【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性を劣化させることなくポリシリコン抵抗素子を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０の抵抗素子形成領域に抵抗素子となるポリシリコン膜３５ａを形成するとともに、トランジスタ形成領域にポリシリコンゲート３５ｂ及び高濃度不純物領域４０を形成する。その後、全面に絶縁膜４１を形成した後、トランジスタ形成領域をフォトレジスト膜４２で覆い、ポリシリコン膜３５ａに導電性不純物をイオン注入する。次いで、フォトレジスト膜４２をアッシングにより除去する。このとき、トランジスタは絶縁膜４１に覆われているため、アッシングによるダメージが回避される。また、抵抗素子領域に導入された導電性不純物が大気中のＯ及びＨと反応して酸が発生しても、ポリシリコンゲート及び高濃度不純物領域４０が酸により溶解することが回避される。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】単結晶シリコン基板に形成されたｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が引っ張り応力を受けるように、導電膜には不純物が導入され、単結晶シリコン基板に形成されたｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が圧縮応力を受けるように、導電膜には不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】第１のコンタクトプラグのゲート電極への短絡を防止する。第1の不純物拡散層と第１のコンタクトプラグの接続抵抗、及び第１と第２のコンタクトプラグの接続抵抗を低減することにより、縦型ＭＯＳトランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】シリコンピラー上部に、非晶質シリコン層及び単結晶シリコン層を形成する。次に、２度の選択エピタキシャル成長法により、シリコンピラー上に順に非晶質シリコン層、及び非晶質シリコンゲルマニウム層を形成する。この後、熱処理により、シリコンピラー上部に単結晶シリコン層を有する第１の不純物拡散層を形成すると同時に、シリコンピラー上に単結晶シリコン層及び多結晶シリコンゲルマニウム層を有する第１のコンタクトプラグを形成する。次に、第１のコンタクトプラグに接続されるように、金属から構成される第２のコンタクトプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜および／または薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、３０原子％以上のＭｏを含有するＡｌ−Ｍｏ合金、またはＭｏと、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＦｅよりなるＸ群から選択される少なくとも１種とを含有するＡｌ−Ｍｏ−Ｘ合金の単層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。
【解決手段】
本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】５００℃酸化処理でも導電性を失わず、仕事関数がＴｉＮ以上であって、しかも貴金属よりも安価な配線材料を提供する。
【解決手段】ＮｉＴｉ混合膜であって、Ｔｉ／（Ｎｉ＋Ｔｉ）で表されるＴｉ含有量が６０−８０ａｔ．％なる組成比である配線材料を用い、この配線材料を５００℃以上の高温酸化プロセスによりＮｉとＴｉＯ_２とを含む混合膜に変換する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有すること。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の絶縁膜を備える一方で、当該絶縁膜上に選択的に設けられたキャップ層を備えておらず、信頼性に優れた半導体装置を効率よくかつ確実に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする、ナノインデンターを用いた測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上である絶縁膜を形成する工程を有する一方で、絶縁膜上にキャップ層を形成する工程を有していない。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上と信頼性向上を両立することができる半導体装置用絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ配線２１上に形成する半導体装置用絶縁膜として、プラズマにより解離したアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合した第１の膜２３、第２の膜２４を形成する際、配線２１に接する第１の膜２３の膜中炭素量を９％以上、かつ、３５％以下とすると共に、第１の膜２３及び第２の膜２４全体の実効誘電率を４．０以下とする。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第１の析出物について、円相当直径２０ｎｍ以上の析出物が５００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）