【課題】放熱性に優れ、かつ成形が容易な封止材を備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージの封止材４が、熱硬化性樹脂組成物に、該熱硬化性樹脂組成物に対して容量比で７０：３０〜５：９５の範囲にある無機酸化物フィラーが分散されてなる熱伝導性樹脂組成物であって、該無機酸化物フィラーが、容量比で５：９５〜４０：６０の範囲にある酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末とを含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの主面に電極となる導体部材を容易に露出させることが可能な構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１における素子形成面１ａ及び裏面１ｂに第１導体部材３及び第２導体部材５をそれぞれはんだ付けし、これらを封止部材９にて樹脂封止して作製される半導体装置において、第１導体部材は、半導体チップ等の積層方向５１に伸縮可能なばね構造３ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】ケースの薄型化に寄与しうる半導体パワーモジュールを提供する。
【解決手段】この発明の半導体パワーモジュール１は、半導体チップ５、ケース２、ボルト１０、端子板７およびナット１１を有する。ケース２は、半導体チップ５を覆うように配置される。ボルト１０は、頭部がケース２に埋設され、軸部１０Ａがケース２外面から突出する。端子板７は、半導体チップ５および外部導体９に接続される。ナット１１は、ボルト１０の軸部１０Ａに螺合され、外部導体９を端子と共にケース２外面に固定する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスチップの３Ｄ積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】三次元集積回路用の層間充填材組成物が、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である樹脂（Ａ）及びフラックス（Ｂ）を含有し、フラックス（Ｂ）の含有量が樹脂（Ａ）１００重量部当たり０．１重量部以上１０重量部以下であるか、又は、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であって、熱伝導率が０．２Ｗ／ｍＫ以上である樹脂（Ａ）と、熱伝導率が２Ｗ／ｍＫ以上、体積平均粒径が０．１μｍ以上５μｍ以下、かつ、最大体積粒径が１０μｍ以下である無機フィラー（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）及び／またはフラックス（Ｂ）とを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び高い熱伝導率を有する硬化物の得られるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）下記式（３）


で表される化合物の一種以上とヒドロキシベンズアルデヒドとの反応によって得られるヒドロキシル化物に、エピハロヒドリンを反応させて得られるエポキシ樹脂、（ｂ）カテコールノボラック、レゾルシンノボラック、ハイドロキノンノボラック、ナフタレンジオール、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ビフェノール及びジヒドロキシフェニルエーテルからなる群から選ばれる１種以上の硬化剤及び（ｃ）熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填材を含有してなるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で放熱性に優れた配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、第１主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板であって、前記電子部品搭載領域に搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板と、前記放熱板の第１の面を前記第１主面の前記電子部品搭載領域に露出するように、前記放熱板を被覆する封止樹脂と、前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子と、配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に、外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子と、を有し、前記封止樹脂は、前記配線の少なくとも前記第１主面側及びその反対面である第２主面側、前記端子面を除く前記内部接続端子、及び前記端子面を除く前記外部接続端子、を被覆し、前記放熱板の前記第１の面、前記内部接続端子の前記端子面、及び前記外部接続端子の前記端子面は、前記第１主面側の同一平面上に露出している。 （もっと読む）

【課題】低温短時間で硬化し、充填性に優れ、強靭性及び熱伝導性に優れた硬化物を与え、さらにリペア・リワーク性に優れるオーバーコート材及び該それにより封止したパッケージを備えた半導体装置を提供。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂１００質量部、（Ｂ）フェノール系硬化剤５〜９５質量部、（Ｃ）硬化促進剤１０〜１５０質量部、（Ｄ）重量平均粒子径１５μｍ以上３０μｍ未満の粒子を５０〜７５質量％、５μｍ以上１５μｍ未満の粒子を１５〜２５質量％、及び２μｍ以下の粒子を１０〜２５質量％含む熱伝導性充填材（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して２００〜１０００質量部、及び、（Ｅ）１分子中に１つのエポキシ基を有する希釈剤５０〜２００質量部を含有し、（Ａ）成分及び（Ｅ）成分中のエポキシ基／（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基が１．３〜３．０（モル当量比）であるオーバーコート材、及び半導体装置。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性、難燃性、強度、成形性が良好で、成形時の金型からの離型性、バリの抑制に優れた環境対応型の封止用エポキシ樹脂組成物、およびそのような組成物を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノールノボラック樹脂、（Ｃ）トリフェニルホスフィン、（Ｄ）平均粒径１０〜３０μｍの結晶シリカ７０質量％以上、平均粒径３．０μｍ未満の結晶シリカ１０質量％以下、平均粒径３．０μｍ未満の溶融球状シリカ５〜１５質量％、および平均粒径５〜１５μｍの溶融球状シリカ５〜１５質量％からなる混合物、（Ｅ）ホスファゼン化合物、並びに（Ｆ）金属水和物および／またはホウ酸金属塩を必須成分とし、（Ｄ）成分の組成物全体に対する割合が７０〜８５質量％である封止用エポキシ樹脂組成物、また、そのような組成物の硬化物によって半導体素子を封止してなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により、ケース内の防水性を高めると共に、動作時に相対的に大きな熱量を発生する電子部品から残余の電子部品に対して不要な熱を伝えることを抑制できる電子制御装置を提供する。
【解決手段】複数の電子部品１０、１２と、複数の電子部品を実装した基板２０と、複数の電子部品を実装した基板を収容するケース３０と、複数の電子部品及び基板を外部から封止すると共に、ケースに伝熱自在なように、ケースの内部に充填された充填樹脂４０と、を備え、ケースの熱伝導率が、充填樹脂の熱伝導率よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】ハーフモールド構造を有する電子装置において、ヒートシンクと放熱部材との接触を適切に確保する。
【解決手段】回路基板１０をその第１の板面１１にてヒートシンクの第１の板面３１に接着したものを、モールド樹脂４０により封止するとともに、ヒートシンク３０の第２の板面３２をモールド樹脂４０より露出させ、このヒートシンク３０の第２の板面３２に放熱部材７０の一面７１を接触させてなる電子装置において、モールド樹脂４０のうち回路基板１０の他方の板面１２側に位置する部位の厚さＴ１を、モールド樹脂厚さＴ１としたとき、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、１．８以上である。 （もっと読む）

【課題】ノンハロゲンかつノンアンチモンで、難燃性、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性に優れ、ＶＬＳＩの封止用に好適な封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）水酸化マグネシウムを含有し、（Ｃ）水酸化マグネシウムがシリカにて被覆されているものを含む封止用エポキシ樹脂成形材料。 （もっと読む）

【課題】封止する樹脂における半導体素子及び導電部材に至るクラックの発生を防止するとともに導電部材及び放熱部材の間の絶縁を確実に行うことを可能にする放熱部材付き半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】放熱部材付き半導体装置１０１は、半導体チップ１と、ダイパッド部２ａと、ヒートシンク３と、ダイパッド部２ａ及びヒートシンク３の間に間隙ｇ１を形成し且つ同様の構成を有する第一樹脂ブロック１０及び第二樹脂ブロック２０とを備える。第一樹脂ブロック１０は、第一樹脂材料からなる第一樹脂層１１、第三樹脂層１３と、第二樹脂材料からなる第二樹脂層１２とを有し、第一樹脂層１１はダイパッド部２ａと接触し、第二樹脂層１２はダイパッド部２ａと接触しない。なお、第一樹脂材料は、第二樹脂材料より低い融点を有している。さらに、放熱部材付き半導体装置１０１は、第一樹脂材料からなる封止用樹脂４で樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を樹脂モールドした後に基板の加工を行なうことなく放熱部材を半導体素子の近傍に配置することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子１４が搭載された下基板１２の上に、スペーサ部材１８を介した上基板２０を接続する。上基板２０の裏面からは、放熱部材２４の底面２４ｂを含む部分が突出している。上基板２０と下基板１との間の空間にモールド樹脂２２を充填して、半導体素子１４を樹脂モールドする。放熱部材２４の底面２４ｂは、モールド樹脂２２に密着している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性を維持しつつパッシベーション膜のクラック発生を抑制するとともに、成形性にも優れた樹脂封止が可能な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記Ａ〜Ｅ成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置である。
Ａ：エポキシ樹脂
Ｂ：下記ｂ１成分およびｂ２成分を含み、ｂ１成分およびｂ２成分の重量比率が、ｂ１／ｂ２＝５／９５〜２５／７５であるシリコーン混合物
ｂ１：重量平均分子量が６００〜９００であり、両末端にアミノ基を有するシリコーン化合物
ｂ２：重量平均分子量が１００００〜２００００であり、両末端にアミノ基を有するシリコーン化合物
Ｃ：フェノール樹脂
Ｄ：硬化促進剤
Ｅ：下記ｅ１成分およびｅ２成分を含む無機質充填剤
ｅ１：結晶性シリカ
ｅ２：溶融シリカ （もっと読む）

【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が約２００℃以上で、熱膨張率が小さく、放熱性に優れる樹脂複合組成物およびこれを用いた半導体封止材ならびに基板を提供する。
【解決手段】下式


（式中、Xは−CH₂−、−C(CH₃)₂−、又は−SO₂−を表す。）で表されるベンゾオキサジン誘導体とエポキシ樹脂と無機フィラーを有する樹脂複合組成物であって、ベンゾオキサジン環に対する該エポキシ樹脂が有するエポキシ基のモル比が０．２〜０．７であり、無機フィラーが鱗片状の一次粒子が配向せずに集合してなる松ボックリ状の六方晶窒化ホウ素を含み、無機フィラーが樹脂複合組成物全体の３０〜８５体積％である樹脂複合組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体素子と導電パターンとの隙間が確保され難く、アンダーフィル材にて充填していたため、放熱性が悪く、量産性に適さないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間にはスペーサー１１Ａ〜１１Ｄが配置され、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間隙間の幅Ｗ１は、スペーサー１１Ａ〜１１Ｄの膜厚となる。この構造により、半導体素子２下面の隙間の幅Ｗ１が一定に保たれ、その隙間への樹脂の充填性が向上される。そして、トランスファーモールドを用いることが可能となり、量産性に適した構造となる。 （もっと読む）

【課題】露出したヒートシンク表面に水等が浸入することを防止することができ、良好な冷却性を確保することができる半導体パッケージの防水構造を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、ヒートシンク１１０と、ヒートシンク１１０の一方の面に搭載されたパワー素子１１２とを有し、パワー素子１１２が搭載された面を含んで樹脂モールドされている。パワー素子１１２が搭載された面と反対側のヒートシンク１１０の他方の面に伝熱材２１０を介して放熱部材２００が配置されている。放熱部材２００は、ヒートシンク１１０との接合面を覆う壁部２２０を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ケース材を有する大型の電子部品に使用してもクラックや剥離が発生することがない、封止性に優れた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決方法】（Ａ）３０質量部〜１００質量部のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂の少なくとも一種と、（Ｂ）７０質量部〜２０質量部の可撓性エポキシ樹脂からなる樹脂成分と、（Ｃ）８０質量部〜１２０質量部の酸無水物硬化剤と、（Ｄ）８０質量部〜３５０質量部の無機充填材としての結晶性シリカとを具え、（Ｄ）結晶性シリカは、（Ｄ−１）数平均粒径０．５μｍ〜３μｍの破砕型結晶性シリカ及び（Ｄ−２）数平均粒径８μｍ〜３０μｍの破砕型結晶性シリカを含むようにしてエポキシ樹脂組成物を調整する。 （もっと読む）

【課題】屈折率１．４５〜１．５５の硬化性シリコーン樹脂に、クリスタバライト粒粉を分散させることにより、封止樹脂からの放熱に優れ且つ硫化による銀の変色に伴う反射率低下からくる輝度低下、更に吸湿リフローや熱衝撃試験等の熱応力試験に耐えうる長期信頼性が確保できる硬化性シリコーン組成物及び発光ダイオードを得る。
【解決手段】封止樹脂との屈折率の差が±０．０３であり、且つ熱伝導率が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上のシリカ系フィラーを含有する樹脂組成物。 （もっと読む）