【課題】ゲート電極とのコンタクトのためのコンタクトホールの形成時に、ゲート電極が深く掘り下げられることを防止できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ゲートトレンチ６を有するエピタキシャル層３に、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０を形成する。ゲートトレンチ６には、ゲート電極８を埋設する。エピタキシャル層３には、層間絶縁膜１１を積層する。ゲート電極８と層間絶縁膜１１との間には、エピタキシャル層３とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層１４を介在させる。そして、エッチングにより、ゲート電極８およびボディコンタクト領域１０それぞれとのコンタクトのための、ゲートコンタクトホール１３およびソースコンタクトホール１５を同時に形成する。ゲートコンタクトホール１３は、平面視でエッチングストッパ層１４と重なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化が進んでも半導体装置の信頼性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。これにより、歪シリコン技術を実効あらしめる窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３の引張応力を確保しながら、特に、最上層の窒化シリコン膜ＳＮ３の埋め込み特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗不純物領域（ＨＲＤ
または低濃度不純物領域）を自己整合的に形成する方法を提供する。
【解決手段】ゲイト電極１０５上面にマスク１０６を残し、比較的低い電圧でポーラスな
第１の陽極酸化膜１０７をゲイト電極の側面に成長させる。この陽極酸化膜をマスクとし
てゲイト絶縁膜１０４’をエッチングする。必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の
第２の陽極酸化膜１０８をゲイト電極の側面および上面に形成する。第１の陽極酸化膜を
選択的にエッチングする。不純物ドーピングをおこなうと、ゲイト電極の下部にはドーピ
ングされず、ゲイト電極に近い領域では、不純物濃度の低い高抵抗領域１１１，１１２と
なる。ゲイト電極から遠い領域では、不純物濃度の高い低抵抗領域１１０，１１３となる
。 （もっと読む）

【課題】銅を主成分とするコンタクトプラグを有する半導体装置において、コンタクトプラグに隆起が発生することを防止する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１０２に、金属シリサイド層１０１に到達するコンタクトホール１０３を形成する工程（ｃ）と、コンタクトホールの底面及び側壁に、高融点金属膜１０４を形成する工程（ｄ）と、高融点金属膜上に、銅を主成分とする金属膜１０６Ａを形成し、コンタクトホール内に、高融点金属膜を介して、金属膜が埋め込まれてなるコンタクトプラグ１０７を形成する工程（ｅ）と、第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上に、第２の層間絶縁膜１０８を形成する工程（ｆ）とを備え、工程（ｆ）は、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスを除去する工程（ｆ１）と、工程（ｆ１）の後に、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスが除去された状態で、第２の層間絶縁膜を形成する工程（ｆ２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】電流が、縦方向、横方向、そして縦方向と連続的に流れる半導体装置において
縦方向並びに横方向の電流経路に係る電気抵抗を低減し、高効率、高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板の表面側にドレインを共有するＭＯＳ構造が２つ形成され、かつ、半導体基板の裏面側のＮ＋型ドレイン層７の内部に、一方のＭＯＳ構造のドレイン領域から他方のＭＯＳ構造のドレイン領域まで、延在して形成された複数の堀状の開口部４を有する。堀状の開口部４はＮ＋型ドレイン層７の内部の、Ｎ＋型ドレイン層７とＮ−型エピ層８の境界近傍まで、深く形成されている。そして、堀状の開口部４の中には裏面電極５と電気的に接続された、Ｎ＋型ドレイン層７に比べて抵抗の低い、金属電極６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置を駆動させるためのトランジスタとして量子細線を用いた場合に、小型
化および薄型化をより図ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置１００は、ガラス基板６の表面から上方（矢印Ｚ１方向側）に
向かって延びるように形成された凸部７１（７２）を含むゲート電極７と、ゲート電極７
の凸部７１（７２）と平面的に見て重なるとともに、ゲート電極７上にゲート絶縁膜８を
介して形成される量子細線９と、量子細線９にそれぞれ接続されるソース電極１１および
ドレイン電極１２とを含む量子細線トランジスタ５を備える。また、ゲート電極７の凸部
７１（７２）と量子細線９との間の距離ｔ１は、ゲート電極７の凸部７１（７２）以外の
部分と量子細線９との間の距離ｔ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 構造を複雑化させることなく、サージ電流によるスイッチング素子の破壊を抑制することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１において、活性層５に第１ディープトレンチ６を形成する。アクティブ領域９には、ボディ領域１１とドリフト領域１２とを形成する。ボディ領域１１の表層部には、ソース領域１３を形成する。ドリフト領域１２の表層部には、ドレイン領域１５を形成する。また、フィールド領域１０には、第２ディープトレンチ２０を形成する。第２ディープトレンチ２０の内側面を１対のシリコン酸化膜２１で被覆し、その内部をポリシリコン２２で埋め尽くす。そして、第１、第２ディープトレンチ６，２０間の第１半導体領域２３をソース領域１３に電気的に接続する。また、第２ディープトレンチ２０外の第２半導体領域２８をドレイン領域１５に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜破壊が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極給電用シリコンピラー５の表面を覆うゲート電極８と重なる位置に設けられたコンタクトホール１３を備え、コンタクトホール１３には、コンタクトホール１３の底部から少なくともゲート電極８の上面よりも上方まで充填されたゲートリフトポリシリコン１４と、ゲートリフトポリシリコン１４上に配置されたゲートコンタクト１５とが設けられていることを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弊害なく半導体装置の高耐圧化、耐圧安定化、電極の電位安定化、耐圧保持領域のシュリンクなどに活用される半絶縁性膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体基板表面にＰ型領域を形成する工程と、該Ｐ型領域上にＡｌ電極を形成する工程と、該Ａｌ電極と接し、Ａｌと比較してＳｉと反応しづらい物質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にＳｉを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】急峻な不純物濃度のプロファイルを有するソース領域およびドレイン領域を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面近傍に不純物を注入して不純物注入領域を形成する工程と、前記半導体基板にエッチングを施すことにより前記不純物注入領域の底部よりも深い溝を形成し、前記不純物注入領域を分断してソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、前記溝の内部にＳｉ系単結晶をエピタキシャル成長させてエピタキシャル結晶層を形成する工程と、前記エピタキシャル結晶層の上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】下地となるサイドウォールにダメージを与えることなく外側のサイドウォールを除去可能で、これにより狭スペース化したゲート電極間に自己整合的にソース／ドレインに達する接続孔を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート構造体Ａを形成し、さらにノンドープシリコン系絶縁膜１１と、不純物ドープ窒化シリコン膜１３と順に成膜する。これらの膜１１，１３を異方性エッチングし、ゲート構造体Ａの側壁に第１サイドウォール１１ａと第２サイドウォール１３ａとを形成する。半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性化のための光照射による急速加熱を行っても、ゲート電極と層間絶縁膜の界面剥離や、被照射物に損傷を与えることのない半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板２上に半導体層５を形成する工程、半導体層５上にゲート絶縁膜６を形成する工程、ゲート絶縁膜６上に高融点金属膜を成膜する工程、高融点金属膜上にチタン膜を成膜する工程、高融点金属膜及びチタン膜をパターン状に加工し、ゲート電極８を形成する工程、ゲート電極８をマスクとして半導体層５に不純物を注入する工程、ゲート電極８を覆うように層間絶縁膜９を形成する工程、層間絶縁膜９上に半導体層５より高い融点を有する金属からなる光吸収膜１０を形成する工程、光吸収膜１０に光を照射し、光吸収膜１０が光を吸収することで生じた熱により半導体層５中の不純物を活性化する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣウェハの表面状態の悪化を抑制しつつ、十分な熱処理を実施することが可能な半導体装置の製造方法、および当該製造方法により製造されることにより、優れた特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴの製造方法は、炭化珪素からなるウェハ３を準備する工程と、ウェハ３を加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。そして、活性化アニール工程では、ウェハ３の主面に沿って、ＳｉＣ基板６１が配置された状態で、ウェハ３が加熱される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属ゲートを形成した後に形成される絶縁膜中の水素の影響を抑制して、しきい値電圧Ｖthを所望の値（例えば０．３Ｖ）以下にすることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上に第１絶縁膜４１が形成され、第１絶縁膜４１に溝部４２が形成され、溝部４２の第１絶縁膜４１側の半導体基板１１上にサイドウォールスペーサ３１が形成され、溝部４２内にゲート絶縁膜２１を介してゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２の両側の半導体基板１１にエクステンション領域２３，２４を介してソース・ドレイン領域２５，２６が形成され、第１絶縁膜４１上にゲート電極２２上を被覆する第２絶縁膜４３を有し、サイドウォールスペーサ３１は水素の通過を阻止する絶縁膜からなり、ゲート電極２２上に水素の通過を阻止する水素バリア膜３３が形成され、水素バリア膜３３はゲート電極２２上の周囲でサイドウォールスペーサ３１と接続されている。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。
【解決手段】減圧処理室２０４と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内に、半導体基板を載置して保持する試料台２０５と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、生成したプラズマにより前記半導体基板にプラズマエッチング処理を施す半導体加工方法において、前記試料台上に、ＨｆあるいはＺｒを含む高誘電率絶縁膜、ＴｉあるいはＴａを含む仕事関数制御金属導体膜、およびレジストを順次形成した半導体基板２０６を載置し、前記レジストを用いて前記導体膜をエッチング加工するに際して、前記試料台にオンオフ変調された基板バイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

常時オフ半導体デバイスが提供される。ＩＩＩ族窒化物バッファ層が提供される。ＩＩＩ族窒化物バリア層がＩＩＩ族窒化物バッファ層上に設けられる。非伝導性スペーサ層がＩＩＩ族窒化物バリア層上に設けられる。ＩＩＩ族窒化物バリア層およびスペーサ層がエッチングされてトレンチを形成する。トレンチはバリア層を貫いて延びてバッファ層の一部を露出させる。誘電体層がスペーサ層上およびトレンチ内に形成され、ゲート電極が誘電体層上に形成される。半導体デバイスの形成に関連する方法も提供される。
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