【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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【課題】導電層を自己整合的に形成する場合において、第１の拡散層コンタクトプラグのコンタクトマージンを比較的大きく取る。
【解決手段】半導体装置１０は、第１のシリコンピラー１４Ａと、第１のシリコンピラー１４Ａの上面に設けられ、導電性材料が充填されたスルーホール３０ａを有する層間絶縁膜３０と、スルーホール３０ａの上側開口部に設けられた第１の拡散層コンタクトプラグＤＣ１とを備え、スルーホール３０ａの下側開口部の面積は前記第１のシリコンピラー１４Ａの上面の面積に等しくなっているとともに、スルーホール３０ａの上側開口部の面積はスルーホール３０ａの下側開口部の面積より大きくなっており、それによって、スルーホール３０ａ内の導電性材料の第１の拡散層コンタクトプラグＤＣ１との接続面の面積が第１のシリコンピラー１４Ａの上面の面積より大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層の表層にイオン注入により環状のイオン注入領域を選択的に形成する工程と、前記イオン注入領域が形成された前記炭化珪素層を活性化アニールする工程と、前記炭化珪素層の表面の全面に犠牲酸化膜を形成する工程と、前記イオン注入領域にあたる前記犠牲酸化膜上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記犠牲酸化膜を除去する工程と、前記フォトレジストと前記犠牲酸化膜をマスクとして前記犠牲酸化膜と前記活性化アニールの際に前記炭化珪素層の表層に形成される変質層を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に達するコンタクトホールを確実に形成し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８を形成する工程と、第１応力膜とエッチング特性が異なる絶縁膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０を用いて、第２領域内の絶縁膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の絶縁膜をサイドエッチングする工程と、第１マスクを用いて第２領域内の第１応力膜をエッチングする工程と、絶縁膜とエッチング特性が異なる第２応力膜を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が絶縁膜上に位置する第２マスクを用いて、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び絶縁膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】従来よりもゲート寸法が縮小され、高周波性能の高い電界効果トランジスタを、均一なゲート寸法でかつ低コストで提供すること。
【解決手段】ゲート電極を形成するための開口部を設ける工程において、投影露光装置を用いて、レジストを露光して前記開口部を作成する際に、露光されるレジストにおいて、該露光により形成される半導体基板上での開口部の幅が、レチクルおよび露光装置の縮小比によって規定されるウエハー上での光束寸法よりも小さな幅として形成されるように、ソース電極およびドレイン電極の厚さを、それぞれ所定の値に設定する。 （もっと読む）

【課題】容易にノーマリオフ特性を向上させることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、一方の主面５ａの一部に凹部１６が形成された窒化物系半導体層３〜５と、一方の主面５ａに設けられたソース電極７と、凹部１６を挟みソース電極７とは反対側であって、一方の主面５ａに設けられたドレイン電極８と、一方の主面５ａの凹部１６を挟み両側に形成され、凹部１６側の壁面１７が傾斜した絶縁層６と、凹部１６の底面１６ａ上及び側面１６ｂ上並びに絶縁層６の凹部１６側の壁面１７上に設けられたゲート電極１０とを備えている。絶縁層６の壁面１７の傾斜角βは、凹部１６の側面１６ｂの傾斜角αよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層を有する半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第２の窒化物半導体層を形成し、前記第２の窒化物半導体層上に窒化物半導体層を積層した積層窒化物半導体層を形成する積層半導体形成工程と、前記犠牲層の表面が露出するまで、前記第２の窒化物半導体層及び前記積層窒化物半導体層をエッチングすることによりトレンチを形成し、前記トレンチ及び前記積層窒化物半導体層表面に接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極の形成された前記基板を電解液に浸漬させ、前記電解液に対し前記接続電極に電位を印加し、前記犠牲層を除去し前記基板を剥離する犠牲層除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】大きなドレイン電圧が印加された場合のドレインリーク電流を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３と、電子走行層３上方に形成され、ＡｌＧａＮを含む電子供給層４及び５と、電子供給層４及び５上に形成され、ＩｎＡｌＮを含むショットキーバリア層６と、が設けられている。ショットキーバリア層６を構成する結晶の格子定数は、電子供給層４及び５を構成する結晶の格子定数よりも大きく、ショットキーバリア層６を構成する材料のバンドギャップは、電子供給層４及び５を構成する材料のバンドギャップよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極との短絡を抑えたセルフアラインコンタクトを有する、製造コストの低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、それぞれ半導体基板２上に形成され、それぞれゲート電極４ａ、４ｂを有し、互いの間のソース・ドレイン領域８ａを共有する隣接したトランジスタ１ａ、１ｂと、ゲート電極４ａ上に形成された絶縁膜１１ａと、ゲート電極４ｂ上に形成された絶縁膜１１ａよりも厚さの厚い領域を有する絶縁膜１１ｂと、ソース・ドレイン領域８ａに接続され、その中心位置がゲート電極４ａ、４ｂの間の中心位置よりもゲート電極４ｂ側に位置するＳＡＣ１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ層の裏面（Ｎ原子面）上に低抵抗なオーミック電極を形成することが可能なオーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オーミック電極１６は、表面１３ａと、この表面１３ａと反対側の裏面１２ｂとを有し、表面１３ａが（０００１）面で、導電型がｎ型であるＡｌＧａＮ層１１の裏面１２ｂに形成されたオーミック電極１６において、オーミック電極１６において裏面１２ｂに接触している領域はＷを含むことを特徴としている。オーミック電極１６の製造方法は、裏面１２ｂに接触する領域にＷおよびＭｏの少なくとも一方を含むオーミック電極１６を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。
【解決手段】まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。最後に、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたｉ−ＧａＮ層２（キャリア走行層）と、ｉ−ＧａＮ層２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ層４（キャリア供給層）と、が設けられている。また、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上に形成されたＴａ膜１１ｓ及び１１ｄと、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄ上に形成されたＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄと、が設けられている。更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体デバイス構造と、高電圧トランジスタを製造するためのプロセスとを提供する。
【解決手段】パワートランジスタデバイスは基板を含み、当該基板は、上に重なっているバッファ層とのＰＮ接合を形成する。パワートランジスタデバイスはさらに、第１の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。ボディ領域は、ドリフト領域から第１の領域を分離する。第１および第２の誘電体領域は、それぞれ、ドリフト領域における対向する横方向側壁部分に隣接する。誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層に達する。第１および第２のフィールドプレートは、それぞれ、第１および第２の誘電体領域に配置される。順方向導通を制御するトレンチゲートは、ボディ領域に隣接し、当該ボディ領域から絶縁された誘電体領域の上方に配置される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】寸法の異なる開口パターンを同時に精度よく被加工材料に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１の膜３、および第１の膜３上の第１の膜３と異なる材料からなる第２の膜４に、小開口パターン１０および大開口パターン１１を形成する工程と、第２の膜４上に、第２の膜４の小開口パターン１０および大開口パターン１１のうち、小開口パターン１０のみを実質的に塞ぐ閉塞膜７を形成する工程と、閉塞膜７を形成した後、第１の膜３の大開口パターン１１の内側側面に選択的に等方性エッチングを施し、第１の膜３の小開口パターン１０および大開口パターン１１のうち、大開口パターン１１の寸法のみを拡げる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）