【課題】本願発明の目的は、電界放出型の面光源装置及びそれを採用した画像表示装置を提供することである。
【解決手段】第１基板に立ちに交差する方向に沿って設けられる第１電極、第２電極、及び第２基板に設けられる第３電極が、第１基板と第２基板とによって密封される内部に配され、第１電極及び第２電極に対する端子部が、第１基板の同一側に設けられ、電界放出型の面光源装置の実装を容易にし、電界放出型の面光源装置をバックライト・ユニットとして採用する画像表示装置の組み立てを容易にする。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、電子放出に要する駆動電圧を低く、電子放出の面分布が均一となる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】酸処理されたカーボンナノチューブと、ガラスフリットと、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。その配合比は、カーボンナノチューブが１〜５重量％、バインダー樹脂が１０〜３０重量％、ガラスフリット（ベヒクル）が１〜１０重量％、そしてペースト用溶媒は４０〜８０重量％程度とする。 （もっと読む）

【課題】電力損失が少ない電子放出素子を提供する。
【解決手段】上面に電子放出源２が設けられたカソード電極１と、カソード電極１に一定の距離ｄをおいて平行に対向配置され、電子放出源２からの電子が通過する開口部５ａを有するゲート電極５と、カソード電極１とゲート電極５との間に積層して介在され、電子放出源２からの電子を通過させる開口部３ａ，４ａをそれぞれ有する２層の第１及び第２絶縁体３，４とを備える。第１及び第２絶縁体３，４のうち、カソード電極１に１番目に近い第１絶縁体３の誘電率ε１を、カソード電極１に２番目に近い第２絶縁体４の誘電率ε２より高くした。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが焼成中に焼失せず好適に固定され、発光性に優れた電子放出源用被膜を形成可能な被膜形成用組成物及び電子放出源の形成方法を提供する。
【解決手段】電子放出源形成用組成物は、カーボンナノチューブと、ガラスフリットと、有機バインダー樹脂と、有機溶剤とを含有し、ガラスフリットの軟化点は５００℃以下である。基板に塗布される電子放出源形成用組成物から有機溶剤を除去して得られる塗膜を、４００〜４５０℃の温度で焼成して有機バインダー樹脂を除去し、カーボンナノチューブとガラスとを含有する被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた電子放出特性を有する電子放出部材、電子放出装置及び電子放出部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子放出部材は、金属のマトリックスにカーボンナノファイバーが分散した押出材ｂである。押出材ｂの押出方向Ａと交差する方向に形成された面が電子放出領域である。本発明の電子放出部材の製造方法は、金属粒子と、カーボンナノファイバーと、を含む混合材料Ｂを押出加工して押出材ｂを得る工程（ａ）と、押出材ｂを少なくとも押出方向Ａの複数個所で分割して、押出方向Ａと交差する方向に形成された分割面を有する電子放出部材を得る工程（ｂ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】素子作成工程が単純であり、機械的、電気的に安定な冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明は、SiC結晶基板の上に金属膜を堆積させ、加熱処理し、SiCと金属を反応させて形成した金属シリサイドと、この反応プロセスでSiCとの反応にあずからないカーボンをグラファイト状クラスターとして金属シリサイド内或いは最表面層に析出させて作成した表層構造物からなり、この表層構造物を冷陰極電子放出素子として機能させると共に、SiC基板を電極として機能させる。 （もっと読む）

【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されている。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得られる不純物で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源の冷陰極を構成する炭素材の表面構造の先鋭化を実現すると共に、その先鋭化を１回の工程で行うことで製造コストを抑える。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置を提供する。
【解決手段】エミッタの製造方法では、ガラス基板1０上に、複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含みエミッタ電極を構成するＣＮＴ膜１２を形成し、ＣＮＴ膜１２上に絶縁膜１３を介してゲート電極１６を形成し、ゲート電極１６及び絶縁膜１３に複数のゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内のＣＮＴを直立配向させる。 （もっと読む）

【課題】負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。
【解決手段】水素終端によって負の電子親和力表面を有した5×10¹⁹cm^-3未満の濃度のリンドープダイヤモンドで構成されバンド伝導を有しているｎ型ダイヤモンド半導体層１と該ｎ型ダイヤモンド半導体層に少なくとも正極がショットキー電極で構成された電極２、３とを含み、電極２、３間にバイアスを印加して電流を流すことにより、外部に電子放出することを特徴とする電子源。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子および画像表示装置を提供する。
【解決手段】 モリブデンを含む電子放出膜を備える電子放出素子であって、前記電子放出膜の表面をＸ線光電子分光法により測定して得られるスペクトルにおいて、２２９±０．５ｅＶの範囲に第１のピークが存在し、且つ、２２８．１±０．３ｅＶの範囲にサブピークが存在することを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】投光面側以外に投射された光を有効利用できる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、電界電子放出型の発光装置において、電子放出源を有するカソード電極と、前記カソード電極と対向する位置に設けられ、前記電子放出源から電界放出された電子により励起されて発光する蛍光体を有するアノード電極と、前記カソード電極と前記アノード電極の間に、前記電子放出源から放出された電子を通過させる開口部を有するゲート電極と、を備え、前記ゲート電極は、前記アノード電極側の表面が前記蛍光体から発光された光を拡散反射するように凹凸形状が形成されていることを備えたことを特徴とする発光装置である。 （もっと読む）

【課題】電子放出中に放電等の問題が生じにくい電界放出素子、電界放出発光素子、および、電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボン材料と有機物バインダーと溶剤とを含み、感光性モノマーを含まないペーストを製造する工程と、基板の表面に設けられた電極膜の上に、前記ペーストを塗布する工程と、前記ペーストを塗布した前記基板を、真空中、４００℃以上で焼成する工程と、を有する電界放出素子製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低温動作し、小さいエネルギー幅と低仕事関数を有し、さらに高い角電流密度で長時間安定動作する電子源を提供する。
【解決手段】絶縁碍子５と、絶縁碍子に取り付けられた２つの導電端子４と、導電端子同士を渡るように取り付けられたフィラメント３と、フィラメントに取り付けられた棒状のロッド１と、ロッドの中腹に取り付けられた拡散源２を有し、ロッドがタングステン、モリブデン、タンタル、レニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種以上からなる金属の＜１００＞方位単結晶で形成され、ロッドの先端部には｛１００｝結晶面を露出した電子放出面が形成され、拡散源は酸化バリウム、酸化スカンジウムの複合酸化物からなり、該複合酸化物の酸化バリウムの組成比が５０ｍｏｌ％以上、酸化スカンジウムの組成比が１０〜５０ｍｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】画素の応答特性を損なうことなく、画素サイズの微細化を図ることができる電子源アレイ並びに撮像装置及び表示装置を提供すること。
【解決手段】撮像装置１０は、垂直走査回路１１、水平走査回路１２、電子源アレイ２０、光入射基板３０を有し、電子源アレイ２０は、行列状に配列された複数の画素２１を備え、各画素２１は、電子源としての陰極２２と、陰極２２から電子を引き出す引出電極２３と、陰極２２を駆動するトランジスタ２４とを含み、垂直走査回路１１がトランジスタ２４のゲート電極に電圧を供給しているトランジスタ２４のオン状態において、水平走査回路１２が供給する第１の電圧によって陰極２２が電子を放射し、水平走査回路１２が供給する第２の電圧によって陰極２２が電子の放射を停止する構成を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カソードマスクとゲート電極との位置合わせが不要であり、外部からの衝撃に強い電界電子放出型の照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、「前記絶縁体、前記ゲート電極および前記カソードマスクは一体化されたゲート電極構造体を形成していること」から、照明装置の組み立てにおいて、カソードマスクとゲート電極との位置合わせをする必要がない。また、照明装置の組み立てにおいて、部材点数を抑制することが出来、組み立ての省力化を計れる。また、前記絶縁体は、前記ゲート電極および前記カソードマスクと接合されていることから、外部から衝撃を与えられても、カソードマスクとゲート電極の相対位置関係が歪むことがない。 （もっと読む）

【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。
【解決手段】針状の放出部１０の先端部に、電子供給層としてのｐ型半導体層１３Ｐと、電子放出層としての金属層１５とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。放出部１０における積層構造内の各等電位面Ｓｖも、この放出部１０の伸長方向と略垂直になる。放出部１０から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア（電子）が集中し易くなる。なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電界を集中させやすく電界放出が起こりやすい電界放出素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カソード基板上に電子放出源を構成する層を形成する電界放出素子の製造方法において、カソード基板上に第１の層を形成し、第１の層体上にストライプ状の第２の層を、間隔をあけて複数並列させて形成し、第１の層上及び第２の層上に、ストライプ状の第３の層を第２の層と略直交方向に、間隔をあけて複数並列させて形成する。これにより、電子放出源の表面に凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子線発生の電流値を低くすることができる電子線放出装置を提供する。
【解決手段】 給電体（カソード）１と金属板（アノード）２との間に５０ｋＶの直流電圧を印加し、給電体（カソード）１とグリッド電極３との間に１ｋＶの直流電圧を印加する。すると、給電体（カソード）１とグリッド電極３との間に印加した電圧によって電子が引き出され、グリッド電極３で絞られた電子は給電体（カソード）１と金属板（アノード）２との間に印加した電圧によって加速せしめられて窓部１２のベリリウム箔１３を透過して外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができる電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、ゲート電極のカソード電極と対向する面側に絶縁体を形成し、絶縁体の厚さが、カソード電極とゲート電極間の距離よりも小さいことを特徴とする。これにより、カソード電極とゲート電極との間において、誘電率に偏りが生じることになり、カソード電極上の電子放出源の表面に電界を好適に集中させることが出来る。 （もっと読む）