【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜中の水分の蒸発を抑制しつつ、バリア膜に、充分なバリア性を確保するための膜厚を得ることが可能となるように、基板を低温で処理できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅を使用している配線と、この配線上に形成され、上記配線に達する開孔を有し、水分又はＯＨ基を含んでいる層間絶縁膜と、を有し、上記開孔の底に露呈した上記配線の表面に酸化銅が形成されている基板を処理する基板処理方法であって、酸化銅に、有機酸を吸着させて有機酸銅錯体を形成する工程（ステップ１）と、層間絶縁膜に、マンガン前駆体を吸着させる工程（ステップ２）と、基板を加熱し、有機酸銅錯体を昇華させるとともに、層間絶縁膜の表面に酸化マンガン膜を形成する工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】 工程数の増加がなく、しかも銅を使用している配線にダメージが及ぶ可能性も少ない多層配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】 銅を使用している下層配線３上にエッチングストップ層５を形成し、エッチングストップ層５上に層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６にエッチングストップ層５に達する開孔７を形成し。層間絶縁膜６上に酸化マンガン膜８を形成し、酸化マンガン膜８を開孔７から露呈した層間絶縁膜６の表面に残しながら、下層配線３上に形成されたエッチングストップ層５を除去し、開孔７の底に下層配線３を露呈させ、開孔７の底に露呈した下層配線３上に、上層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン貫通ビア（TSV)を用いて半導体ダイ接続部を作製するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】隣接するダイ５０１、５０５、５０７同士の間のダイ接続部に対して低抵抗経路を確立するとともに、複数のダイの間の貫通チャネルに対して低抵抗経路を提供するために、ビアファーストのTSV４０１およびビアラストのTSV４０３の両方を用いて半導体ダイが製造される。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕの濡れ性が良好なＣＶＤ−Ｒｕ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】有機金属化合物を含む成膜原料を用いてＣＶＤにより基板上にＲｕ膜を成膜する工程と、前記Ｒｕ膜が成膜された基板に対し、水素含有雰囲気でのアニールを行う工程とによりＣＶＤ−Ｒｕ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル系メタル・シリサイドとコンタクト用メタル間でのコンタクト抵抗の低抵抗化がホールの微細化に伴って、困難になるという問題がることが、本願発明者の検討により明らかとなった。
【解決手段】本願の一つの発明は、ニッケル系メタル・シリサイドによりソース・ドレイン領域等のシリサイデーションを施したＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、プリ・メタル絶縁膜に設けられたコンタクト・ホールにバリア・メタルを形成する前に、シリサイド膜の上面に対して、窒素水素間結合を有するガスを主要なガス成分の一つとして含む非プラズマ還元性気相雰囲気中で、熱処理を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】線幅やホール径が小さな凹部や高アスペクト比の凹部に対して十分な埋め込みを行うことが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部６を有する絶縁層４が表面に形成された被処理体Ｗに対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含めて前記被処理体の表面にＴｉを含むバリヤ層１２を形成するバリヤ層形成工程と、前記バリヤ層上にＲｕを含むシード層１６を形成するシード層形成工程と、前記シード層上に前記シード層に対する導通性を補助するためにＣｕを含む補助シード層１６４を形成する補助シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、ウエハＷに形成されたＣＶＤ−Ｒｕ膜上にＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１内の圧力をＣＶＤ−Ｒｕ膜表面に吸着したＣｕ（ｈｆａｃ）_２の脱離および拡散が進行する圧力に制御する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスのナノワイヤの製造を実現する。
【解決手段】封入されたナノワイヤを製造する方法であって、表面層を有する基板を提供することと、前記表面層にパターンを付け、ナノメートルサイズのフィーチャを形成することと、前記ナノメートルサイズのフィーチャ内に導電材料を配置し、前記基板上にナノワイヤを形成することと、前記表面層を除去することと、前記ナノワイヤ上に絶縁材料を配置することと、を含み、前記ナノワイヤ上に前記絶縁材料を配置することは、約３５０℃未満の温度で前記ナノワイヤ上に絶縁材料を配置することを含む。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー内にウエハを搬入し、安定化させた後、ウエハを加熱しつつチャンバー内にＣｕ錯体からなる成膜原料を気相状態で導入してウエハ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜し、成膜後、チャンバー内をパージして残留ガスを除去し、その後、チャンバーから基板を搬出するＣｕ膜の成膜方法を実施するにあたり、パージの際に、ウエハへの入熱をＣｕ膜成膜の際よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に基板であるウエハを収容し、チャンバー内に１価のＣｕ錯体を含む成膜原料を気相状態で導入してＣＶＤ法によりウエハＷ上にＣｕ膜を成膜するにあたり、１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入する。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上の絶縁膜にビアホールとトレンチを形成し、この上にバリア層としてＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜する。チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内に１価Ｃｕβジケトン錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと、これを還元するアンモニア、還元性Ｓｉ化合物、カルボン酸などの還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長方法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記コバルト膜の形成方法は、基体上にコバルト膜を形成する方法であって、少なくとも（Ａ）一酸化炭素を含む気体の存在下でコバルトカルボニル錯体を昇華する工程と（Ｂ）基体上にコバルトカルボニル錯体の昇華物を供給してコバルトに変換する工程とを含むことを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有するプラグを充填する方法を提供する。
【解決手段】高アスペクト比を有するプラグを充填する本発明の方法においては、核形成層を、バイアの側壁上ではなく、バイアの底に形成する。プラグ充填はバイアの底からトップへの方向であり、側壁から内側へではない。得られるプラグは、無ボイドであり、継ぎ目無しである。 （もっと読む）

【課題】表層部の銅を主体としてなる層の表面の結晶面の種類を低減することができ、それにより、銅配線本体の内部に存在する結晶粒界の密度を低減して、銅配線の電気抵抗を低減することができ、またＥＭ耐性やＳＭ耐性を改善して信頼性も向上することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層１０に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線を形成する銅配線形成方法において、絶縁層１０に開口部１１を設ける工程と、開口部の内周面に、銅より酸化されやすい金属元素を含む銅合金被膜１２を形成する銅合金被膜形成工程と、銅合金被膜に加熱処理を施して当該銅合金被膜からバリア層を形成するとともにその表面を構成する結晶面の種類を減じる加熱処理工程と、バリア層上に銅を被着させ、銅からなる配線本体を形成する配線本体形成工程と、を有することを特徴としている。 （もっと読む）