【課題】緻密、かつ、基板への密着性の良い焼結層の製造方法及び構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結層の製造方法は、基板１０の表面に金属粒子を含むペーストを塗布し、第１塗布層２０を形成する第１塗布工程と、第１塗布層２０を焼結し、１．０μｍ以下の厚さを有する第１焼結層３０を形成する第１焼結工程と、第１焼結層３０の表面にペーストを塗布し、第２塗布層２２を形成する第２塗布工程と、第２塗布層２２を焼結し、第２焼結層３２を形成する第２焼結工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造に高価な真空設備を必要とせず、よってサイズ的な制限を受けることなく、また有機物接着剤を使用することなく、且つ基材の材質に制限されることなく種々の基材を用いて、高密度、高性能、十分な薄肉化を可能とすると共に、酸化雰囲気（特に高温の酸化雰囲気）において絶縁性の基材と導電層との界面における酸化物の成長を抑制できることで、絶縁性の基材とめっき層との剥離を防止でき、更にエッチング性の良好なプリント配線板用基板及びその製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁性の基材１０の表面にめっき層３０を積層してなるプリント配線板用基板１であって、前記絶縁性の基材１０とめっき層３０との界面にめっき層３０の酸化を抑制する金属粒子Ｌを分散付着させてあることを特徴とするプリント配線板用基板である。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に３つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール（但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい）を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、１１０〜１３０℃の条件下で４０〜７５分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導体回路間の絶縁信頼性の優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意し、金属層１０１の表面に開口部を設けたレジスト層２１を形成する工程と、レジスト層２１の開口部にめっきにより導体部３１を形成する工程と、レジスト層２２を剥離液により除去する工程と、レジスト層を剥離液により除去することにより露出する金属層１０１をドライエッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる粗化処理銅箔を提供する。
【解決手段】母材銅箔（未処理銅箔）の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さＲｚに対してＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さＲｚが１．１μｍ以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．４〜１．８μｍで、アスペクト比［高さ／幅］が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている表面粗化処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】半田喰われ現象を可及的に防止する機能を有する導電性中間層を、環境負荷が低く、かつ生産性良く形成することを目的とする。
【解決手段】絶縁基材２と、絶縁基材２の少なくとも一方の面に形成された配線回路パターン３と、配線回路パターン３の一部に形成された、電子部品７を実装するための電子部品実装ランド部３１と、電子部品実装ランド部３１上に、導電性インク膜の焼成体から構成される導電性中間層５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
π共役結合を持つ有機化合物がドープされたバインダー層が形成された電気絶縁性材料表面に、適度な厚みを有する密着性の強い金属膜が形成された電気絶縁体とその製造方法。
【課題解決手段】
電気絶縁性材料表面に近いほうから順に、i)π共役結合を持つ有機化合物がドープされたバインダー層、ii)Ni又はNi合金層、iii)Ni又はNi合金より電気伝導度の高い１層以上の金属層からなる層が累積形成された当該金属多層積層電気絶縁体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 強度、密着性に優れる半田パッド構造を提案する。
【解決手段】 半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。Ｎｉ合金層６８の厚みを調整することで、ニッケル層と半田バンプとの接合強度が高めれる。厚み調整のため、該Ｎｉ合金層の形成を阻害するＰｂ層６２を所定の厚みでＮｉ層６０の上に設ける（図８（Ａ））。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であると共に、シート抵抗が１００Ω／□以上であり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記ＴａＮ膜のスパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を挟んで絶縁状態で配置された配線パターンを電気的に接続するコンタクト部の断面積や形成位置のばらつきを抑制した状態でビルドアップ構造を形成する。
【解決手段】ビルドアップ基板の製造工程は、１層目の配線パターンを形成する工程として、表面処理工程Ｓ１と、インクジェットで触媒パターンを形成する触媒パターン形成工程Ｓ２と、触媒パターンの焼成工程Ｓ３と、配線パターンを形成する無電解銅めっき工程Ｓ４とを備えている。また、２層目の配線パターン及び１層目及び２層目の配線パターンを電気的に接続するコンタクト部を形成する工程として、撥液部形成工程Ｓ５と、絶縁膜形成工程Ｓ６と、絶縁膜表面処理工程Ｓ７と、触媒パターン形成工程Ｓ８と、触媒パターンの焼成工程Ｓ９と、配線パターン及びコンタクト部を形成する無電解銅めっき工程Ｓ１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁距離を狭めてボンディングパッドを配置しても、ボンディングパッドでの短絡が生じないプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ソルダーレジスト層７０で覆った導体回路の頂部を露出させボンディングパッド５８ｂとし、ニッケル層７３、金層７４を形成する。即ち、無電解めっき膜５２を形成するために触媒核の付与された層間樹脂絶縁層５０の表面はソルダーレジスト層７０で覆われており、ニッケル層７３、金層７４が樹脂層に形成されることがないため、ニッケル層、金層による短絡が起きず、絶縁距離を狭めファインピッチにボンディングパッドを配置しても、ボンディングパッドでの短絡が生じない。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、被転写体である水晶基板の特性に影響を与えることなく、電極となる導電性膜を水晶基板へ形成することが可能な転写体を提供する。
【解決手段】転写体１０は、基材１１と、基材１１の表面に形成され所定の形状にパターニング加工されて電極４となるべき導電性膜である金属膜１４と、少なくとも金属膜１４となる導電性膜の部分を覆うように形成されエネルギーを付与されると接着性を発現することが可能な接合膜３と、を備えている。このような構成の転写体１０は、導電性膜１４および接合膜３の形成された側が被転写体へ押し付けられると、接合膜３の膜面が被転写体へ接合する。そして、基材１１を被転写体から離反する方向へ引き離すと、接合膜３が被転写体と強固に接合しているため、導電性膜１４は、基材１１から剥離し、接合膜３を介して被転写体へ転写される。 （もっと読む）

【課題】めっき加工後に独立回路を形成する場合にも、めっきレジストのはみ出しによるめっき断線、めっきかけ(めっき領域の欠落)を防ぐ。
【解決手段】そこで本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基材すなわち凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板表面に下地層１１ａを形成する工程と、前記下地層１１ａのうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭１２を形成する輪郭形成工程と、前記凹部に絶縁性の充填物３０を充填する工程と、前記下地層１１ａを給電部としてめっきを行い、めっき層１１ｂを形成するめっき工程と、前記充填物を除去し、全面エッチングにより、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線パターンと絶縁層との密着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線回路基板７０は、絶縁層１を備える。絶縁層１上に、複数の配線パターン７が形成される。各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】容易且つ正確にパターニングが行えると共にそのパターニング後に容易且つ正確に異種金属の合金化を行うことができる導電性基板とそれを用いた半導体素子、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の樹脂からなるバインダー中に球状の２以上の複数の異種金属微粒子を適宜量分散した導電ペーストにより、基板上に成膜手段を用いて成膜パターンを形成し、成膜パターンを加熱してこの成膜パターン中の溶媒を除去して乾燥し、その成膜パターンの２以上の複数の異種金属微粒子を構成する金属結晶子に効率よく応力を印加し、結晶格子に歪みを発生させ、２以上の複数の異種金属微粒子表面にできる絶縁性の酸化膜を破壊することにより２以上の複数の異種金属微粒子間の導電性接合を形成する手段を採用する。 （もっと読む）

【課題】高性能の内部電極を量産性良く提供することを目的とするものである。
【解決手段】ベース基板１１に第１のメッキ層１２を形成する工程と、第１のメッキ層の上に所定の開口部１３を有するレジストパターン１４を形成する工程と、レジストパターンの開口部１３に第１のメッキ層１２と同じ金属材料で、第１のメッキ層の平均表面粗さよりも平均表面粗さが小さい第２のメッキ層１５を形成する工程と、レジストパターンの開口部１３に転写用導体１６を電解メッキにより形成する工程と、を備えた製造方法であり、これにより高性能の内部電極を量産性良く得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いないことにより、人体に悪影響を及ぼしたり、環境を汚染したりすることを防ぐセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック基板上にドライフィルムを貼リ付ける工程１００と、ドライフィルムに対して露光および現像加工を行い、ドライフィルム上に所定の配線パターンを形成する工程１０１と、セラミック基板およびドライフィルム上に第１の金属層をコーティングする工程１０２と、第１の金属層上に銅層を電気メッキする工程１０３と、セラミック基板上のドライフィルム、第１の金属層および銅層に切断および研磨を行なった後、ドライフィルムを前記セラミック基板上から除去する工程１０４と、セラミック基板上に適切な厚さを有する銅層を形成する工程１０５と、セラミック基板の銅層の表面に第２の金属層を電気メッキする工程１０６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板自体の厚みを薄くできる利点を有する２層フレキシブル基板において、課題となっている耐熱環境や高温高湿環境における信頼性に関わる密着性を、従来の３層フレキシブル基板と同等以上とした２層フレキシブル基板の提供。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層を形成し、次いで前記下地金属層上に銅被膜層が形成される２層フレキシブル基板において、前記下地金属層が接する側の前記絶縁体フィルムの表面に、層厚２〜１０ｎｍの改質層が設けられていることを特徴とする２層フレキシブル基板。 （もっと読む）

【課題】 金属層表面に微小な凹みが無い銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供し、金属層表面の凹みや配線パターニング時に欠陥を減少させる。
【解決手段】 ポリイミドフィルムを有機アミン化合物およびポリアルキレングリコールを含有する水溶液に浸漬させて洗浄する。洗浄するタイミングは、導体となる銅層を形成する前であれば、乾式法で１次金属層を形成する前でも良く、後でも良い。乾式法で１次金属層を形成する前後の２回処理することも有効である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の回路溝内に設けられると共にビアに接続された電気回路の、伝送ロスを低減することができる回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板は、絶縁層１と、この絶縁層１に設けられた電気回路２及びビア３とを備える。前記絶縁層１には回路溝４と、この回路溝４に連通する通孔５とが形成されている。前記電気回路２が前記回路溝４内に設けられていると共に、前記ビア３が前記通孔５内に設けられている。前記回路溝４の内面の表面粗さが、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）