【課題】画素からの微小信号、あるいは１光子信号を低ノイズ、高精度で、高速に検出することができ、これにより活用してフレームレートを上げることで、様々な高性能撮影が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】各センス回路は、画素からの出力信号と参照信号を比較する比較器を含み、信号検出を行う際に、比較器の片側あるいは両側の入力部に、選択画素から出力される第１の画素信号を相殺する電荷を保持し、比較器の片側の入力部に、比較器ごとに、比較器のオフセットを相殺するように、独立したオフセットバイアスを印加し、ステップ状に変化する参照信号と選択画素から出力される第２の画素信号とを比較して、画素に入射した光の強度をデジタル判定する。 （もっと読む）

【課題】連携方式でも非連携方式でも放射線画像撮影を行うことができる放射線画像撮影装置を備え、放射線にとって使い勝手の良い放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像撮影システム５０は、撮影方式を連携方式と非連携方式との間で切り替え可能とされた放射線画像撮影装置１を備え、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、非連携方式で撮影を行う場合には、撮影前に読み出したリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始を検出し、コンソール５８は、撮影可能モードに切り替えられる等して放射線画像撮影装置１が撮影可能な状態になった後、放射線を照射させることが許容されるまでの待機時間ＷＴを、連携方式の場合と非連携方式の場合とで同じ時間として処理し、画像処理装置５８は、待機時間ＷＴが同じ時間されることに伴って非連携方式で放射線画像撮影が行われる場合に画像データＤ中に生じる輝度の段差を補正する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えることにより、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、トランジスタのゲートに対し、１フレーム期間の１回目のリセット駆動時には第１の電圧、他の回のリセット駆動時には、第１の電圧よりも低い第２の電圧を印加してトランジスタのオン動作を行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減する。 （もっと読む）

【課題】隣接ビアを伝送される信号間の干渉を低減でき、ひいてはビア数の増大を抑止でき、センサを搭載したチップの面積、実装工程を低減でき、結果的にコスト削減を図ることができる半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第１チップ１１０と、第２チップ１２０と、を有し、第１チップ１１０と第２チップ１２０は貼り合わされた積層構造を有し、第１チップと第２チップ間の配線は、ビア１１４を通して接続され、第１チップ１１０は、各センサ１１１で発生したアナログ信号を時間離散化した信号が、対応するビアを介して第２チップに伝送され、第２チップ１２０は、ビアを介した第１チップから伝送された信号を第１チップでサンプリングしたタイミングとは異なるタイミングでサンプリングする機能と、量子化してデジタル信号を得る機能と、を含む。 （もっと読む）

【課題】センス回路の高速化や消費電力の増加を伴うことなく、低照度時と高照度時においてノイズの少ない高精度な撮像が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光電変換素子と蓄積部と、蓄積電荷を電気信号として出力するアンプ素子とを有し、光子入射に応じて電気信号を出力信号線に出力する画素が、複数アレイ状に配置された画素アレイ部と、画素からの電気信号を受けて、所定期間における画素への光子入射の有無を判定するセンス回路を含むセンス回路部と、を有し、センス回路は、出力信号線に接続されたＡＤ変換装置を含み、ＡＤ変換装置は、少なくともバイナリ判定である１ビット出力と多ビット解像度による階調出力の２モードで動作可能であり、少なくとも１ビット出力モードの選択時は、画素ごとに複数回の露光における出力結果が集積されて、各画素に入射した光の強度が算出される。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えて画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。トランジスタは半導体層を間にして第１および第２のゲート電極を有し、駆動部は、トランジスタの第１のゲート電極に第１の電圧、第２のゲート電極に第２の電圧をそれぞれ印加し、かつリセット駆動の際には、第１および第２の電圧のそれぞれにおいて、オン電圧およびオフ電圧間の切り替え時期およびオン電圧値のうちの一方または両方が互いに異なるようにする。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基準信号の精度を維持しつつスタンバイ時の電流低減を図ることが可能なパワーオンリセット回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】基準信号生成部は、少なくとも外部電源電圧検出器用基準信号を生成する第１の生成部と、記内部電源電圧検出器用基準信号を生成する第２の生成部と、を含み、第１の生成部は、電源起動時に外部電源電圧検出器用基準信号を生成可能となり、第２の生成部は、制御部からの起動信号を受けて内部電源電圧検出器用基準信号を生成可能となり、制御部は、スタンバイ期間が経過すると、起動信号を基準信号生成部の第２の生成部および内部電源電圧の生成系に出力する。 （もっと読む）

【課題】オーバーサンプリング数を増やすことなく、低照度における低ノイズ化を図れる高画質化を実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光信号を電気信号に変換するフォトダイオードを含む画素が配列された画素アレイ部と、画素からのアナログ画像信号を信号線に読み出し、読み出したアナログ画素信号をカラム単位で処理する読み出し部と、を有し、読み出し部は、アナログ画素信号をデジタル信号に変換する機能を有するΔΣ変調器と、ΔΣ変調器の入力側に配置され、信号線に読み出されたアナログ画素信号を設定されるゲインをもって増幅して上記ΔΣ変調器に入力する増幅器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フレームレートとフリッカ光源の周波数が同期する場合でも、ライブビューの表示画質を低下させることなく、フリッカの検出を高精度に行う。
【解決手段】ライブビュー表示中に、周期的に行われるフリッカ検出において、同じ積分時間の撮像出力の変動量と異なる積分時間の撮像出力の変動量を求め、同じ積分時間の撮像出力の変動量に基づいて異なる積分時間の撮像出力の変動量を判定してフリッカの検出を行う。 （もっと読む）

【課題】光電変換機能を有するｐｎ接合の逆方向電流がショットキ接合の逆方向電流ほど大きくならない技術を提供をする。
【解決手段】光電変換機能を有するｐｎ接合と電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、電界効果トランジスタのソースが接続されているｐｎ接合の１方の半導体領域が他方の半導体領域に対してゼロまたは逆バイスとなる電位となった場合に、電界効果トランジスタが導通するゲート電位を供給することにより、２つの異なる導電型の半導体領域のいずれかに光が照射されても、ｐｎ接合が深い順方向電圧にバイアスされないよう飽和制御する。 （もっと読む）

【課題】各撮像素子で特性が異なることを抑制することができると共に、ノイズが導入されることを抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０と、当該単結晶基板１０に形成された回路部２０と、回路部２０の一部と直接接触する状態で単結晶基板１０の一面に配置された単結晶第１導電型層３１と、単結晶第１導電型層３１上に配置された単結晶第２導電型層３３とを有するフォトダイオード３０と、単結晶第２導電型層３３と電気的に接続される電極３５と、を備える。これによれば、単結晶基板１０上に単結晶材料を用いて構成されたフォトダイオード３０が形成されているため、撮像素子毎に特性が異なることを抑制することができる。 また、フォトダイオード３０における単結晶第１導電型層３１と回路部２０の一部とを配線を介さずに直接電気的に接続しているため、ノイズが導入されることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードＰＤの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチＳＷ_１としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパＣＳが連続して形成されている。任意の互いに隣接する２個の画素部により挟まれる領域において、チャネルストッパＣＳにより囲まれてダミー用フォトダイオードＰＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、複数の画素３１が配置される半導体基板５１と、複数本の配線が配設された複数層の導体層５８が絶縁膜５７に埋め込まれて構成される配線層５５とが積層されて構成される。そして、配線層５５では、画素３１により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、２層の導体層５８で形成される。 （もっと読む）

【課題】CMOSチップを用いて直接荷電粒子を計数する場合、リセットノイズと一定のパターンノイズを除去するCDS処理を行う場合に、撮像速度を向上させる。
【解決手段】多数の読み出し後にのみ画素をリセットする。多数の画像後にリセットすることにより、又は、前記画像の1画素が所定の値（たとえばフルウエルキャパシティの0.8倍）よりも大きな値を示すとき、1つの信号の取得後にリセットを用いる従来技術に係る方法と比較して、撮像速度は略2倍となりうる。 （もっと読む）

【課題】 ＢＰＤに濃度勾配を設ける特別なウェハプロセスを用いることなく、感度が高く規定の時間内にＢＰＤ内の信号電荷がＦＤに転送される光電変換回路を得る。
【解決手段】 受光領域への入射光により電荷が生成され蓄積される複数のＢＰＤと、一方の端子に少なくとも２つの前記ＢＰＤが接続され、オン状態／オフ状態に切り替える制御信号が入力される制御端子が共通接続された少なくとも１つのＴＧと、各々の前記ＴＧの他方の端子が接続され、各々の前記ＴＧが同時にオン状態に切り替わることにより、各々の前記ＢＰＤの前記電荷が同時に転送され集約するＦＤとを備え、前記ＦＤから各々の前記ＢＰＤの前記受光領域の最遠部の間の最大距離が、規定の時間内で各々の前記ＢＰＤの前記電荷の全てが各々の前記ＢＰＤから前記ＦＤに転送される距離である。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】被写体の撮像と並行して、Ａ／Ｄ変換器に供給されるカウント信号の検査を行うことができる光電変換システムを提供することを課題とする。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素と、ランプ信号を生成する参照信号生成部と、列毎に配置され、画素からの信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器と、ランプ信号の出力に合わせてカウント動作を行い、カウント信号をカウント信号線を介してＡ／Ｄ変換器に供給するカウンタと、Ａ／Ｄ変換器とは独立して設けられ、カウント信号の期待値とカウント信号線を介して供給されるカウンタからのカウント信号とを照合することによりカウンタの検査を行うカウンタ検査回路を備え、被写体の撮像と並行に、カウント信号の検査を行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、デジタル回路間の電圧変動により生じるノイズを低減する。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、画素駆動部と、所定の信号処理を行うデジタル回路を有する信号処理部と、が同一半導体基板に配された光電変換装置であって、前記画素駆動部のデジタル回路には第１電圧と前記第１電圧と値の異なる第２電圧とが供給され、前記信号処理部のデジタル回路には第３電圧と前記第３電圧と値の異なる第４電圧とが供給され、前記画素駆動部のデジタル回路に第１電圧を供給する第１導電体の主たる部分と前記信号処理部のデジタル回路に第３電圧を供給する第２導電体の主たる部分とが分離されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）