【課題】シリコン基板直上の窒化アルミニウム層の平坦性が低いことに起因する信頼性の低下が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板上に配置された、不純物としてシリコンがドープされた領域を有する窒化アルミニウム層２０と、窒化アルミニウム層上に配置された、複数の窒化物半導体膜が積層された構造のバッファ層３０と、バッファ層上に配置された、窒化物半導体からなる半導体機能層４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン３をマスクとして絶縁膜２をドライエッチングすることにより開口部４を形成する。絶縁膜２のドライエッチングの際に開口部４の内面に付着した反応生成物５に波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、反応生成物５に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部４の内面に残存している付着物６を除去する。付着物６が除去された開口部４内に導電膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入が抑えられるとともに、比較的均質な形状及び大きさに生成された金属のナノ粒子を含むナノ粒子インクで被印刷体にパターンの転写を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】印刷装置１は、基板Ｗを保持する載置ステージ２０と、金属のイオンを含んだイオン溶液を供給する溶液供給部３０と、イオン溶液を通過させる溶液通過層１００を備える版胴１０と、を備える。溶液通過層１００はナノメートルオーダーの空孔が分布した多孔質材料によって形成されたナノ多孔質層１１２を備える。イオン溶液はナノ多孔質層１１２を通過することによって金属のナノ粒子を含むナノ粒子溶液に変化する。版胴１０は、溶液通過層１００の外側に形成された転写面１１３５から滲出したナノ粒子溶液の所定のパターンを基板Ｗに転写する。 （もっと読む）

【課題】接合障壁ショットキーダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の導電型を有する半導体層と、この半導体層上にあり、半導体層と共にショットキー接合部を形成する金属接点と、半導体層内に半導体領域とを含んでいる。半導体領域と半導体層とが、第１のｐ−ｎ接合部を、ショットキー接合部と並列に形成する。第１のｐ−ｎ接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、ショットキー接合部に隣接する半導体層内に空乏領域を発生させるように構成され、それによってショットキー接合部を通る逆漏れ電流が制限される。第１のｐ−ｎ接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、第１のｐ−ｎ接合部のパンチスルーが、ショットキー接合部の降伏電圧よりも低い電圧で起こるように構成される。 （もっと読む）

【課題】銅めっき工程の電極に用いるＣｕ堆積膜による貫通孔開口の閉塞状態を適切に制御できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、貫通孔が形成された基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂを格納する真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ３６と、基板３４Ｂに印加する電力を発生する電源８０と、基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂ間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備える。銅放出源３５Ｂから放出された銅材料を基板３４Ｂの一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】逆方向リーク電流および閾値電圧を低減することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面１２および裏面１１を有するＳｉＣエピタキシャル層６の表面１２に接するように、アノード電極２７をショットキー接合させる。そして、ショットキーバリアダイオード１の閾値電圧Ｖ_ｔｈを０．３Ｖ〜０．７Ｖにし、定格電圧Ｖ_Ｒにおけるリーク電流Ｊ_ｒを１×１０^−９Ａ／ｃｍ^２〜１×１０^−４Ａ／ｃｍ^２にする。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを十分に抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上方に形成されたゲート電極３、及び平面視でゲート電極３を間に挟む２個のオーミック電極４ａ及び４ｂと、が設けられている。更に、ゲート電極３上方に形成され、ゲート電極３並びにオーミック電極４ａ及び４ｂから絶縁分離されたフィールドプレート６が設けられている。フィールドプレート６のオーミック電極４ａ及び４ｂを互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部は、平面視で、オーミック電極４ａ及び４ｂとゲート電極３との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】二酸化珪素からなる層間絶縁膜を挟んでアルミニウムを含む電極とゲート電極とを配置した場合に、当該アルミニウムを含む電極とゲート電極とが短絡することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法は、活性層７上にゲート酸化膜９１を形成する工程と、ゲート酸化膜９１上にゲート電極９３を形成する工程と、活性層７に対してオーミック接触するソースコンタクト電極９２を形成する工程と、ソースコンタクト電極９２が形成された後、ゲート電極９３を覆うように二酸化珪素からなる層間絶縁膜９４を形成する工程とを備え、ソースコンタクト電極９２を形成する工程は、活性層７に接触するようにアルミニウムを含む金属層を形成する工程と、金属層を合金化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム上に搭載された窒化物ＦＥＴを備えスイッチング特性に優れた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物ＦＥＴと、複数のリードを含むリードフレームと、を備え、前記窒化物ＦＥＴは少なくとも第１の主電極と第２の主電極と制御電極とを有し、前記リードフレームは、前記第１の主電極に接続される第１のリードと、前記第２の主電極に接続される第２のリード及び第３のリードと、前記制御電極に接続される第４のリードと、を有し、前記窒化物ＦＥＴは、前記第３のリードと前記第４のリードとの間に印加される電圧に応じて前記第１のリードと前記第２のリードとの間に電流を流すことを特徴とする窒化物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高性能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第１の方向に積み重ねられる第１及び第２のメモリセルＭＣを有し、第２の方向に延びるフィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３と、フィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３の第２の方向の一端に接続され、第３の方向に延びる梁５とを備える。フィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３及び梁５は、それぞれ、第１の方向に積み重ねられる第１及び第２の半導体層２ａ，２ｂを備え、梁５は、第３の方向の一端に第１及び第２の半導体層２ａ，２ｂに対するコンタクト部を有し、かつ、梁５とフィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３の接続部からコンタクト部まで延びる低抵抗領域８を有する。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜を成膜する際に半導体ウェーハがエッチングされることを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】 実施形態に係る成膜装置は、半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第１のエッジカット部と、前記第１のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第２のエッジカット部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲートラストプロセスの工程数を削減しつつ、所望の信頼性及び特性が得られるメタルゲート電極を備えたＭＩＳＦＥＴを実現できるようにする。
【解決手段】各ゲート溝の少なくとも底面上にゲート絶縁膜１１２及び保護膜１１３が順次形成されている。一方のゲート溝内の保護膜１１３の上には第１の金属含有膜１１４ａ及び第２の金属含有膜１１４ｂが順次形成されており、他方のゲート溝内の保護膜１１３の上には第２の金属含有膜１１４ｂが形成されている。一方のゲート溝内の保護膜１１３の厚さと比べて、他方のゲート溝内の保護膜１１３の厚さは薄い。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、窒化物半導体層のクラックがほとんどなく、表面の粗度が極めて優秀であるので、全体的な安定性の向上された窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】本実施形態の窒化物系半導体素子は、基板と、前記基板上に形成されるアルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉ_ｘＣ_１−ｘ）前処理層と、前記前処理層上に形成されるＡｌがドーピングされたＧａＮ層と、前記ＡｌがドーピングされたＧａＮ層上に形成されるＡｌＧａＮ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流を抑えることができるダイオードの製造方法およびダイオードを提供する。
【解決手段】第１の面Ｓ１と、単結晶炭化珪素から作られた第２の面Ｓ２とを有する半導体基板１０が準備される。第２の面Ｓ２上に、複数の開口部ＯＰを有し、酸化珪素から作られたマスク層１１が形成される。複数の開口部ＯＰのそれぞれは、第２の面Ｓ２に含まれる複数の領域ＥＲを露出する。複数の領域ＥＲのそれぞれの上におけるエピタキシャル成長により複数のダイヤモンド部１２が形成される。エピタキシャル成長は複数のダイヤモンド部１２が互いに接触する前に停止される。複数のダイヤモンド部１２の各々の上にショットキー電極１３が形成される。第１の面Ｓ１上にオーミック電極１６が形成される。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の第１主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】白金（Ｐｔ）化合物の薄膜を、他の部材を過度に酸化・腐食することなしに除去する半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液を提供する。
【解決手段】白金化合物の薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、前記半導体基板に前記薄膜除去液を適用して前記白金化合物の薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、前記薄膜除去液が、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、及び水を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、高電力を印加した際も使用中の異常放電の頻度を減少し、スプラッシュ等の発生を抑制する、スパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度９９．９９％以上の純銅からなり、ターゲット内部のボイドおよび介在物欠陥の平均サイズが３０μｍ以下であり、且つ、欠陥の数が、スパッタリングに供する面の単位面積辺り、１０個／ｍ^２であることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板５０上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、ゲート電極２０およびハードマスク３４を順に積層してなる積層体１０を形成する工程と、積層体１０をマスクとして、半導体基板５０にイオン注入を行う工程と、積層体１０の側面上に保護膜４４を形成する工程と、エッチングによりハードマスク３４を除去する工程と、エッチングにより保護膜４４を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】互いに隣接する２つの半導体層どうしの境界部分において、電界集中を緩和し、絶縁耐圧を改善することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１半導体層１１の露出面１１ａ、第２半導体層１２の一面１２ａ、および第３半導体層１３Ａ，１３Ｂの表面１３Ａａ，１３Ｂａの互いの境界で段差が実質的に無くなるように形成することで、露出面１１ａ、一面１２ａ、および表面１３Ａａ，１３Ｂａからなる平面Ｑ上に、段差無く平坦なゲート酸化膜１６が形成できる。
これにより、ゲート酸化膜１６の特定部分に電界が集中し、ゲート絶縁耐圧の低下などゲート酸化膜１６の機能を大きく損なうことがない。 （もっと読む）