【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第１流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第２流量監視ユニットと、第１流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第１流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第２流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第３のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形Ａ１がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形Ａ２が形成される。波形Ａ２は、ノイズレベルの信号である。第３のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第１のセンサ、第２のセンサ、及び第３のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 （もっと読む）

【課題】 内部で行われる処理の状況を把握するといった機能は損なわれることなく、真空雰囲気に接する覗き窓表面を効果的に加熱して生成ガスの付着、堆積を効果的に抑制できるようにした低コストの真空処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、真空チャンバの壁面に設けられる覗き窓８が、内部に導線Ｗが埋め込まれた透光性板材８１を備える。透光性板材の中心Ｃｐからその周囲に向かう方向を径方向とし、この透光性板材の中心と、当該中心から径方向の距離が最短となる透光性板材の周囲までの距離の中点Ｍｐとを結ぶ線を半径とする仮想円領域内で透光性板材の中央領域を除く領域に、前記導線が蛇行させて配置され、その自由端を透光性板材外表面に延出させてなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生器内のセンサの電源の具体的な構成を提供する。
【解決手段】プラズマ発生器は、容器１０と、容器１０に取り付けられ互いに対向するアンテナ（第一電極）２２および下部ステージ（第二電極）３２とを有し、アンテナ２２に所定の周波数の電圧が印加されて下部ステージ３２に交流バイアス電圧が印加されることにより、容器１０内にプラズマ１が発生する。プラズマ発生器内の下部ステージ（第二電極）３２にウェハ２が載せられており、測定装置４がウェハ２に載せられている。測定装置４は、電源装置４１、センサ４２、マイクロコンピュータ（測定結果処理器）４４を有する。センサ４２は、プラズマ発生器の内部の状態を測定する。電源装置４１は、センサ４２の電源となり、プラズマ１の発生に伴って生ずる光を受けて、電力に変換する太陽電池４１ａを備える。センサ４２は太陽電池４１ａから電力を受けて作動する。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】装置保守によって装置状態が大きく変わった場合に、その装置状態に適合するモデルを短時間で導出する手法を提供することを目的とする。
【解決手段】実績データの加工量と、この時の加工条件とを用いて加工量予測重回帰式を調整し、
得られた加工量予測重回帰式を用いて、加工対象の加工目標値と加工量予測重回帰式に含まれる加工条件以外の説明因子とから加工条件を算出する手段を備え、
得られた加工条件で加工することを特徴とする加工装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。窒素ガスバルブ２９ａの開弁による窒素ガス源２８からの導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。次に、大気導入バルブ２６ａの開弁による大気の導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。その後、大気導入バルブ２６ａとダクト排気バルブ２４ａの両方を開弁する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。また、搬送装置１５は、処理後のトレイ３をプラズマ処理部１１からストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂに搬送する。 （もっと読む）

【課題】ステージ温度変化など運用条件の変更に対応し、突入電流の発生や過剰なＥＳＣ電流が流れることを防ぎ、なおかつ伝熱用ガスを導入する時点で裏面圧力以上の静電吸着力を発生させる。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理室内に設けられ被処理基板を保持する静電吸着膜を備えたステージを具備したプラズマ処理装置において、静電吸着膜と被処理基板間に流れるＥＳＣ電流の電流値を検知し、ＥＳＣ電流の値で吸着条件を設定し、ＥＳＣ電流が設定した制御範囲内に収まるようにＥＳＣ電流を検知しながら吸着電圧を段階的にステージに印加し、ＥＳＣ電流が制御範囲内に収まったことを検知した後に伝熱用ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】真空気化冷却に必要な熱媒体を削減し、高効率に被冷却部材を冷却することができる冷却機構及び冷却方法を提供する。
【解決手段】被冷却部材の温度を目標温度に冷却する冷却機構６に、前記被冷却部材に対して熱的に接続された減圧室６０と、減圧室６０の内面に前記目標温度以下の液相の熱媒体を噴霧する噴霧部６４と、噴霧部６４から噴霧された熱媒体を減圧室６０の内面に付着させるための電界を発生させる電界発生用電源６８と、減圧室６０の内圧が前記目標温度における前記熱媒体の飽和蒸気圧以下になるように、減圧室６０を排気する排気部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のエッチングを精度良く行い、再生率を低減させる
【解決手段】基板にトランジスタを形成し、トランジスタを覆うように第１層間絶縁膜２２を形成する。さらに、第１層間絶縁膜２２の上方に形成したレジスト膜２７を用いて第１層間絶縁膜２２をエッチングし、トランジスタのソース／ドレイン領域に到達するコンタクトホール３１を形成する。この際、レジスト膜２７の開口部２７Ａの半径ｒと、開口部２７Ａが設計位置からずれている位置ずれ量ΔＸとを測定し、コンタクトホール３１に必要な半径Ｒｘと、コンタクトホール３１を形成可能な限界距離Ｓとから、ｒ＋ΔＸ−Ｓ＜ＥＳ＜ｒ−Ｒｘを満たす半径差ＥＳを決定し、半径差ＥＳからエッチング条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板Ｗが収容される処理容器１０と、処理容器１０内に配置された下部電極１６と、処理ガスをシャワー状に前記処理容器内に吐出する着脱可能な電極板３６を有する上部電極３４と、上部電極３４に処理ガスを供給するガス配管５４ａ，５４ｂを含むガス供給ユニット４８と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する高周波電力印加ユニット８８と、ガス配管５４ａ，５４ｂ内の圧力を検出する圧力計５８ａ，５８ｂと、圧力計５８ａ，５８ｂの検出値に基づいて電極板３６の消耗度を求め、その際の電極板３６の消耗による処理レートの変動を算出し、この処理レートの変動を解消するように処理条件を調整する制御部１００とを具備するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】平板状のサンプル材料の組み合わせにより形成されるサンプル管を有するラジカル測定装置及びラジカル測定管を提供すること
【解決手段】本発明のラジカル測定装置１は、ラジカル生成室２と、測定管４と、支持体１６と、真空排気部１０とを具備する。ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。測定管４は、ラジカル生成室２に連通する。支持体１６は測定管４内に配置され、複数の、平板状のサンプル材料からなるサンプル板Ｓにより管状のサンプル管が形成されるように、それぞれのサンプル板を支持する。真空排気部１０は、測定管４を真空排気する。温度センサ９は、サンプル管に挿通され、サンプル管の軸方向に沿って移動可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。
【解決手段】ウエハ２０は、支持台３１に設置されエッチング装置１０による処理が開始される。プラズマの点火時には、制御部８５により、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は閉じられると共に開閉バルブ８４は開かれ、ガス流路はバイパス部８５側となる。プラズマ発生部６０の電源６１からのプラズマ源６２への高周波電力の印加により、放電管６３に活性ガスが発生する。待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。活性ガスが真空処理室３０に導入され、活性ガスによるウエハ２０の加工処理が開始される。次に処理するウエハ２０の交換作業の間は、制御部８５はガス流路を再びバイパス部側に切り替える。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）