【解決手段】ウエハ上の低誘電率材料及び相互接続材料に損傷を与えることなく、ウエハ上のダマシン処理によるサイドウォールポリマーを除去するための水性洗浄溶液及び洗浄溶液を用いる方法を記載する。 （もっと読む）

マスク層の下にアンダーカット形状を形成するエッチングプロセスによって基板にビアが形成される。ビアはコンフォーマルな絶縁層で覆われ、この構造にエッチングプロセスを実施して水平面から絶縁層を取り除くと共にビアの垂直な側壁の絶縁層を残す。ビアの上部領域はエッチバックプロセスの際、アンダーカットハードマスクによって保護される。
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【課題】マイクロローディング効果を防止しながら、上層配線となる金属配線のレイアウト制約のない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４と、半導体基板１に形成された拡散層５と、半導体基板１の上に形成された絶縁膜７及び絶縁膜８と、絶縁膜及び絶縁膜８を貫通するホール９Ｄに埋め込まれ、側面を絶縁膜１１で覆われた金属材料からなるプラグ１２と、絶縁膜８を貫通しないホール１０Ｂに埋め込まれ、絶縁膜１１からなる絶縁体１０Ｃと、絶縁膜８の上に形成され、プラグ１２と電気的に接続する金属配線１３Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層のコンタクトホールに埋め込まれたコンタクトプラグを介して上層側の金属配線層と下層側の金属配線層とを電気的に接続する際の接続抵抗を低減する。
【解決手段】第２の層間絶縁層の上に少なくともコンタクトホールを形成する位置に開口部を有するレジスト層を形成する工程Ｓ１−４と、レジスト層を用いて第２の層間絶縁層をパターニングすることによって、第２の層間絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成する工程Ｓ１−５と、コンタクトホールの内部に付着したポリマーを含む残渣をスチーム酸化によって除去する工程Ｓ１−７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビア等となる開口内への金属の埋設において、ボイドの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成された第２のｐ−ＳｉＣＯＨ膜２０４の直上に、ハードマスクとしてＴｉＮ膜２０５を形成する工程と、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ＴｉＮ膜２０５および第２のｐ−ＳｉＣＯＨ膜２０４を貫く開口を形成する工程と、前記開口内を洗浄する工程と、前記洗浄工程の後、ＴｉＮ膜２０５を除去する工程と、ＴｉＮ膜２０５を除去後、第２のｐ−ＳｉＣＯＨ膜２０４の直上に、前記開口を埋める第２の金属膜２１４を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【目的】ウェット処理を行った場合でも絶縁膜上に庇形状が形成されない半導体装置の製造方法を提供する。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜上に保護膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、保護膜に第１の開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、第１の開口部内に保護膜よりもウェットエッチングレートが大きい犠牲膜を形成する工程（Ｓ１１６）と、第１の開口部内の犠牲膜に第１の開口部よりも幅の狭い第２の開口部を形成する工程（Ｓ１２２の一部）と、第２の開口部を転写することで絶縁膜に第３の開口部を形成する工程（Ｓ１２２の一部）と、第３の開口部が形成された後に、ウェット処理を行なう工程（Ｓ１２６）と、ウェット処理後に、第３の開口部内にバリアメタル膜を形成する工程（Ｓ１２８）と、第３の開口部内に導電性材料を埋め込む工程（Ｓ１３２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程（ステップＳ１０１）と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、絶縁膜上にレジストを形成する工程（ステップＳ１０３）と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程（ステップＳ１０４）と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程（ステップＳ１０５）と、洗浄した開口部をリンスする工程（ステップＳ１０６）と、含む。ステップＳ１０６では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜であるＳｉＣＯＨ膜とＣｕ配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨを含む層間絶縁膜４とＣｕを含む配線２との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層１５及び酸フッ化層１６が夫々形成されたウエハＷに対して、Ｈ2ガスの供給とシリコン及び炭素を含むＴＭＳＤＭＡガスの供給とを同一の処理容器５１においてこの順番で連続して行うことによって、酸フッ化層１６の還元処理及びダメージ層１５の回復処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板とコンタクト部材との接触抵抗をより低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】
第１の方向に延在し第１の方向と直交する第２の方向に所定の間隔で設けられた活性領域ＡＡと、前記活性領域ＡＡを分離する素子分離絶縁膜１１とが設けられた半導体基板２１ａと、前記半導体基板２１ａの主表面上に形成された第２の層間絶縁膜２４と、前記第２の層間絶縁膜２４内に設けられ、前記半導体基板２１ａ上方の配線と電気的に接続された第１の部分及び、前記第１の部分と接続され、上面視すると前記第１の部分から、はみ出した形状である第２の部分を有するコンタクト部材２２とを備え、前記第１の方向における前記第２の部分最大幅は、前記第１の方向における前記第１の部分の幅よりも広く、前記第２の部分は、前記第１の部分を包囲する前記第２の層間絶縁膜２４に接触していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メチル基を含有する層間絶縁膜３２内に配線溝３７を形成する。配線溝３７が形成された絶縁膜３２に紫外線又は電子線を照射した後に、メチル基を有するガスを用いて絶縁膜の露出面を疎水化する。配線溝３７の疎水化された内面に沿ってバリアメタル層４１を形成し、該バリアメタル層４１を介して配線溝３７を銅配線４３で充填する。一実施形態において、配線溝３７はメタルハードマスク４７を用いて絶縁膜３２をエッチングすることにより形成され、絶縁膜３２への紫外線又は電子線の照射は、メタルハードマスク４７を残存させた状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合に、更に低コンタクト抵抗を確保することができる表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金膜は、表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ｎｉ：０．２〜１．０原子％、Ｃｕ：０．２〜０．８原子％およびＴｉを０．０５〜０．５原子％含有するものであるところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ時のフォトマスクの位置合わせを十分な精度で行うことが可能となる位置合わせ用の目合わせパターンを形成することを課題とする。
【解決手段】基板１上に第１絶縁層２を形成する工程と、第１絶縁層２に、１つ以上の接続孔４と、接続孔４よりも幅が広い位置合わせ用の目合わせパターンを形成するための目合わせ孔３と、を形成する工程と、第１絶縁層２の上に、接続孔４が金属で完全に埋まり、かつ、目合わせ孔３が金属で完全に埋まらないよう金属膜５を形成する工程と、金属膜５の上に、少なくとも目合わせ孔３が完全に埋まるように第１フォトレジスト膜６を形成する工程と、第１絶縁層２をストッパーとしてＣＭＰ処理を行うことで、第１フォトレジスト膜６及び金属膜５の一部を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】 誘電体材料からフォトレジストをストリッピングしてエッチング関連の残留物を除去する方法を改善する。本発明の一の側面に係る方法では、弱酸化剤およびフッ素含有化合物を利用する水素ベースのエッチングプロセスを用いて誘電体層から材料を除去することを含む。基板の温度は、約摂氏１６０度以下、例えば、約摂氏９０度未満に維持される。 （もっと読む）

【課題】タングステンに対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜等の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基と、下記一般式（１）で表される防食剤とを含有する。


（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１７のアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ_２は炭素数１〜１３のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する溝の寸法を制御しやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、デュアルダマシンのビアが形成された下側絶縁膜と、ビアを埋め下側絶縁膜上に延在しレジスト材料でできた樹脂膜と、樹脂膜上に形成された酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上方に形成されたレジストパターンとを有するエッチング対象物に対し、レジストパターンをマスクとし、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、及びＣＨ_３Ｆから選択されたガスの使用量、及び、Ｏ_２及びＡｒから選択されたガスの使用量を定めるレシピを複数含みエッチングチャンバの制御装置に記憶されたレシピ群から選択されたレシピで、酸化シリコン膜をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、ハードマスクを用い、樹脂膜及び下側絶縁膜をエッチングして、デュアルダマシンのトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

電子デバイス製造プロセスは、下部電極層を堆積する段階を含む。次いで、電子デバイスが下部電極層上に製造される。下部電極層をパターニングする段階は電子デバイスを製造する段階後に、上部電極をパターニングする段階とは個別のプロセスで実施される。第１誘電体層は次いで、電子デバイスおよび下部電極層上に堆積され、上部電極層がそれに続く。上部電極は次いで、下部電極とは別のプロセスでパターン化される。上部および下部電極の別々のパターニングにより、電子デバイス間の誘電体材料におけるボイドが減少することによって収率が向上する。その製造プロセスが適切な１つの電子デバイスが、磁気トンネル接合（MTJ）である。
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【課題】基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０の上部に形成された素子分離領域１０ａ及び活性領域１０ｂと、半導体基板１０の上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２に少なくとも活性領域１０ｂを露出するように形成され、且つ、素子分離領域１０ａにおける活性領域１０ｂとの境界領域を含む領域に形成されたコンタクトホール１３と、コンタクトホール１３における、活性領域１０ｂの上に位置する第１の底面の上に形成された第１のバリアメタル膜１４と、コンタクトホール１３における、最下端に位置する第２の底面と第１の底面とをつなぐ壁面上に形成された第２のバリアメタル膜１７とを備える。第２のバリアメタル膜１７は、第１のバリアメタル膜１４よりも比抵抗が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法により絶縁膜に埋め込まれた配線を形成する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜にビアホールや配線トレンチ等の開口部を形成する際のエッチング処理を安定化しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と、有機膜と、第１の開口部を有するレジスト膜とを有する複数の半導体基板について、レジスト膜をマスクとして、第１の開口部内の有機膜をエッチングする工程と、第１の開口部内の絶縁膜をエッチングし、絶縁膜に、配線層を露出する第２の開口部を形成する工程と、第２の開口部内に露出した配線層の表面を水素プラズマ処理する工程とを、同じエッチング装置の処理室で連続して処理する際に、一の半導体基板について水素プラズマ処理を行う工程を行った後、一の半導体基板の次に処理する他の半導体基板について有機膜をエッチングする工程を行う前に、処理室内に付着したＣｕ堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層がデバイスの最終配線層と接触する銅プラグを有する、半導体デバイスを提供する。
【解決手段】銅プラグと絶縁層とを分離する障壁層も存在可能である。他の実施形態では、絶縁層と銅プラグとの間にアルミニウム層も存在可能である。半導体デバイスを生成するためのプロセスも開示される。 （もっと読む）

【課題】 今後の素子の微細化に対応できる、貫通電極を備えた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の主面上に設けられた電極パッド２６と、半導体基板１０の前記第１の主面と前記第２の主面との間を貫通する貫通孔１００内に設けられ、電極パッド２６と接続する貫通電極２３とを具備してなり、貫通孔１００の前記第１の主面側には、電極パッド２６と貫通電極２３とが直接的に接続する第１の接続部と、電極パッド２６と貫通電極２３とが間接的に接続する第２の接続部とを含み、前記第１の主面上に電極パッド２６を形成する工程と、半導体基板１０を加工し、貫通孔１００を形成する工程であって、貫通孔１００内において電極パッド２６の一部が露出する前記工程と、貫通孔１００内に貫通電極２３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）