半導体デバイスの製造において使用される反射防止膜（ＡＲＣ）の層（２０１）。ＡＲＣ層は底部を有し、同底部は、底部上に配置されたＡＲＣ層の部分と比較して低いケイ素含有率を有する。ＡＲＣ層は金属層（１０７）上に形成される。ＡＲＣ層の比較的低いケイ素含有率は、金属層／ＡＲＣ層の界面における望ましくないシリサイドの形成を抑制する。ＡＲＣ層の頂部は、ＡＲＣ層の中間部と比較して低いケイ素含有率を有し、頂部の比較的低いケイ素含有率は、ＡＲＣ層上のフォトレジスト層の汚染を抑制し得る。ケイ素含有率は、蒸着工程中、ケイ素含有ガスの流量に対して窒素含有ガスの流量を減少、又は増大させることによって増大または減少させ得る。
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【課題】銅を主導体層とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。
【解決手段】埋込第２層配線Ｌ２に対して還元性プラズマ処理する際に、ウエハを保持する第１電極に印加する電力を、ウエハに対向する第２電極よりも低くするか零にする。これにより、埋込第２層配線Ｌ２の導電性バリア膜１７ａの露出面が窒化されるので、その後の配線キャップ用の絶縁膜１５ｂの成膜時に導電性バリア膜１７ａの露出部が酸化されてしまうのを抑制または防止することができる。また、酸化バリア用の絶縁膜１５ｂ１を、酸素を用いないガス条件、特に酸化性の高いＮ_２Ｏガスを用いない条件でのプラズマＣＶＤ法等によって堆積する。これにより、導電性バリア膜１７ａの酸化を抑制または防止できる。 （もっと読む）

ポリメタルゲートを構成する高融点金属膜の洗浄工程における欠けを防止し、装置の特性を向上させ、また、洗浄効率を向上させるため、基板１上の低抵抗多結晶シリコン膜９ａ、ＷＮ膜９ｂおよびＷ膜９ｃを、窒化シリコン膜１０をマスクにドライエッチングし、これらの膜よりなるゲート電極９を形成し、ウエットハイドロゲン酸化により薄い酸化膜９ｄを形成した後、ＲＰＮ法を用いて窒化処理を行い、ゲート電極の側壁から露出したＷ膜９ｃをＷＮ膜９ｅとする。その結果、その後の洗浄工程、例えば、ｎ⁻型半導体領域１１やｐ⁻型半導体領域１２の形成時に行われる、１）レジスト膜のホトリソグラフィー工程、２）不純物の注入工程、３）レジスト膜の除去工程および４）基板表面の洗浄工程が繰り返し行われても、Ｗ膜９ｃの欠けを防止でき、また、洗浄液としてＵ洗浄液やフッ酸系の洗浄液のような強い洗浄液を用いることができる。
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応力をもたせた膜が基板上に形成される。基板が処理ゾーンに置かれ、処理ゾーンに与えられたシリコン含有ガス及び窒素含有ガスを有する処理ガスのプラズマが形成される。窒素の如き希釈ガスを加えることもできる。堆積直後のままの応力をもたせた物質を、紫外線又は電子ビームに対して露出させることにより、その堆積物質の応力値を増大させることができる。それに加えて、又はそれとは別に、堆積中にその物質の応力値を増大させるために、窒素プラズマ処理を使用することができる。応力をもたせた物質を堆積させるためのパルス化方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】測定対象の収縮等が生じやすい条件下でも高い精度で測長を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上にレジスト膜を形成した後、レジスト膜に半導体集積回路用の回路パターン、第１のＬ字型測長用パターン３ａ，３ｂ及び十字型のアライメント用モニタパターン４ａ，４ｂを形成し、これらのパターンに基づいて、Ｓｉ基板をパターニングする。その後、Ｓｉ基板の上方に、ポリＳｉ膜を形成し、ポリＳｉ膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜に半導体集積回路用の回路パターン、第２のＬ字型測長用パターン１３ａ，１３ｂ及び十字型のアライメント用モニタパターン１５ｂを形成する。このとき、第２のＬ字型測長用パターンが平面視で第１のＬ字型測長用パターンを１８０度回転させた方向を向くようにする。そして、これらのパターンをマスクとして、ポリＳｉ膜をパターニングすることにより、ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】コーティングの形成前にバルク基材材料からイオウを除去するか、または基材材料の調製の間に、少量の割合の強力な硫化物形成剤（例えば、イットリウムまたはハフニウム）を基材材料に添加して、基材表面に偏析するのに有用な遊離のイオウが存在しないようにすることを提供すること。
【解決手段】基材材料の表面上に、特異的反応性元素のバリア層を形成する方法であって、該基材材料が、該基材材料の表面に偏析し得る１ｐｐｍ未満の遊離のイオウであって、そして特異的反応性元素、ならびにその窒化物、炭化物、または酸化物が、上記特異的反応性元素の対応する窒化物、炭化物、または酸化物よりも不安定である元素をさらに含み、上記方法が、窒化物、炭化物、または酸化物のバリア層を形成する工程を包含する方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線の拡散防止膜としての機能を有し、誘電率が大きくない層間絶縁膜を形成する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜１４を形成し、層間絶縁膜１４に銅配線用溝２２を形成し、溝２２に露出する層間絶縁膜１４を窒素系ガスによるプラズマにより窒化してプラズマによる窒素拡散層１５を形成し、溝２２に銅配線１７を形成し、低誘電率層間絶縁膜２０とシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２と層間絶縁膜２０をにエッチングしてヴィアホール１８を形成し、ヴィアホール１８に露出する層間絶縁膜２０および下層銅配線１７を窒素系ガスによるプラズマにより窒化してプラズマによる窒素拡散層１５および銅配線窒化膜２１を形成し、ヴィアホール１８に銅配線１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 パワーデバイスと、パワーデバイス上の厚いＣｕ電極層２と、Ｃｕ電極層２を覆う有機樹脂膜３とを備える半導体装置において、Ｃｕ電極層２の表面（上面２ａと側面２ｂ）の全領域を覆うように、Ｃｕ窒化膜８を配置する。ここで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との密着性を低下させる主原因は、有機樹脂膜３を通過した酸素がＣｕ電極層２と反応して、Ｃｕ電極層２の表面に酸化膜が生成することである。そこで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との間の領域に、酸素の透過を抑制することができるＣｕ窒化膜８を配置することで、Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を堆積してもシート抵抗が上昇しない配線構造を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第一の高融点金属膜５を形成する工程と、前記第一の高融点金属膜上に高融点金属窒化物の反応物７を持つ第二の高融点金属膜６Ａを形成する工程と、前記第二の高融点金属膜上にシリコン窒化膜８を形成する工程とからなる。これにより、シリコン窒化膜の膜質を変化させることなく、また成膜時のパーティクルの発生を従来方法と同等としたまま、シリコン窒化膜下の高融点金属のシート抵抗の上昇を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大
させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極
等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミ
ニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３
層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域へ
の拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗
値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、そ
の第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、
配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

ピッチが増倍されたスペーサ等のマスクパターンの寸法が、パターン内のフィーチャが形成された後で、フィーチャの制御された成長によって制御される。ピッチが増倍されたスペーサ１７５ａのパターンを形成するために、まず、半導体基板１１０の上にマンドレルのパターンを形成する。次に、マンドレルの上に材料のブランケット層を堆積させ、スペーサ材料を水平面から選択的に除去することにより、マンドレルの側壁にスペーサを形成する。その後、マンドレルを選択的に除去し、自立スペーサのパターンを後に残す。スペーサは、酸化するとサイズが大きくなることで知られているポリシリコンやアモルファスシリコン等の材料を含む。スペーサを酸化して所望の幅９５に成長させる。所望の幅に達した後、スペーサ１７５ａは、下にある層１５０及び基板１１０をパターニングするためのマスクとして用いられ得る。有利なことに、酸化によってスペーサ１７５ａを成長させるため、マンドレルの上に薄いブランケット層を堆積することができ、それにより、よりコンフォーマルなブランケット層を堆積させ、スペーサ形成用の処理窓を拡張することが可能となる。
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【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Ｗの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。 （もっと読む）

【課題】
酸化シリコン層、窒化シリコン層の積層ライナを備えたＳＴＩを有し、帯電を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチの内壁を覆う酸化シリコン層の第１ライナ層と、前記第１ライナ層の上に形成された窒化シリコン層の第２ライナ層と、前記第２ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、前記活性領域に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタと、前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタを覆って，前記シリコン基板上方に形成され，紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜の表面に形成される自然酸化膜の膜厚を薄くし、ボイドの発生を防止した多層配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法において、絶縁層に孔部４を形成する工程と、少なくとも孔部の内壁を覆うように、タンタルと窒素を主成分とするバリアメタル膜５を形成する工程と、バリアメタル膜の表面に形成された酸化膜６を除去する工程と、銅を含むめっき液にバリアメタル膜を浸漬してバリアメタル膜上に無電解銅めっき膜７を形成する工程とを含み、バリアメタル膜に含まれる窒素とタンタルの元素組成比（Ｎ／Ｔａ）を、０．３以上で、かつ１．５以下とする。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層（有機絶縁膜層）３０と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域（ミキシング層３１）を形成した。 （もっと読む）