【課題】半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化物からなる電極は半導体装置の作成工程中に加わる加熱処理により結晶化し易い。結晶化により表面凹凸が大きくなった電極を用いた薄膜素子は、短絡が起こり易く、素子の信頼性が低下してしまう。加熱処理しても結晶化が進まない透光性を有する導電性酸窒化物およびその作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水素原子を不純物添加したインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸窒化物が３５０℃で加熱しても結晶化しない透光性を有する導電膜であることを見いだし、課題の解決に至った。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応でき、Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、ｐ型層１０３上に設けられた第１のゲート絶縁膜１１５、ＴｉＮからなる第１のゲート電極１１６と、及び不純物を含む半導体からなる第１の上部ゲート電極１１７を有するＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０６と、ｎ型層１０２上に設けられた第２のゲート絶縁膜１０９、ＴｉＮ結晶からなり、（１１１）配向／（２００）配向が１．５以上となるＴｉＮ層を少なくとも一部に含む第２のゲート電極１１０、及び不純物を含む半導体からなる第２の上部ゲート電極１１１を有するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上の電流チャネルにおけるスムーズなキャリアの移動を可能とし、高いキャリア移動度を実現する。
【解決手段】 絶縁性基板１０と、絶縁性基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に積層され、ゲート絶縁膜１２に接する界面近傍に電流チャネル１６を有する有機電子材料膜１３と、有機電子材料膜の電流チャネル１６に電流を流すためのソース電極１５およびドレイン電極１４と、を備え、電流チャネル１６に流れる電流を制御するゲート電極１２が、アモルファス金属よりなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１上に強誘電体キャパシタ３７を形成する際、下部電極膜２５の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜２６を形成する。酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜２７の表面モフォロジが良好になる。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】透明電極として、表面平坦性の高い酸化亜鉛基薄膜層が形成された非晶質基材を提供する。
【解決手段】パルスレーザー蒸着法によって、非晶質基材としての溶融石英ガラス基板上に、導電性の酸化亜鉛薄膜を合成する。ターゲットとしてアルミニウムを１％添加した酸化亜鉛焼結体を用いて、高濃度のアルミニウム成分が亜鉛面の表面となる酸化亜鉛の核形成を促すことによって、表面が平坦な亜鉛表面を有する酸化亜鉛薄膜が得られる。この膜はウルツ鉱型の結晶構造を有し、かつ、その表面が亜鉛極性である（０００１）面である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率と消費電力とを向上させる。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０１Ａは、透明基板１０と、透明基板１０上に形成された配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）と、この配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）の少なくとも一部を覆う透明半導体層４４と、配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）および透明半導体層４４の少なくとも一部を覆う透明な絶縁膜と、を備える。配線（Ｌ_Ｇ，Ｌ_Ｄ，Ｌ_Ｐ，Ｌ１，Ｌ２等）は、主配線としての第１メタル配線４１Ｍと、これから分岐する副配線としての透明な配線（４１，４２，４３等）と、を含む。主配線としての第１メタル配線４１Ｍは、少なくとも一部が副配線としての配線（４１，４２，４３等）よりも高い導電性を備えた材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できる銅スパッタリングターゲット材及びスパッタリング方法提供する。
【解決手段】本発明に係る銅スパッタリングターゲット材１０は、一の結晶方位面と他の結晶方位面とを有し、銅材からなるスパッタ面１２を備え、一の結晶方位面は、加速された所定の不活性ガスイオンの照射により他の結晶方位面から弾き出されるスパッタ粒子のエネルギーより大きいエネルギーのスパッタ粒子を放出し、一の結晶方位面と他の結晶方位面との総和に対する一の結晶方位面の占有割合は、１５％以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の損傷を最大限抑制して素子の漏洩電流発生が防止できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のコンタクトホールと、無結晶のポリシリコン膜及びＰＭＤ膜２６を順次に形成してイオンを注入した後、金属配線を形成することによって、第１のコンタクトホールを用いてコーディングするので、その他のコーディング領域が別に必要でなくチップ面積を縮小することができ、ＰＭＤの蒸着前に第１のコンタクトホールを形成するので、半導体基板２０の損傷を減らして漏洩電流が減少し、通常のＲＯＭコーディングとは反対にＯＦＦ特性で反対タイプのイオン注入によりＯＮ特性を有するようにし、金属配線の蒸着時に金属配線層の下部にポリシリコン膜が形成されて金属配線の断絶が最小化できる。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜を含むＦＥＴにおいて、低抵抗金属として高融点金属を用いた場合のイオン注入時のゲートにおけるドーパント突き抜けの問題と、低抵抗金属のグレインサイズの下地依存に起因したＰＭＩＳトランジスタとＮＭＩＳトランジスタとのゲート抵抗の差を解決する。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋ膜４上に形成されるゲート電極を、仕事関数金属膜５とその上部の第一の低抵抗膜６、第二の低抵抗膜７で構成したＭＩＳトランジスタにおいて、仕事関数金属膜５上の、タングステンからなる第一の低抵抗膜６のグレインサイズを前記第一の低抵抗膜６上の第二の低抵抗膜７のグレインサイズより小さくする。 （もっと読む）

【課題】 下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に薄膜キャパシタが配置されている。この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 （もっと読む）

【課題】エポキシ系樹脂等、成膜が困難であった材料上への成膜を可能とするエアロゾルデポジション法を提供すること。
【解決手段】粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末（例えば、Ｃｕ粉末）を、硬化前の基板表面（例えば、半硬化状態のエポキシ系樹脂フィルムの表面）に向けて噴射する第１の工程と、前記粉末が固着した前記基板表面を硬化させる第２の工程（例えば、半硬化状態のエポキシ系樹脂フィルムを加熱して熱硬化させる工程）を具備すること。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ａｌ配線４０を形成する際、バリアメタル４１上に、Ａｌ粒子４０ａが第１の平均粒径となるように第１の条件で第１のＡｌ膜を形成し、次いで、第１の平均粒径より小さい第２の平均粒径となるように第２の条件で第２のＡｌ膜を形成する。その後、第２のＡｌ膜上にバリアメタル４２を形成し、形成後、バリアメタル４１，４２および第１，第２のＡｌ膜を配線パターンに加工する。
【選択図】図９
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【課題】トランジスタ特性を長期安定化して使用することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜２上にアモルファスシリコン膜３を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜３に不純物イオン４をイオン注入する工程と、前記アモルファスシリコン膜３を加工することにより、前記ゲート絶縁膜２上にゲート電極３ａを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）