【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を、透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタの特性を良好にすると同時に、蓄積容量部に形成される金属−絶縁体−半導体構造（ＭＩＳ構造）を解消しキャパシタの値を安定化させることで、フォトマスク工程数を削減しても高い性能を維持できる薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 ４回以下のフォトマスク工程数で作製される薄膜トランジスタ部２１６と、蓄積容量部２１７とを有する薄膜トランジスタアレイ基板において、チャンネルの形成に寄与しない活性半導体層をシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、該ゲート電極層上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に該ソース電極層及び該ドレイン電極層と、ソース電極層及びドレイン電極層上にバッファ層と、該バッファ層上に半導体層とを含む薄膜トランジスタを有し、ゲート電極層と重なる半導体層の一部は、ゲート絶縁層上に接し、且つ、ソース電極層とドレイン電極層の間に設けられ、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、バッファ層はｎ型の導電型を有する金属酸化物を含み、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリア金属として白金を用いた場合でも、酸化膜に接触して覆う金属層の剥がれを抑制することのできるショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリア金属層と外部接続用金属電極との間にバナジウム、クロム、ジルコニウムおよびタンタルから選ばれるいずれかの金属を主成分として含む中間金属層を少なくとも一層は挟む構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに３００ＭＨｚ以上２５００ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を１〜１０００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして生成される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体基板と電極膜との間のコンタクト抵抗が低く、炭化珪素半導体基板から電極膜が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ⁺コンタクト領域６を形成する。炭化珪素半導体基板の表面にパッシベーション膜８を形成し、ｐ⁺コンタクト領域６上のパッシベーション膜８を除去する。ついで、炭化珪素半導体基板の表面に、第１のニッケル膜９、第２のチタン膜１０、第３のニッケル膜１１を順次積層する。ついで、エッチングにより、ｐ⁺コンタクト領域６上にのみ、第１のニッケル膜９および第２のチタン膜１０を残す。ついで、熱処理を行い、ニッケルシリサイドおよびチタンカーバイドからなるコンタクト電極を形成する。ニッケル膜のエッチングには、酸系薬液を用いる。チタン膜のエッチングには、アンモニア水もしくは過酸化水素水を用いる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を設け、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極及びドレイン電極と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素部のＭＯＳトランジスタ上で異なる２層のシリサイドブロック膜の一部が重なるように形成して、白傷、暗電流を低減することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、光電変換部２１を備えた画素部１２とその周辺に形成された周辺回路部１３を有し、画素部１２のゲート電極３２の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第１サイドウォール３３と、周辺回路部１３のゲート電極５２の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第２サイドウォール５３と、光電変換部２１上および画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０の一部上にサイドウォール形成膜で形成された第１シリサイドブロック膜７１と、画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０上に、第１シリサイドブロック膜７１の一部上に重なる第２シリサイドブロック膜７２を有し、第１、第２シリサイドブロック膜７１、７２で画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０上が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】コスト低減の図れるスイッチング素子の基本構造であるＭＩＳ積層構造体およびそれらの作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、少なくとも半導体材料層〔S〕、絶縁材料層〔I〕、および導電性酸化物材料層〔M〕(照射するレーザ光を吸収し、薄膜の少なくとも一部がアモルファス相である導電性酸化物材料層)を順次成膜してMIS積層構成体を形成する成膜工程(a)と、集光した状態のレーザ光を前記導電性酸化物材料層側から照射して該導電性酸化物材料層の一部を熱変化させると共に、MIS積層構成体内部に伝播した熱により前記半導体材料層の一部を熱変化させる熱処理工程(b)と、前記MIS積層構成体の熱変化していない部分をエッチング処理で除去するエッチング処理工程(c)とによりＭＩＳ積層構造体を作製し、これに電極を設けてスイッチング素子とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極３５２あるいはドレイン電極３５３が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物４６からなることを特徴とする。さらに、前記ＴＦＴ電極において、半導体層４５あるいは画素電極３４と、前記ソース電極３５２あるいはドレイン電極３５３とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、液晶ディスプレイなどに使用されるＩＴＯ膜などの透明導電膜のエッチング処理において、シュウ酸インジウムの結晶析出の少ない透明導電膜用エッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、シュウ酸と、アルカリ性化合物（ただし、トリエタノールアミンを除く）とを含む、透明導電膜用エッチング液組成物とすることにより、透明導電膜のエッチング工程においてエッチング液中のインジウムが高濃度であっても、シュウ酸インジウムの結晶析出を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの悪影響の軽減された新たな電子デバイスと新たな電子デバイス製造方法を提供する。
【解決手段】入口９２Ａと出口９４Ａのある複数のピンホール９０Ａを有する誘電領域１４と、下側導電領域１８とを備え、ピンホール９０Ａの少なくともいくつかは出口９４Ａ周辺において出口９４Ａより広い下側導電領域１８のアンダーカット部９６Ａに面する誘電領域１４の張り出し面９８Ａを持たせる （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜を含む絶縁膜及びメタルゲートを有するＭＩＳＦＥＴにおいて、フォトレジストパターンをマスクとして、ｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜にパターン転写するためのドライエッチングをする際、ｈｉｇｈ−ｋ膜およびｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜がプラズマによるダメージを受けるのを防ぐ。
【解決手段】ＳｉＮ膜５および第２のＴｉＮ膜６を加工マスクとして使い、ウェットエッチングによりパターン転写をすることで、ｈｉｇｈ−ｋ膜３およびｈｉｇｈ−ｋ膜３上のゲート電極である第１のＴｉＮ膜４が、プラズマに晒されることによるダメージを受けることを防ぎ、パターン転写の精密性を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】オン電流とオフ電流の適正化を図った薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、チャネル領域と、チャネル領域を挟む領域に形成される２つの不純物領域とを含んで、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴ間の電流を制御する半導体膜Ｓと、ソース電極ＳＴ等と２つの不純物領域との間に介在する２つのオーミックコンタクト層ＤＳと、半導体膜Ｓの略中心となる位置を中心とする一部の領域に積層される絶縁膜ＥＳと、を含み、半導体膜Ｓは、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んで形成され、２つの不純物領域は、絶縁膜ＥＳが形成されない領域に形成され、２つのオーミックコンタクト層ＤＳは、２つの不純物領域を覆うように形成され、ソース電極ＳＴ等は、オーミックコンタクト層ＤＳを覆うように形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる下地の絶縁性層に対してダメージを与えることなく、かつ上部に設けられる有機半導体層に対して良好なオーミックコンタクトが得られるソース電極およびドレイン電極を低コストで得ることを可能にする。
【解決手段】有機絶縁層からなる基板１１と、基板１１上にめっき成膜された層からなるソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第１層１３-1と、第１層１３-1よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり第１層１３-1を覆う状態でめっき成膜されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第２層１３-2と、第１層１３-1および第２層１３-2で構成されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５とを備えた有機薄膜トランジスタ１ａである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＳｒ：０．２〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２と、酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２の上に形成されたＣｕ層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】 画素反射電極に凹凸部を有する半透過型液晶表示装置においては、半透過構造や凹凸形成のため、製造工程数が増大していた。また、凹凸部７ｃを有機樹脂膜により形成した場合、ペーパーホワイト性が低下した。
【解決手段】 ドレイン電極７ｂと画素透過電極７ｄと凹凸部７ｃとが一体として酸化物透明導電材料からなり、凹凸部７ｃにおいては水素プラズマ照射等の手段により還元されている。画素反射電極１２は凹凸部７ｃ上に形成されている。 （もっと読む）