【課題】本発明は、電界集中を緩和することで十分なサージ電流耐性を有した半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、炭化珪素からなる第１導電型の半導体層としてのｎ型半導体層１と、ｎ型半導体層１表層において、ショットキーダイオードの素子領域を平面視上囲んで形成された、第２導電型の第１不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ａと、ｎ型半導体層１表層において、素子領域を、少なくともｐ＋＋型半導体層５ａの平面視上外側から囲んで形成された、第２導電型の第２不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ｂと、ｐ＋＋型半導体層５ａ表層まで延設して素子領域上に形成されたアノード電極３とを備え、ｐ＋＋型半導体層５ａの不純物濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧が高く、オン抵抗を増加させることなく、ノーマリーオフとなる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１の上に形成された第１の半導体層１３と、前記第１の半導体層の上に形成された第２の半導体層１４と、前記第２の半導体層の上に形成された第３の半導体層１５と、前記第３の半導体層の上に形成されたゲート電極２１と、前記第２の半導体層に接して形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３と、を有し、前記第３の半導体層には、半導体材料にｐ型不純物元素がドープされており、前記第３の半導体層は、前記ゲート電極の端部より、前記ドレイン電極が設けられている側に張出している張出領域を有していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く、かつ、リーク電流が効果的に低減された窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板２１０と、ベース基板の上方に形成されたバッファ層２８０と、バッファ層２８０上に形成された活性層２９０と、活性層の上方に形成された少なくとも２つの電極２９２および２９４とを備え、バッファ層２８０は格子定数の異なる複数の窒化物半導体層を含む複合層を１層以上有し、複合層の少なくとも１層は、複数の窒化物半導体層のうち格子定数が最も大きい窒化物半導体層のキャリア領域に予め定められた濃度の炭素原子及び予め定められた濃度の酸素原子が意図的にドープされている窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、デバイス特性の劣化（化学的・物理的変化）を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】本発明による化合物半導体装置では、化合物半導体層２上を均質な同一材料（ここではＳｉＮ）からなり誘電率が一様な第１の保護膜６が覆い、第１の保護膜６の開口６ａの一端部分に酸素を含有する保護部、ここでは当該一端部分を覆う酸化膜である第２の保護膜７ａが形成されており、開口６ａを埋め込み第２の保護膜７ａを包含するオーバーハング形状のゲート電極８が形成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタのしきい値電圧がより容易に制御できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたＧａＮからなる緩衝層１０２と、緩衝層１０２の上に形成されたＡｌＧａＮからなる障壁層１０３と、障壁層１０３の上に形成されたゲート電極１０４とを備える。また、障壁層１０３の上にゲート電極１０４を挟んでゲート電極１０４とは離間して形成されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６を備える。加えて、障壁層１０３とゲート電極１０４との間に形成されたＩｎＡｌＮからなるキャップ層１０７を備える。 （もっと読む）

【課題】終端領域の耐圧が高い電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る電力用半導体装置は、第１電極と、前記第１電極上に設けられ、その上面におけるセル領域と終端領域との境界を含む領域に終端トレンチが形成された半導体基板と、前記終端トレンチの内面上に設けられた絶縁部材と、を備える。前記半導体基板は、前記第１電極に接続された第１導電形の第１部分と、第１導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第１部分の実効的な不純物濃度よりも低い第２部分と、前記セル領域における前記第２部分上に設けられ、前記第２電極に接続された第２導電形の第３部分と、前記第３部分上に選択的に設けられ、前記第２電極に接続された第１導電形の第４部分と、を有する。そして、前記セル領域から前記終端領域に向かう方向において、前記絶縁部材は、前記第３部分と前記第２部分との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】４°以下のオフ角を有するＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成され、その表面１０に０．５ｎｍ以上の高さのステップバンチング９が形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ステップバンチング９の線密度を４０ｃｍ^−１以下にする。 （もっと読む）

【課題】高集積化が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電形の半導体基板の上面に複数本のトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチ内の下部にゲート電極を埋め込む工程と、前記トレンチ内の上部に絶縁部材を埋め込む工程と、前記半導体基板の上層部を除去することにより、前記半導体基板の上面から前記絶縁部材を突出させる工程と、前記突出した絶縁部材を覆うように、マスク膜を形成する工程と、前記マスク膜における前記絶縁部材の側面上に形成された部分をマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入することにより、第２導電形のキャリア排出層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ型のＨＥＭＴ構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、窒化物半導体からなる電子走行層３と、電子走行層３に積層され、電子走行層３とはＡｌ組成が異なり、Ａｌを含む窒化物半導体からなる電子供給層４と、電子供給層４と電子走行層３との界面に連続する界面を有し、電子走行層３上に形成された酸化膜１１と、酸化膜１１を挟んで電子走行層３に対向するゲート電極８とを含む。 （もっと読む）

【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体層２と、が設けられている。化合物半導体層２には、第１の不純物の活性化により発生した第１導電型のキャリアを含む第１の領域２ａと、第１の不純物と同一種類の第２の不純物の活性化により発生したキャリアを、第１の領域２ａよりも低濃度で含有する第２の領域２ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（パワーＭＩＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】半導体層１０３を挟んでゲート電極１０５とドレイン電極１０２を形成し、ゲート電極１０５の側面に半導体層１０９を形成し、ゲート電極１０５の頂上部と重なる部分で、半導体層１０９とソース電極１１２が接する構造を有する。このようなパワーＭＩＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の間に５００Ｖ以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極１０５に制御用の信号を入力して使用する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の少ないダイオードを提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜ｘ＜１）またはＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）からなる第１の半導体層２と、第１の半導体層の同一面上に、ノンドープ、ｎ型又はｐ型のＧａＮからなる第１の電子誘起領域１、絶縁膜５とアノード電極７と、第１の電子誘起領域上にカソード電極を備え、第１の電子誘起領域、絶縁膜とアノード電極は第１の半導体層と接合し、絶縁膜は第１の半導体領域とアノード電極の間で、第１の半導体層と接合し、アノード電極と第１の半導体層との接合はオーミック接合であり、カソード電極と第１の電子誘起領域との接合はオーミック接合であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成されたデバイスに対して、低温の熱工程にて良好なオーミック特性を備える電極を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、炭化珪素（ＳｉＣ）で形成されるｎ型不純物領域上およびｐ型不純物領域上に金属シリサイド膜を形成し、ｎ型不純物領域上の金属シリサイド膜中にリン（Ｐ）をイオン注入し、第１の熱処理を行い、ｐ型不純物領域上の金属シリサイド膜中にアルミニウム（Ａｌ）をイオン注入し、第１の熱処理よりも低温の第２の熱処理を行う （もっと読む）

【課題】 この実施の形態は、ＳｉＣ半導体基板上に形成されたｎ型半導体領域とｐ型半導体領域を形成した半導体装置において、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域の両領域にまたがって、単一の金属電極用いて同時コンタクトを形成することを目的としている。
【解決手段】 この実施の形態の半導体装置は、導電性材料を用いた第１の電極２４０に、導電型がｐ型の第１の炭化珪素（ＳｉＣ）半導体部２２０と、導電型がｎ型の第２のＳｉＣ半導体部２３０とが接続され、前記第１の電極と前記第１の界面部において炭素（Ｃ）の面密度がピークになるようしている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用いて形成され、金属シリサイド膜と金属電極との密着性の向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、炭化珪素と、炭化珪素上に形成され、第１の層、第１の層よりも低い炭素比率を有する第２の層を備える金属シリサイドと、金属シリサイド上に形成される金属電極を備え、第２の層が第１の層上に形成され、第２の層が金属電極に接し、第２の層中の金属シリサイドの平均粒径が、第１の層中の金属シリサイドの平均粒径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ソース領域に３Ｃ−ＳｉＣ構造のＳｉＣを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１のｎ型炭化珪素層と、第１のｎ型炭化珪素層よりもｎ型不物濃度の低い第２のｎ型炭化珪素層を有する半導体基板と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される第１のｐ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される４Ｈ−ＳｉＣ構造の第１のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成され、第１のｎ型不純物領域よりも深さの浅い３Ｃ−ＳｉＣ構造の第２のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層、第１のｐ型不純物領域、第１のｎ型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第１のｎ型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第１のｎ型不純物領域との間に第２のｎ型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】電極端部への電界集中を抑えるとともに、ゲート電極の変形や、ゲート−フィールドプレート間に生じる容量による特性劣化を抑える。
【解決手段】半導体装置において、第１の基板と、第１の基板表面に形成された素子領域と、素子領域と接続され、第１の基板上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、第１の基板と、第１の面で積層される第２の基板と、第２の基板を貫通し、電極上に配置されるビアホールと、ビアホール内に形成され、電極と接続される金属層と、第２の基板に設けられ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のいずれかと接続されるフィールドプレート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このＧａＮ ＨＦＥＴによれば、ボンディング部１６Ｂの第２のパッド部１６Ｂ‐２は、電極接続部１６Ａが含有する複数の接続部分１９のうちの第２の方向(ソース電極１２とドレイン電極１１が対向している方向)の一端に配置された接続部分１９の上記第２の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線Ｌ１に関して第１のパッド部１６Ｂ‐１とは反対側に位置している。第２のパッド部１６Ｂ‐２に接続された第２のソース配線２４のボンディング箇所の第２の方向の位置を電極接続部１６Ａのソース電極１２との接続部分１９の第２の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極１２からの電流が第２のソース配線２４に流れにくくできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストを低減し、さらにゲート電極およびゲートコンタクトの抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ゲート電極７の少なくとも上層は、第２金属シリサイド膜としてのＷＳｉｘ膜７２からなり、第１金属シリサイド膜としてのＮｉＳｉ₂膜１８に含まれる第１金属（Ｎｉ）とシリコンとの結合エネルギーが、ＷＳｉｘ膜７２に含まれる第２金属（Ｗ）とのシリコンとの結合エネルギーよりも小さく、ＷＳｉｘ膜７２の組成ＭＳｉｘ（Ｍは第２金属を示す）において、ｘが１．５以上２．０未満であることを特徴とする。 （もっと読む）