【課題】回路規模が増大化する。
【解決手段】抵抗値が順に小さい値となって直列接続される複数のヒューズを備えるヒューズ部と、前記ヒューズ部の複数のヒューズのそれぞれ一端と、第１の電源電圧との間に接続される複数の選択スイッチと、前記第１の電源電圧から所定の電位差を有するヒューズ溶断用電圧を、前記ヒューズ部の最も小さい抵抗値のヒューズ側に出力するヒューズ溶融電圧出力回路と、ヒューズ溶断時に、前記ヒューズ溶融電圧出力回路が前記ヒューズ溶断用電圧を出力し、前記ヒューズ部の最も大きい抵抗値のヒューズに接続される選択スイッチから最も小さい抵抗値のヒューズに接続される選択スイッチまでを順に導通させる制御回路と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＰのチップ間を接続するための端子数が増加する。
【解決手段】パッケージ内部に第１の半導体チップと第２の半導体チップが集積される半導体集積回路であって、前記第１の半導体チップは、第１の通信部と、複数のアナログ回路とを備え、前記第２の半導体チップは、第２の通信部と、前記複数のアナログ回路の特性調整用データを格納するメモリ部とを備え、前記第１の通信部と前記第２の通信部とがシリアルデータ通信線で接続され、前記シリアルデータ線を経由して前記第１の半導体チップが備える複数のアナログ回路の特性調整用データをそれぞれ複数のアナログ回路に転送する半導体集積回路。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＤ製造プロセスと同じ工程で大受光径ＰＤの帯域を拡大して、光受信部の高速化を図る。
【解決手段】 受光デバイスは、半導体基板の上方に形成された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上の光吸収層、および前記光吸収層上の第２導電型の第２半導体層の積層構造を有する光検出素子と、前記半導体基板の上方で、前記光検出素子に接続されるインダクタと、前記光検出素子で生成された電流を前記インダクタを介して取り出す出力電極と、前記光検出素子にバイアス電極を印加するバイアス印加用電極と、前記インタダクタの金属配線と交差して、前記光検出素子と、前記出力電極又は前記バイアス印加用電極との間を電気的に接続する交差配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップが積層された構造を有する半導体装置において、パンプ電極ＢＰ＿０に接触せずに、かつ、貫通電極ＴＳＶ＿０の負荷容量を増やさずにテストできる半導体装置１０を提供する。
【解決手段】積層された複数の半導体チップ２１〜２４のそれぞれが、バンプ電極ＢＰ＿０と、テストパッドＰＡＤ＿０と、テストパッドから供給される信号を受け取りバンプ電極に供給するテストバッファＴＤ＿０と、テストバッファの活性状態と非活性状態とを制御する制御信号を供給するバッファ制御部ＢＣとを含む。 （もっと読む）

【課題】集積電力段において、入力電圧を集積電力段の一側面（例えば上面）で受け取り、出力電圧を集積電力段の反対側面（例えば底面）から出力する。
【解決手段】集積電力段は負荷段の上に位置する共通ダイを備え、共通ダイはドライバ段１０２及び電力スイッチ１０４を備える。電力スイッチは制御トランジスタ１１０及び同期トランジスタ１１２を含む。制御トランジスタのドレインＤ１が共通ダイの入力電圧を共通ダイの一側面（例えば上面）で受ける。制御トランジスタのソースＳ１が同期トランジスタのドレインＤ２に結合され、前記共通ダイの出力電圧を共通ダイの反対側面（例えば底面）で出力する。電力段の下にインターポーザ１０６を含めることができる。インターポーザは共通ダイの反対側面で共通ダイの出力電圧に結合される出力インダクタ１１８及び必要に応じ出力キャパシタ１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上の半導体チップのアナログ特性の測定を精度良く行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ１の被測定部３は半導体素子３ａ、回路３ｂである。被測定部３のアナログ特性を測定する測定回路４を設けている。測定回路４は、外部電源からプローブ針Ｐａ、Ｐｂを介して給電され、内部で測定用印加電圧を生成し、配線パターン５を介して被測定部３に印加する。測定回路４は、被測定部３の出力を配線パターン５から入力し、デジタルデータに変換する。測定回路４と配線パターン７を介して半導体チップ２の不揮発性メモリ６に接続され、デジタルデータが転送記憶される。一連の測定が終了した後に、不揮発性メモリ６からデジタルデータを取り出す。プローブ針の接触抵抗や浮遊容量の影響を低減して精度良いアナログ特性の測定ができる。 （もっと読む）

【課題】配線層とビア層との剥離箇所を簡単に特定できる技術を提供する。
【解決手段】第１層配線層のパターンの導体部は、所定の方向Ｘに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Ｘに交差する所定の方向Ｙに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、第２層配線層のパターンの導体部は、所定の方向Ｘに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Ｘに交差する所定の方向Ｙに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記方向Ｘ（方向Ｙ）に沿って設けられた第１層配線層と第２層配線層とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、第１層配線層と第２層配線層とは、両方向ともに平面視において共通する或る位置において、電気的に接続し一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成されている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体（ＭＯＳ）出力回路とその形成方法の提供。
【解決手段】第一パッド６１と、ゲート、第一の供給電圧に電気的接続のソース、ドレインを含む基板で第一型の第一ＭＯＳトランジスタ６２と、ゲート、制御信号を受信する構成のソース、第一ＭＯＳトランジスタのゲートに電気的接続のドレイン、本体を含む基板で第一型と反対の第二型の第二ＭＯＳトランジスタ６５と、バイアス信号を受信する構成のゲート、第二供給電圧に電気的接続のドレイン、第二ＭＯＳトランジスタのソースに電気的接続のソース、第一参照電圧に電気的接続の本体を含む基板で第一型の第三ＭＯＳトランジスタ６６とを含み、第二ＭＯＳトランジスタの本体は第三ＭＯＳトランジスタのソースに電気的接続、一時的な信号イベントの第一パッド上の受信の場合、第二ＭＯＳトランジスタのドレインから第二供給電圧まで第二ＭＯＳトランジスタの本体を流れる電流を妨げる集積回路。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、半導体構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部誘電層（１５１）へ接合された基板（１０３）、および、下部電極（１２１）を通じて前記下部誘電層（１５１）と接合される垂直方向半導体装置（１１１）を含む半導体構造であって、前記垂直方向半導体装置（１１１）は、ｎ^＋−ｐ−ｎ^＋層（１２４）を有する隔離構造（１３５）を含む。 （もっと読む）

【課題】実使用時におけるクロストークの発生の抑制と、実使用時以外における信号用端子の確保とを半田ボールを増加させずに実現することが可能な半導体集積回路及びＢＧＡパッケージが提供される。
【解決手段】半導体集積回路１０が提供される。バッファ１５は、マクロ１１に接続される信号入力端子１５ａと、パッド２１に接続される信号出力端子１５ｂとを備える。バッファ１５は、マクロ１１が出力するバッファ制御信号４１に基づいて、信号入力端子１５ａに入力される信号を信号出力端子１５ｂから出力する動作状態と信号入力端子１５ａに入力される信号を信号出力端子１５ｂから出力しない非動作状態とが切り替わる。バッファ１６は、バッファ制御信号４１に基づいて、パッド２２とマクロ１２とを接続するマクロ接続状態とパッド２２とグラウンド電位１４とを接続するグラウンド電位接続状態とが切り替わる。 （もっと読む）

【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第１配線層１５０を構成する絶縁層の表層には、第１配線１５４及びゲート電極２１０が埋め込まれている。第１配線層１５０と第２配線層１７０の間には、拡散防止膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０は、拡散防止膜１６０のうちゲート電極２１０と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程での誤判定を受けにくい半導体チップおよび半導体ウェハを提供する。更に、配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程で誤判定を受けにくい半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】電極パッド領域は、絶縁膜（７）上で一列に配列されたｎ個（ｎ≧３）の電極パッド（４_ｍ−４から４_ｍ＋４）を備える。内部セル領域は、電極パッド領域側に配列されている半導体回路（３_ｌ−３から３_ｌ＋３）にそれぞれ接続された配線（ＶＤＤＬ）をｎ個の電極パッドの配列方向に備える。ｎ個の電極パッドの内、第１の電極パッド（４_ｍ−１）と、第１の電極パッドから１個の電極パッドを隔てた第２の電極パッド（４_ｍ＋１）とが、絶縁膜中で互いに接続され、かつ、配線Ｌ_ｍ−１およびＬ_ｍ＋１によって、配線（ＶＤＤＬ）にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｎ型基板１０と、Ｎ型基板１０の一面側に設けられたＰ型ウェル４０と、Ｐ型ウェル４０に設けられたＰ型高濃度不純物領域４２と、Ｐ型ウェル４０に設けられたＮ型のソース・ドレイン領域を有するＭＯＳトランジスタ２０と、Ｎ型基板１０の一面側に設けられ、かつ一方がＰ型高濃度不純物領域４２と電気的に接続し、他方が接地されているソース・ドレイン領域を有するＭＯＳトランジスタ３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に半導体素子と内部回路とが設けられた半導体装置において、半導体素子及び内部回路の各温度を検出するセンサを効率的に配置してレイアウトの自由度を高めることができ、且つ半導体素子及び内部回路の各温度をより正確に検出し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板５の一方面側に、スイッチング素子２０と、このスイッチング素子２０の配置領域から距離を隔てて内部回路３０が配置されている。また、スイッチング素子２０に隣接して、周囲に第１絶縁膜２７が形成された第１温度検出素子２４が設けられている。さらに、内部回路３０よりもスイッチング素子２０に近い側に、周囲に第２絶縁膜２８が形成された第２温度検出素子２５が設けられている。そして、第２絶縁膜２８の厚さが第１絶縁膜２７の厚さよりも大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ積層後に、チップごとにクラックの有無検出可能な半導体装置の提供。
【解決手段】積層半導体装置において、半導体チップ２１〜２４は、基板１０とこの表裏面の対向する位置に形成した対のテスト端子と配線６１を備える。これらは、一対の（表側）第１のテスト端子６２１ｈ、（裏側）第１のテスト端子６２１ｔ及び複数対の（表側）第２のテスト端子６２２〜６２５ｈ、（裏側）第２のテスト端子６２２〜６２５ｔで、貫通電極ＴＳＶＴ１が（表側）第１のテスト端子と（裏側）第１のテスト端子を接続し、貫通電極ＴＳＶＴ２〜５が対の（表側）第２のテスト端子と（裏側）第２のテスト端子同士を接続し、配線は、一端が第１のテスト端子と、他端が第２のテスト端子の一つに接続され、基板の外周に沿って延びる。また異なる半導体チップの上下に隣接する第２のテスト端子同士も接続する。 （もっと読む）

【課題】パッドの下方に半導体素子を設けることができ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】素子形成領域１０Ａと該素子形成領域１０Ａの周囲に設けられた素子分離領域２０とを有する半導体層１０と、前記素子形成領域１０Ａ内に形成された素子３０と、前記半導体層１０の上方に設けられた層間絶縁層６０と、前記層間絶縁層６０の上方に設けられ、平面形状が短辺と長辺とを有する長方形である電極パッド６２であって、前記素子３０と平面視で少なくとも一部が重複する前記電極パッド６２と、を含み、前記半導体層１０において、前記電極パッド６２の前記短辺の鉛直下方から外側に位置する所定の範囲は、素子禁止領域１２である。 （もっと読む）

【課題】従来の入出力セルよりも回路面積の大きな入出力セルを面積効率良く配置する。
【解決手段】半導体装置において、複数の第１バッファセル３１〜３４は、基板の一辺に沿って１列に設けられる。複数の第２バッファセル２１，２２は、複数の第１バッファセルよりも基板の中央寄りの位置に、複数の第１バッファセルの配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第１パッド８１〜８８は、複数の第１バッファセルの上部に上記配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第２パッド６１〜６６は、複数の第１パッドよりも基板の中央寄りの位置に、上記配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第２パッド６１〜６６は、各々が、複数の第１バッファセルのいずれか１つと個別に接続される複数の第３のパッド６１，６３，６５，６６と、各々が、複数の第２バッファセルのいずれか１つと個別に接続される複数の第４パッド６２，６４とを含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性と耐久性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電ベースプレートと、導電ベースプレート上に接合される半導体チップと、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の中央部に配置された第１接着剤と、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の周辺部に配置された第２接着剤とを備え、第１接着剤は第２接着剤よりも相対的に熱伝導率が高く、第２接着剤は第１接着剤より相対的に接合力が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の単一チップに形成された貫通ビアの不良の可否をテストすることができ、またパッケージングされた半導体集積回路に形成された貫通ビアの不良の可否をテストすることができる半導体集積回路のテスト回路及び方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路のテスト回路１は貫通ビア１００、電圧駆動部２００及び判定部３００を含む。前記貫通ビア１００は入力電圧Ｖ１を受信する。前記電圧駆動部２００は前記貫通ビア１００と連結されて前記入力電圧Ｖ１を受信し、テスト制御信号ＥＮ＿Ｐ，ＥＮ＿Ｎに応答して前記入力電圧Ｖ１のレベルを変化させてテスト電圧ＶＴを生成する。前記判定部３００は前記入力電圧Ｖ１及び前記テスト電圧ＶＴを比較して結果信号を出力する。 （もっと読む）