン水によりウェーハ1をリンスする第2リンス処理工程(C)と、を含む。 (もっと読む)


本発明は、含浸剤組成物の回収法において、含浸された金属部材を、少なくとも1の塩少なくとも0.7質量%を含む塩含有清浄化組成物と接触させることを特徴とする方法に関する。さらに本発明は、含浸剤の回収のための少なくとも1の工程を含む金属部材の含浸法に関する。 (もっと読む)


【課題】Pbフリーハンダフラックスのフラックス残渣に対する洗浄性が向上したハンダフラックス用洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】下記式(I)で表される化合物からなる成分(A)を65〜90重量%、環式炭化水素基を有するモノアミン又はジアミンのアルキレンオキサイド付加物からなる成分(B)を5〜15重量%、及び水を5〜20重量%含有し、成分(A)、成分(B)、及び水の総含有量が99〜100重量%である、ハンダフラックス用洗浄剤組成物。


[上記式(I)において、R1は炭素数1〜8の炭化水素基を示し、R2は水素原子又は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、EO及びPOはそれぞれオキシエチレン基及びオキシプロピレン基を示し、n及びmはそれぞれEO及びPOの平均付加モル数を示し、nは1〜8の数であり、mは0〜7の数であり、n≧mである。] (もっと読む)


本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー2を用いて、処理対象である半導体基板4の下面と化学溶液槽1に収容される化学溶液5の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板4を化学溶液5の上方に放置し、噴射装置3によって半導体基板4の下面に向け化学溶液5を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液5を収容する化学溶液槽1と、半導体基板4を化学溶液5の上方に放置するためのホルダー2と、半導体基板4の下面に向け化学溶液5を噴射するための噴射装置3とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
(もっと読む)


21 - 40 / 72