【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供と、さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図る。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】選択ゲートトランジスタのゲート電極間の間隔の縮小を実現する不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板に、複数の第１の素子領域と、素子分離領域と、第２の素子領域を形成する。第１の素子領域上に、メモリセルゲート電極、２本の選択ゲート電極を形成し、第２の素子領域に周辺ゲート電極を形成する。第１の絶縁膜を形成し、周辺ゲート電極の側壁部上が開口される第１のレジストパターンを形成し、第１のエッチング処理を行い、側壁絶縁膜を形成する。第２のレジストパターンを形成し、第２のエッチング処理を行い、選択ゲート電極側壁部の第１の絶縁膜を除去する。第２の絶縁膜を堆積し、第３の絶縁膜を堆積する。２本の選択ゲート電極間上が開口される第３のレジストパターンを形成し、第３のエッチングおよび第４のエッチング処理を行い、コンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に対しトランジスタの電流駆動能力を向上させる方向に応力をかけ、さらに電流駆動能力が向上し、性能が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１ａの活性領域１ｃが素子分離絶縁膜２で区画され、チャネル形成領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極８ａ、ソース・ドレイン領域及び被覆応力膜を有するＮＴｒを有し、ソース・ドレイン領域の両側部に位置する素子分離絶縁膜２ａの表面は、ソース・ドレイン領域の表面より低い位置に形成されており、ゲート電極８ａ、活性領域１ｃ、及び表面がソース・ドレイン領域の表面より低い位置に形成された素子分離絶縁膜２ａを被覆して、チャネル形成領域に対し引張応力を印加する被覆応力膜が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】導電膜の所望部分を面内均一に除去することが出来ると共に高性能な導電膜を得ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ層と、該カーボンナノチューブ層を覆うオーバーコート層とを具備する複合層のパターン形成方法であって、前記カーボンナノチューブ層が、単独では、実質上、エッチングされないものの、前記オーバーコート層のエッチングによって、前記カーボンナノチューブ層が共にエッチングされる前記オーバーコート層のエッチング剤が、前記オーバーコート層上に、所定パータンで塗布される塗布工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を生産性良く形成できる貫通電極の構造を提供する。
【解決手段】配線基板１は、第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、ビアホール２ｃの面に設置され基板２と同じ材質のシード膜５と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３とシード膜５を囲む場所とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜６と、ビアホール２ｃ内でシード膜５に囲まれた導電体７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な絶縁特性を有する絶縁膜の形成に使用される高精細印刷インキ組成物および該印刷インキ組成物から形成された絶縁膜を提供すること。
【解決手段】 少なくとも不揮発性成分と溶剤を含有する絶縁膜形成用印刷インキ組成物であって、反転オフセット印刷、剥離オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷のいずれかに用いられ、ポリシロキサンが不揮発性成分の７５重量％以上であることを特徴とする絶縁膜形成用印刷インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極とポリシリコン抵抗素子とを同じ半導体基板に混載するとともに、半導体装置の設計の自由度を向上し、また、半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体基板１の主面上にゲート絶縁膜を介してＭＩＳＦＥＴ用のメタルゲート電極が形成され、また、半導体基板１の主面上に積層パターンＬＰを介してポリシリコン抵抗素子用のシリコン膜パターンＳＰが形成されている。メタルゲート電極は金属膜とその上のシリコン膜とを有し、積層パターンＬＰは絶縁膜３ａとその上の金属膜４ａとその上の絶縁膜５ａとを有し、絶縁膜３ａは、前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜により形成され、金属膜４ａはメタルゲート電極の金属膜と同層の金属膜により形成され、シリコン膜パターンＳＰは、メタルゲート電極のシリコン膜と同層のシリコン膜により形成されている。シリコン膜パターンＳＰは、平面視で絶縁膜５ａに内包されている。 （もっと読む）

【課題】膜剥がれの要因となる有機材料を用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】バリア層４(ＡlＧaＮ)４上に形成された酸化シリコン(ＳiＯ２)からなる層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０のソース電極５上に形成され、基板平面に対して略垂直な第１の側壁Ｗ１を有する第１コンタクトホール部１０aと、第１コンタクトホール部１０aの第１の側壁Ｗ１の上縁から上側に向かって徐々に広がるように層間絶縁膜１０に形成され、基板平面に対して傾斜した第２の側壁Ｗ２を有する第２コンタクトホール部１０bと、第１,第２コンタクトホール部１０a,１０b内および層間絶縁膜１０上に形成された配線層１２とを備える。上記配線層１２は、第１コンタクトホール部１０aにおいて第１の側壁Ｗ１の基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い。 （もっと読む）

【課題】配線間の間隙又は配線の下面と基板の上面との間隙に、絶縁膜を埋設することが困難であった。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、次の工程を含む。すなわち、基板上に絶縁層（絶縁層１０６）を形成する工程。絶縁層１０６の一部を選択的に除去して凹部（配線溝１０７及び配線溝１１０）を形成し、当該凹部内にバリアメタル膜１１２と金属膜１１４とをこの順で埋め込むことにより配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）を形成する工程。配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）を残しつつ、絶縁層１０６を除去する工程。絶縁層１０６を除去する前記工程後、下記の溶液を用いて、配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）の周囲を埋設する層間絶縁層１１８を形成する工程。溶液は、シラン化合物と、界面活性剤からなるポロジェンと、シラン化合物の溶質濃度の増加に応じて、アルコールと比較して、シラン化合物を表面に析出させやすく、かつ増粘しにくいシーター溶媒（アルコール及び水を除く）と、を含むことにより特定される。 （もっと読む）

【課題】高温化下でも安定な高信頼性を有する配線を容易に精度良く形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に窒化チタンからなる第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層に複数の溝を形成し、溝の底面及び側壁下部を覆う部分が溝の側壁上部を覆う部分よりも厚くなるように、溝の底面及び側壁を覆うバリアメタルを形成し、溝のバリアメタル上に金属膜を埋め込み、複数の配線を形成し、第１の絶縁層を除去して、隣り合う複数の配線の間に配線に接するような空隙を形成し、複数の配線の上面に、金属又は酸化物からなるキャップ膜を形成し、複数の配線の上面及び側壁を覆うようにシリコンナイトライドカーバイド膜又は窒化ボロン膜からなる拡散防止膜を形成し、複数の配線の上面を覆い、且つ、複数の配線間に空隙が形成されるように、第２の絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板貫通電極の周囲に形成される絶縁分離部において、埋め込まれる絶縁膜が接合面を有していると、基板裏面の研削後の絶縁分離部は、接合面が基板主面から基板裏面に達することで、機械的強度が低下しやすく、貫通電極に応力を印加した場合に絶縁分離部の内側領域が孤立しやすい。
【解決手段】絶縁分離部５に埋め込まれる絶縁膜を第１の絶縁膜３と第２の絶縁膜４の少なくとも２段の積層構造とすることで、第１の絶縁膜３の接合面３Ｓと第２の絶縁膜４の接合面４Ｓとが第２の絶縁膜４の底面の接合面のない領域で分断され、機械的強度が増加し、絶縁分離部の内側領域の孤立を阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】信号速度の遅延を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、基板上に成膜された第１の絶縁膜と、配線と、第２の絶縁膜とを持つ。前記配線は、前記第１の絶縁膜に互いに平行に所定間隔で形成されたトレンチを埋め込むように金属で形成される。前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と前記配線とを覆うように前記第１の絶縁膜よりも誘電率の高い材料で成膜される。前記配線間の領域における前記第２の絶縁膜の下面は、前記配線の上面の周縁を互いに結ぶ面に対して上方へ離隔している。 （もっと読む）

【課題】メモリ・ロジック混載型の半導体装置の高性能化を可能にする技術を提供する。
【解決手段】ストッパ膜１７は、ストッパ膜１３及び層間絶縁膜１４から成る絶縁層上に形成されている。コンタクトプラグ１６，６５，６６のそれぞれは、その上面がストッパ膜１７から露出するように、ソース・ドレイン領域９，５９とそれぞれ電気的に接続されてストッパ膜１３、層間絶縁膜１４及びストッパ膜１７に設けられている。絶縁層２０は、ストッパ膜１７及びコンタクトプラグ１６，６５，６６の上に設けられている。キャパシタ８２の下部電極は、メモリ形成領域において、コンタクトプラグ６６の上面とストッパ膜１７の上面とに接触するように絶縁層２０内に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 厚い絶縁樹脂層のウェハレベルＣＳＰで、第１電極(チップパッド)と外部電極(バンプ)との接続不良が発生しにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 次の各工程を含む半導体装置の製造方法、(１)絶縁樹脂層を半導体ウェハの上に形成し、(２)開口径が(D１)となるよう絶縁樹脂層の一部を除去し半導体ウェハ上の第１電極を露出し、(３)フィルム状レジストを半導体ウェハの全面に、第１電極とレジストとの間が中空構造となるよう貼付け、(４)レジストをパターニングし、再配線層を絶縁樹脂層の上に形成し、レジストパターンを除去し、めっきした部分以外のシード層を除去し、(５)再配線層の上に再配線保護層を形成し、(６)再配線保護層の開口径(D２)が、D２>D１となるように再配線保護層の一部を除去して第１電極と、第２電極を露出し、(７)第１電極及び第２電極の上にめっき層を形成し、(８)めっき層を溶融して外部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】深孔相互間の距離を狭くする事ができ、深孔を微細化しても周囲の配線基板から及ぼされる応力の増加が防止でき、信頼性が保たれ、プロセス全体を低コストできる配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】基体の主表面からその反対側裏面の両面に貫通する複数の貫通孔を備え、それらの孔が実質的に金属で埋められて貫通電極とされており、それらの内の少なくとも２以上の電極が電気的に並列に接続されている配線基板の製造方法であって、それらの２以上の孔を形成する場合に、それらの２以上の孔を含む領域より大きいサイズのマスクパターンを利用してそれらの２以上の孔を陽極酸化法を含む自己組織的穴明けプロセスにより所定の深さ以上の孔を形成した後に裏面から基体を削って、孔を裏面に露出させて貫通孔とする事を特徴とする配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板と貫通電極との間で形成される浮遊容量が小さい基板を提供する。
【解決手段】第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３と、ビアホール２ｃ内の面とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜５と、ビアホール２ｃ内で第３絶縁膜５に囲まれた導電体７と、を有し、第１面２ａにおける第１絶縁膜３の厚みに比べてビアホール２ｃ内の面における第３絶縁膜５の厚みが厚くなっている。 （もっと読む）