【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、Ｖピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、ｐ型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にＶピットが形成されており、Ｖピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装に適した互いに段差の無い第１の接続電極および第２の接続電極を備えた光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、第１の導電型の半導体からなる第１の半導体層１２と、第２の導電型の半導体からなり、第１の半導体層の上面の一部に形成された第２の半導体層１３と、第１の半導体層１２の上面における他の一部に形成された第１の電極１４ａと、第２の半導体層１３の上面に形成され、第１の電極の上面よりも高い位置にある上面を有する第２の電極１４ｂと、第１の電極の上面に形成された第１の接続電極５２と、第２の電極の上面に形成された第２の接続電極５１と、第１の半導体層１２の表面と第２の半導体層１３の表面とを覆う絶縁性の保護膜１５であって、第１の半導体層１２の表面の一部を露出させる開口部２１を有する保護膜１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温ＮＨ₃雰囲気下においても耐久性が高い透明かつ導電性の中間膜を有し、半導体デバイスの製造に好適に用いられる複合基板およびその製造方法、ならびにかかる複合基板を用いた半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板１は、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０と、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０上に配置された中間ＧａＮ系膜３０と、中間ＧａＮ系膜３０上に配置された単結晶ＧａＮ系層２１と、を含む。本半導体デバイス２は、複合基板１と、複合基板１の単結晶ＧａＮ系層２１上に配置された少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたｎ型またはｐ型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも２層の第１メタル層と、該第１メタル層と交互に積層された第２メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第２メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第２メタル層以外の第２メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第２メタル層を構成する第２メタル材料は該第１メタル層を構成する第１メタル材料よりも導電率は低いが該第１メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に形成された複数の半導体発光素子を分割して発光チップを製造する場合に、発光チップの生産性を向上させる。
【解決手段】成長用基板および複数の半導体発光素子を有する素子群形成基板と基部とを接合部で接合する接合工程（Ｓ１３）と、これらの積層体から成長用基板を分離する成長用基板分離工程（Ｓ１４）と、複数の半導体発光素子、接合部および基部の接合体と基材とをワックス層で接着する支持用基板接着工程（Ｓ１５）と、これらの接着体に対し基部および接合部を貫通する外部電極を形成する外部電極形成工程（Ｓ１７〜Ｓ２２）と、外部電極が形成された接着体からワックス層および基材を分離する支持用基板分離工程と、外部電極が形成され且つ基材が分離された接合体に対し基部および接合部を分割する分割工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図る。
【解決手段】支持基板３０と、発光層１２を含む半導体膜１０と、光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられた光反射層２０、から形成され、表面電極は、半導体膜とオーミック接触する第１の電極片４３と、第１の電極片に電気的に接続され且つ半導体膜とショットキー接触する第２の電極片４１と、を含み、光反射層に形成される反射電極は、第１の電極片と互いに重ならないように配置され半導体膜とオーミック接触する第３の電極片２１Ｄと、第３の電極片に電気的に接続され半導体膜とオーミック接触し且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含み、第１の電極片と第４の電極片との間の半導体膜の主面方向における最短距離は、第１の電極片と第３の電極片との間の同方向における最短距離よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】Top Emitting型の深紫外発光ダイオードの効率を改善し、高効率で安価な深紫外発光ダイオードを提供する。
【解決手段】p型電極7の主成分をAgとし、膜厚を6nmとする。発光層4の発光波長を320±5nmに調整する。発光層4としては、InAlGaNなどの窒化物半導体層、MgZnOなどの酸化物半導体層を利用する。 （もっと読む）

【課題】反射膜材が基板の側面へ付着するのを防止した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１の面１１ａから第２の面１１ｂ側に向かって略垂直に延在する第１の領域１１ｃ１と第１の領域１１ｃ１から第２の面１１ｂ側に向かって末広がり状に傾斜した第２の領域１１ｃ２を有する側面１１ｃを備えている。第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１２が基板１１の第１の面１１ａに形成されている。反射膜１５が基板１１の第２の面１１ｂに形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取出し面における電流密度分布の偏りを小さくする。
【解決手段】第１主面及び第２主面を有する半導体部１０と、第１主面上に配置された第１電極２０と、第２主面上に配置された第２電極と、を備え、第１電極は第１接続部２１と、第２接続部２２と、を備え、第１接続部から延伸する第１延伸部２３と第３延伸部２５と、第２接続部から延伸する第２延伸部２４と第４延伸部２６と、を備え、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部が部分的に互いに平行となる平行領域を有し、第３延伸部の第１接続部から平行領域までの距離は第１延伸部の第１接続部から平行領域までの距離よりも長く、第４延伸部の第２接続部から平行領域までの距離は第２延伸部の第２接続部から平行領域までの距離よりも長く、平行領域において第３延伸部と第４延伸部との距離は第１延伸部と第３延伸部との距離及び第２延伸部と第４延伸部との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、素子搭載基板２０と、素子搭載基板２０に搭載されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１を封止する封止部材２２と、ＬＥＤ素子２１から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層２３とを有する発光部２を備え、発光部２は、蛍光体層２３が封止部材２２の外部であって、ＬＥＤ素子２１の発光面に対向する面内に外部領域側の蛍光体層２３０として配置されている。 （もっと読む）

【課題】活性領域で生じる熱を素子外部に効率的に逃すうえで好ましい構成を備えた窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】
窒化物系発光ダイオード素子は、ｐ型層と、前記ｐ型層に積層されたｎ型層と、前記ｐ型層と前記ｎ型層とに挟まれた発光層と、を含む窒化物半導体積層体と、前記ｐ型層の表面上に設けられたｐ側電極と、前記ｎ型層に接続されたｎ側電極と、を備える。前記ｐ側電極は、前記ｐ型層との接触面を有するオーミック接触層と、前記ｐ型層とで前記オーミック接触層を挟むように設けられた熱伝導性メタル層とを有しており、前記窒化物半導体積層体の積層方向に直交する平面である素子平面に対する前記熱伝導性メタル層の投影面積が、前記素子平面に対する前記接触面の投影面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１４を形成し、さらにその上に、発光層１２が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜２ｂを有した電極２１，２２を形成する。そして、電極２１，２２の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜２ｂの表面に酸化被膜２ｂｘを形成する。これにより、反射膜２ｂの耐食性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を保ちつつ輝度が高められた半導体発光素子および量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、反射層と、支持基板と、第１接合電極と、第２接合電極と、を有する。前記反射層は、前記半導体積層体の側の第１の面および前記第１の面の反対の側の第２の面を有し、金属からなる。前記第１接合電極は、前記第２の面と前記支持基板との間に設けられ、前記支持基板の側に突出した凸部と、平面視で前記凸部の周囲に設けられた底部と、を有する。前記第２接合電極は、前記第１接合電極の前記凸部と嵌合する凹部を有し、前記支持基板と、前記第１接合電極と、を接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）