【課題】、ダマシンインターコネクトのエレクトロマイグレーション特性を向上させるべく銅線内に保護キャップを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）酸化物を含まない銅または銅合金１０７の露呈領域と誘電体の露呈領域とを含む基板１００を、アルミニウムを含む化合物に、少なくとも約摂氏３５０度の基板温度で曝して、前記誘電体および前記銅または銅合金の層の両方の上にアルミニウムを含む第１の層を形成する工程と、（ｂ）前記第１の層の少なくとも一部を化学的に修正して、アルミニウムを含むパッシベーション層１０９を形成する工程と、（ｃ）前記パッシベーション層の上に誘電体層１１１．を堆積させる工程とを備える方法。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させることが可能な成膜方法である。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内で被処理体Ｗの表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマＣＶＤ法により薄膜としてチタンを含む金属膜８を形成する金属膜形成工程と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール工程とを有する。これにより、シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させる。 （もっと読む）

【課題】凹部内のボイドの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の表面に形成されている絶縁膜１００に、凹部１１１を形成する工程と、凹部１１１内にシード膜１０４を形成する工程と、凹部１１１内に、カバーメタル膜１０６を形成する工程と、カバーメタル膜１０６を選択的に除去して、凹部１１１の底部にシード膜１０４を露出させる工程と、凹部１１１の底部に露出されたシード膜１０４をシードとして、凹部１１１内を埋め込むめっき膜１４０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０の上部に形成された素子分離領域１０ａ及び活性領域１０ｂと、半導体基板１０の上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２に少なくとも活性領域１０ｂを露出するように形成され、且つ、素子分離領域１０ａにおける活性領域１０ｂとの境界領域を含む領域に形成されたコンタクトホール１３と、コンタクトホール１３における、活性領域１０ｂの上に位置する第１の底面の上に形成された第１のバリアメタル膜１４と、コンタクトホール１３における、最下端に位置する第２の底面と第１の底面とをつなぐ壁面上に形成された第２のバリアメタル膜１７とを備える。第２のバリアメタル膜１７は、第１のバリアメタル膜１４よりも比抵抗が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極層と配線層との合金化による接合安定性が得られつつ、合金化の進みすぎによる空孔の発生が抑制された半導体素子の配線構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１０の配線構造は、半導体素子１０を構成する半導体層１４上に設けられ、金属により形成された電極層１１と、電極層１１上に設けられ、電極層１１の金属と合金化し得る金属により形成された配線層１２と、電極層１１と配線層１２との間に設けられ、配線層１２と同じ種類の金属を主成分とする、電極層１１の膜厚以下の膜厚を有する中間層１３であって、電極層１１の金属の配線層１２への拡散を防止する、中間層１３の金属の金属化合物膜１３ｂが、配線層１２側の表面に形成されている中間層１３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面側で貫通ビア回りに損傷や欠陥を生じないようにし、あるいは大幅に低減すること。
【解決手段】ビア・ラストにおいて、ＢＥＯＬまで終えたシリコン基板１０に対し、基板のおもて面に穴１６を開け、穴１６の内壁に絶縁膜１８を形成し、穴１６の中にビア導体２４としてＣuを電解めっき法により埋め込んでから、穴１６の底部つまりＣuビア導体２４の底部が露出するまでシリコン基板１０の裏面をウエットエッチングで削る。 （もっと読む）

【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が０．８vol％以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック１８上に載置した基板１０を、ヒータブロック１８によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板１０の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽２２に貯留した蟻酸銅溶液を、基板１０の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板１０の所定面に窒化銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が３以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の上方に形成された電極パッド３０とを有し、電極パッド３０は、第１の融点温度を有する材料からなる第１の層３２と、第１の層３２上に位置するとともに外に向けて表出し、第１の融点温度よりも高い第２の融点温度を有する材料からなる第２の層３３とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド３０への圧力により第１の層３２に達する傷ができても、必要に応じて第１の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の埋め込み不良及び配線抵抗の上昇を抑えると共に、信頼性を向上した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１の上に形成された絶縁膜１０５と、絶縁膜１０５中に形成された、銅を含む材料からなる埋め込み配線１１５とを備えている。絶縁膜１０５と埋め込み配線１１５との間には、白金族元素を含む材料からなるバリア膜１１０が形成されている。絶縁膜１０５とバリア膜１１０との間には、絶縁膜１０５よりも密度が高い高密度絶縁膜１０９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】純ＣｕまたはＣｕ合金のＣｕ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＣｕ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＣｕまたはＣｕ合金のＣｕ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素、および酸素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なＡｌ配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を図ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、Ａｒガスを用いたスパッタリングによって純ＡｌまたはＡｌ合金を第１層として成膜する工程と、前記第１層の上層に、Ａｒ＋Ｎ₂混合ガスまたはＡｒ＋ＮＨ₃混合ガスを用いたスパッタリングによって、前記第１層の材料に加えて窒化アルミニウムも部分的に含む第２層を成膜する工程と、別途形成するコンタクトホールを介して透明膜電極と第１電極の前記第２層とを電気的に接続する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内には、その底部および側壁部に沿ってバリアメタル層２０が形成されている。バリアメタル層２０は側壁部上に堆積された第１の部分と底部上に堆積された第２の部分とを有する。凹部１６、１７内にはバリアメタル層を介して金属配線層が形成される。バリアメタル層２０の第１の部分はＴｉ含有量が５０原子％を超えるＴｉＮ_x膜からなり、第２の部分は第１の部分よりＴｉ含有量が多いＴｉＮ_x膜またはＴｉ膜からなる。 （もっと読む）

【課題】 下部電極とビア配線とのコンタクト抵抗の増大を抑制可能な、容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板１０１上に形成され下部電極１１０と誘電体膜１２０と上部電極１３０とを有する容量素子を含む。容量素子の下部電極１１０は、例えばＴｉ膜である金属膜１１１と、金属膜１１１上に形成されたＴｉＮ膜１１３とを有する。半導体装置は更に、容量素子を覆う絶縁膜１４２と、絶縁膜１４２を貫通して下部電極１１０のＴｉＮ膜１１３と接触するビア配線１５０とを含む。ＴｉＮ膜１１３は好ましくは３０ｎｍ未満の厚さを有する。Ｔｉ膜１１１の表面の少なくとも一部には、ビア配線１５０とＴｉ膜１１１との間に介在するよう、Ｔｉ膜１１１の窒化処理による窒化層１１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】線幅やホール径が小さな凹部や高アスペクト比の凹部に対して十分な埋め込みを行うことが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部６を有する絶縁層４が表面に形成された被処理体Ｗに対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含めて前記被処理体の表面にＴｉを含むバリヤ層１２を形成するバリヤ層形成工程と、前記バリヤ層上にＲｕを含むシード層１６を形成するシード層形成工程と、前記シード層上に前記シード層に対する導通性を補助するためにＣｕを含む補助シード層１６４を形成する補助シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラグとシリサイド領域との間の電気抵抗を小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリサイド領域ＳＣｓ、ＳＣｇを各々が有する少なくとも１つの半導体素子ＮＴ、ＰＴが半導体基板ＳＢ上に形成される。シリサイド領域上に層間絶縁膜が形成される。シリサイド領域ＳＣｓ、ＳＣｇからなる底面を有する内面が設けられたスルーホールＴＨが層間絶縁膜ＩＬＤ１に形成される。内面を被覆するＴｉ（チタン）膜が化学気相成長法によって形成される。内面を被覆するバリアメタル膜を形成するためにＴｉ膜ＴＦの少なくとも表面部が窒化される。バリアメタル膜を介してスルーホールＴＨを埋めるプラグが形成される。 （もっと読む）

【課題】高融点バリアメタル層を形成すること無く、Ｓｉ膜又はＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜の成膜方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】凹部６を有する絶縁層４が表面に形成された被処理体Ｗに対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面にプラズマＣＶＤ法を用いて窒化チタン膜１０の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより前記薄膜を窒化する窒化工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。これにより、抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 剥離の発生の少ない薄膜多層配線基板とその製造方法を提案する。
【解決手段】 少なくとも一つの前記配線層が、下層の配線層上に形成された第一のＳｉＯ_２薄膜と、前記第一のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＯＮ薄膜と、前記ＳｉＯＮ薄膜上に形成された第二のＳｉＯ_２薄膜と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜に埋め込まれて形成された配線導体と、前記配線導体と接続しかつ前記第一のＳｉＯ_２薄膜、前記ＳｉＯＮ薄膜および前記第二のＳｉＯ_２薄膜を貫通して前記下層の配線層の配線導体と電気的に接続するビア導体と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＮ薄膜と、で構成されている。 （もっと読む）