【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板、反射膜、反射アノード電極、タッチパネルセンサーなどの製造工程において、塩化ナトリウム溶液の浸漬下におけるＡｌ合金表面の腐食やピンホール腐食（黒点）などの腐食を有効に防止できて耐食性に優れており、しかもヒロックの生成も防止できて耐熱性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金薄膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｔａおよび／またはＴｉ：０．０１〜０．５原子％と、希土類元素：０．０５〜２．０原子％と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】特に半導体集積回路（ＩＣ）デバイス製造の分野において、約１００ｎｍより小さい、好適には約７０ｎｍより小さい、更に好適には約５０ｎｍより小さい、より好適には約３５ｎｍより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のタングステン（Ｗ）系金属膜をエッチングし得る半導体基板用エッチング剤、当該エッチング剤を用いるエッチング方法、並びにエッチング剤調製液を提供する。
【解決手段】（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤、（Ｃ）塩基性化合物及び（Ｄ−２）無機酸由来のアニオン種並びに炭酸イオン、モノカルボン酸イオン、ヒドロキシトリカルボン酸イオン及びヒドロキシカルボン酸イオンから選ばれる有機酸由来のアニオン種から選ばれる２種以上のアニオン種０．０１重量％〜３重量％を含む溶液からなる、タングステン（Ｗ）系金属膜上部にタングステンよりもイオン化傾向の低い金属バンプ又は金属配線が形成された半導体基板用エッチング剤、該エッチング剤を用いるＷ系金属膜のエッチング方法、並びに上記（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ−２）を含む溶液からなる、半導体基板用エッチング剤調製液。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。電極配線膜となるＣｕ合金膜８が、Ｓｉ酸化膜７上にスパッタリングにより形成されている。Ｃｕ合金膜８は、０．３〜２．０原子％のＳｎ、Ｉｎ、Ｇａの金属のうち１種以上を含有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ／Ｍｏ積層金属膜、Ｃｕ／Ｍｏ合金積層金属膜、Ｃｕ合金／Ｍｏ合金積層金属膜のような、銅又は銅合金の１層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の１層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、効率的で優秀に同時に一括してエッチングすることができるエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。添加剤イミダゾールは、銅／モリブデンガルバニック反応調節剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記架橋剤（Ｃ）は、分子量が１００〜５００であり、かつ、前記架橋剤（Ｃ）のＳＰ値をＳＰ_１とし、ＳＰ値が１９６２０（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２であるアリルグリシジルエーテルのＳＰ値をＳＰ_２とした場合に、ＳＰ_１−ＳＰ_２＝−１９００〜５４００（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２の関係にあるＳＰ値を有し、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が１〜５００重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されており、該樹脂膜中の無機イオン含有量が１〜１０００ｐｐｂであることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭにおいては、書き込み電流の低減やディスターブ回避を目的に、書き込みに使用する配線を強磁性体膜で覆うクラッド配線構造がよく用いられている。また、高信頼性製品の信頼性確保のためＣｕ配線中に微量のＡｌを添加するＣｕＡｌ配線が広く使用されている。ＭＲＡＭも高信頼性製品に搭載される可能性が高く、信頼性は重要である。しかし、クラッド配線は、もともと配線抵抗が高いＣｕＡｌ配線の配線抵抗を更に上昇させるというデメリットがあるため、両方の技術を同時に使用すると配線抵抗のスペックを満たさなくなる可能性が高い。
【解決手段】本願発明は、多層銅埋め込み配線を有する半導体装置において、ＭＲＡＭメモリセルマトリクス領域を構成する複数の銅埋め込みクラッド配線の銅配線膜を比較的純粋な銅で構成し、これらの配線層よりも下層の銅埋め込み非クラッド配線の銅配線膜を、Ａｌを添加したＣｕＡｌ配線膜とするものである。 （もっと読む）

【課題】従来の蓚酸系エッチング液のような界面活性剤配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生を生じることなく、界面活性剤を一切使用しなくても、濡れ性、泡切れ性が優れ、高精度で透明導電膜をエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤（Ａ）と、（Ｂ）群および（Ｃ）群から選ばれる少なくとも１種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】 基板を薄くしてもその反りを防止するＴＳＶ構造の製造方法を提供する
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に半導体素子を集積させて回路の少なくとも一部を形成する工程と、半導体基板の表面から穴を開ける工程と、穴の内表面に絶縁膜およびバリア膜を形成する工程と、バリア膜の表面に、穴を埋めるように導電性金属を形成する工程と、半導体基板の裏面を加工して厚さを減少させ、導電性金属を突出させる工程と、半導体基板の裏面にＳｉＣＮ膜を設ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された金属層をプラズマエッチングする工程を経て積層構造中に金属層を有するパターンを形成した後、金属層を構成する金属を含みパターンの側壁部に堆積した堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、金属層の側壁部に当該金属の酸化物又は塩化物を形成する保護層形成工程と、フッ素原子を含むガスのプラズマを作用させて堆積物を除去する堆積物除去工程と、保護層形成工程及び堆積物除去工程の後、水素を含むプラズマを作用させて金属の酸化物又は塩化物を還元する還元工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】シリコンデバイスの飽和移動度特性を向上する。
【解決手段】シリコン半導体膜上に、Ｐドープｎ^＋型アモルファスシリコン膜と、該Ｐドープｎ^＋型アモルファスシリコン膜上に形成された配線とを有するシリコンデバイス構造において、前記配線が、前記Ｐドープｎ^＋型アモルファスシリコン膜の表面に形成されたシリコン酸化膜と、銅合金膜とからなり、前記銅合金膜は、１原子％以上５原子％以下のＭｎ及び０．０５原子％以上１．０原子％以下のＰを含む銅合金をスパッタリングにより形成した膜である。 （もっと読む）

【課題】溝部を絶縁膜で埋設する際に、溝部のアスペクト比が大きい場合であっても、内部にボイドを残存させることなく、溝部内に絶縁膜を充填する。これにより微細化した半導体装置の製造を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】隣り合う凸部の間に形成される溝部の上端部においてオーバーハング形状を有すると共に、溝部の上部にボイドを有するように溝部内に溝部用絶縁膜を形成する。凸部の高さ方向に対して斜め方向から、溝部用絶縁膜に不純物をイオン注入することにより、溝部内に形成された溝部用絶縁膜の一部に不純物をドープする。溝部用絶縁膜の不純物がドープされた部分を除去した後、溝部内に溝部用絶縁膜を充填する。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留まりと信頼性を向上させる。
【解決手段】配線凹部に埋め込まれた部分以外のバリアメタル膜３ｂ上のＣｕ膜５ｂを化学機械研磨によって除去する。そして配線凹部内のＣｕ膜５ｂ上に、添加元素からなる層６ｂを形成する。添加元素を層６ｂからＣｕ膜５ｂ中に拡散させて、Ｃｕ表面、及びＣｕ結晶粒の粒界及び該粒界近傍の位置においてＣｕ結晶粒内部よりも添加元素の濃度が高い界面及びその近傍を形成するとともに、Ｃｕ膜５ｂ中の酸素を層６ｂにゲッタリングさせる。その後、余剰な層６ｂを除去し、さらに絶縁膜上のバリアメタル膜３ｂを除去する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供する。
【解決手段】希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 （もっと読む）