【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０を窒素プラズマに曝露する。これにより、既存の側壁保護膜３２にＡｌＮが合わさって側壁保護膜３２を分厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】配線レイアウトや配線構造の複雑化や大幅な変更を伴うことなく、積層配線間に生じるクロストークノイズを低減する。
【解決手段】配線１０３上に絶縁膜１０４及び１０６を挟んで配線１０８が形成されている。配線１０３と配線１０８とは平面視において少なくとも部分的にオーバーラップしている。少なくとも配線１０３と配線１０８とのオーバーラップ部分の前記絶縁膜中に導電性シールド層１０５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｖ、Ａｌ、及びＧｅの少なくとも１種を含む金属材料層と、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が８以上の疎水性基と１つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、ｐＨを３〜７に調整したものを使用するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００を製造するにあたって、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０をＩＴＯ膜により形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる。また、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板１０を覆う第１の層間絶縁膜上に設けられる配線６０と、配線６０の上面上に設けられるキャップ層６８と、配線６０と第２の層間絶縁膜との間に設けられるバリア膜６２と、を含む。配線６０は高融点導電層を含み、配線６０の配線幅Ｗ１は、キャップ層６８の幅Ｗ２よりも小さい。バリア膜６２は、高融点導電層６０が含む元素の化合物からなり、配線６０を覆う層間絶縁膜６９，７０に起因する不純物が配線６０内に拡散するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の高い外部電極との接続構造を有する電力用半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、段差を有する絶縁膜９と、絶縁膜９の前記段差を覆って形成された上部配線１０と、上部配線１０上の少なくとも前記段差の側壁に対応する部分を含む所定箇所に、部分的に形成された酸化膜１６と、上部配線１０及び酸化膜１６上に形成され、半田２１により外部導体２２と接合するバリア層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に良好にＡｌ膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のＡｌ膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のＡｌ膜上に第二のＡｌ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第１配線層１５０を構成する絶縁層の表層には、第１配線１５４及びゲート電極２１０が埋め込まれている。第１配線層１５０と第２配線層１７０の間には、拡散防止膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０は、拡散防止膜１６０のうちゲート電極２１０と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】基板上に第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層上に、金、銀または
銅の導電性粒子（導電性微粒子ともよぶ）と樹脂を含む第２の導電層を形成する工程と、
第２の導電層にレーザービームを照射して、前記第１の導電層と前記第２の導電層が接す
る面積（部分）を増加させる工程とを含む半導体装置の作製方法を提供する。レーザービ
ームを照射する工程を含むことにより、第１の導電層上に、導電性粒子と樹脂からなる第
２の導電層を形成した場合でも、第１の導電層と第２の導電層が接する部分を増加させ、
第１の導電層と第２の導電層の間の電気的な接続不良を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチ発生の可能性を軽減させた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜の形成後、シード膜の形成の前に配線パターンの形成を行う。次いで、シード膜の形成後、配線パターン用レジストの剥離を行う。次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を確実に除去して半導体装置の欠陥発生を低減する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜の上に、絶縁膜と、反射防止膜と、レジスト膜とを順番に形成する。レジスト膜を用いて反射防止膜と絶縁膜をエッチングし、絶縁膜からハードマスクを作成する。この後、ラジカル照射によってレジスト膜と反射防止膜を除去する。ラジカル照射は、基板温度を１００℃、１５０℃、２５０℃と順番に上昇させながら行う。基板温度が低い初期段階では、反射防止膜の膜材料の飛散防止と、反射防止膜の表面に残留する他の物質の除去が行われる。この後、基板温度を高くすることで、反射防止膜が確実に除去される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ部分での膜剥がれを防止し、半導体装置を効率良く製造する。
【解決手段】基板１の上方に低誘電体膜３１を形成する際に、基板１のエッジ部分１Ａをエッジカット工程にて洗い流すことで段差部３１Ａが形成される。低誘電体膜３１に配線溝４１を形成した後、導電膜４３を埋め込む。基板１のエッジ部分１Ａの導電膜４３を洗い流すと、導電膜４３が埋め込まれていない配線溝４１Ａが形成される。配線溝４１Ａを保護フィルム５１で覆ってから、ＣＭＰ法にて余分な導電膜４３を除去する。この後、保護フィルム５１を基板１から取り外す。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面側及び裏面側を有するデバイス基板、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、n層数の金属層を有する相互接続構造、及び前記相互接続構造を通過して延伸し、前記n層数の金属層の前記第n番目の金属層に直接接触するボンディングパッドを含む半導体デバイス。半導体デバイスは、前記デバイス基板の前記裏面側に配置された遮蔽構造、及び、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、前記デバイス基板の前記裏面側から前記放射線検出領域に向けて投射された放射線を検出することができる放射線検出領域をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、第１半導体部と、第２半導体部とを備える構成とする。第１半導体部には、接合界面側の表面に形成されかつ第１の方向に延在する第１電極１６を設ける。そして、第２半導体部には、接合界面で第１電極１６と接合されかつ第１の方向と交差する第２の方向に延在する第２電極２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板を実装する際の温度負荷によって絶縁層と下地金属層の側面との接点領域に加わる応力を緩和させ、応力に起因した絶縁層のクラックの発生を抑えるように構成された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の一面１０１ａに、絶縁層１０２、下地金属層１０３、金属端子が設けられるためのランド部１０４を順に積層してなる半導体装置１０９であって、ランド部１０４は、絶縁層１０２と対向する面の中央部において、下地金属層１０３と接合する接合領域と、絶縁層１０２と対向する面において、接合領域を除いた非接合領域と、を有し、下地金属層１０３は、ランド部１０４側から絶縁層１０２側にかけて外向きに傾斜した側面を有していること、を特徴とする半導体装置１０９。 （もっと読む）

【課題】新たな要因に起因したクラックの発生を抑制すること。
【解決手段】第１のＡｌ配線３１と絶縁膜３３とを含む第１のＡｌ配線層３０と、第２のＡｌ配線４１と絶縁膜４３とを含む第２のＡｌ配線層４０と、複数の第３のＡｌ配線５１と絶縁膜５２とを含む第３のＡｌ配線層５０と、第１のＡｌ配線３１と第２のＡｌ配線４１とを接続する第１のビア３２と、第２のＡｌ配線４１と第３のＡｌ配線５１とを接続する第２のビア４２とを有し、少なくとも一部の第３のＡｌ配線５１は隣り合う第３のＡｌ配線５１同士の間隔Ｂが２．２５μｍ以下である隙間６０を形成しており、平面視で隙間６０の中の少なくとも一部は第１のＡｌ配線３１及び第２のＡｌ配線４１と重ならない領域を有し、隙間６０を形成するように対峙した第３のＡｌ配線５１の対峙方向の配線幅Ｃは１５μｍより大きく、第２のビア４２同士の間隔Ｆは第２のビア４２の径Ｇの３倍以上である半導体装置。 （もっと読む）