貼り合わされたデバイス構造であって、好ましくはデバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、好ましくはデバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。
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【課題】 接合時にバンプや半導体装置に過剰な力が作用するのを防ぐと共に、半導体装置と接合対象物間の安定したギャップ制御性にも優れた半導体装置の接合方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１のバンプ配置面１ａにおけるバンプ２の配置されていない部分と接合対象物４との間に、バンプ２の高さより大きい厚さの樹脂材３を介在させてバンプ２が接合対象物４に接触しない状態で接合対象物４に対して半導体装置１を押し込む工程と、この押し込み時に樹脂材３を介して半導体装置１が受ける反力を検出する工程と、樹脂材３及びバンプ２を加熱溶融させ、反力が検出された位置から所定量だけ半導体装置１を接合対象物４に近づけて溶融したバンプ２をランド５に接合させる工程と、樹脂材３を加熱硬化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】超音波フリップチップ接合において、フィルム基板の突起電極の高さばらつきが２μｍ〜４μｍある場合や、超音波の縦振動が加わった場合に、超音波フリップチップ接合時に半導体素子にダメージを与えてしまうという問題を解決する。
【解決手段】半導体装置の製造装置のステージ１において、そのステージ１表面に形成された真空吸着溝２の内側に弾性体３を形成させ、超音波フリップチップ接合において、半導体素子６の電極９とフィルム基板５の突起電極７とを加熱加圧しながら超音波を印加した時に、半導体素子６の突起電極７の高さばらつきが２〜４μｍある場合においても、弾性体３が突起電極７の高さばらつきを個々に吸収するため電極９の下地にダメージを与えることはなく、また、その際に発生する不要な縦振動成分が加わった場合においても、弾性体３がその縦振動を吸収するため、電極９の下地へのダメージをなくすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】接続部にかかる応力を緩和し、接続部の信頼性を向上させることができる電子部品実装構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】端子電極２が設けられた電子部品１と、電子部品１の端子電極２上に形成され、端子電極２に接する下面部に対して対向する上面部の面積が小さい形状を有する第１の突起電極７と、配線電極６が設けられた基板５と、上記端子電極２に対応する位置の配線電極６上に形成され、配線電極６に接する下面部に対して対向する上面部の面積が小さい形状を有する第２の突起電極８とを有し、電子部品１と基板５とは、第１の突起電極７および第２の突起電極８の上面部同士を接合してなる一体化突起電極３により実装され、かつ、第１の突起電極７および第２の突起電極８は金属材料からなり、少なくとも一方は粒状樹脂４および気泡の少なくとも１つが分散されている構成からなる。 （もっと読む）

【課題】 バンプの高さのバラツキに追従することができる圧接型シートコネクタ及び電気接合物の接続構造体を提供する。
【解決手段】 検査回路基板１と、検査回路基板１に対する半導体パッケージ１０と、検査回路基板１と半導体パッケージ１０間に介在される圧接型シートコネクタ２０とを備え、圧接型シートコネクタ２０を、検査回路基板１と半導体パッケージ１０間に介在される変形可能なエラストマーシート２１と、エラストマーシート２１に内蔵されて両端部２３が露出し、検査回路基板１と半導体パッケージ１０間を導通接続する複数の金属細線２２とから構成し、エラストマーシート２１の表面積における金属細線２２の占有率を５〜１９％とするとともに、エラストマーシート２１を３０°〜７０°Ｈｓの硬度とし、各金属細線２２の径を５〜４０μｍとする。 （もっと読む）

【課題】 常温での接合が可能であり、実装の位置精度も向上する半導体チップのフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】
半導体チップ５２のフリップチップ実装方法において、半導体チップ５２の基板５０への搭載前もしくは接合時に、絶縁性接着剤５１に熱以外の硬化トリガーを与える工程と、該硬化トリガーを与えたことにより絶縁性接着剤５１の硬化が進行する間に、半導体チップ５２のバンプを基板５０のパッドに圧接方法もしくは金属間結合方法により接合する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程が可能で、かつ薄型化が可能な半導体装置および半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 基板上に電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターンが形成された基板に、電子部品である集積回路を位置決めされた所定の電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターン電極と対向させる。ここに、電子部品は、基板の電極と接合するために接合部電極上にある電気絶縁樹脂を排除する。集積回路がフリップチップボンデイング装置のヘッドに吸着され熱及び荷重及び超音波振動を印加することにより所定の電極上にある電気絶縁樹脂を排除し、導電バンプが金属配線パターンと接合または接触して導通を得る。 （もっと読む）

【課題】 樹脂製の突起体４の吸湿を防止して、相手側部材との電気的接続の信頼性を向上させることが可能な、半導体装置を提供する。
【解決手段】 電極２と、電極２よりも外側に突出して形成された樹脂材料からなる突起体４と、電極２上から突起体４の頂部に延設されるとともに電極２と電気的に接続された導電膜５とを有する半導体装置であって、突起体４の表面全体が、非透湿性部材を含む導電膜５で覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、支持体上でのシリコンチップ等の電子コンポーネントの組立てプロセスに係わり、その方法は、予め定められた少なくとも１つのパッド（４１Ａ）に１つのバンプ（４２）が備わっている、複数の接続用パッドを有する電子コンポーネント（４０）を提供する手順と；前記バンプを介して前記予め定められたパッドに電気的に接続すべき少なくとも１つの端子（３１）を有する支持体（３０）を提供する手順と；バンプが備わった前記予め定められたパッドと前記端子を対面させて置き、前記バンプと前記端子を接触させ、既定の温度及び圧力条件下でこれらを互いに組み立てる手順と；を具備する。前記バンプと前記端子を接触させ固定する前に、前記端子の表面を絶縁層（３２）で被覆し、前記絶縁層は、前記温度及び圧力条件下で前記バンプが横断できるように選択された材料でできている。
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【課題】 半導体チップがバンプを介して配線基板に電気的接続された半導体装置であって、半導体チップを配線基板に実装する際に、バンプからの反作用により半導体チップおよび配線基板に負荷される荷重が低減された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップの電極表面および配線基板に接合された小さなばね定数を有するバンプの接合端面を平坦化および活性化し、高温高圧を負荷する必要のない常温接合技術を用い、バンプを介して半導体チップの電極と配線基板の電極とを電気的接続する。 （もっと読む）

【課題】 接続相手の回路基板において制約の少ない配線形成を可能とし、高集積化、高信頼性化が可能な半導体装置およびこの半導体装置とこれと接続される回路基板からなる接続構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置は半導体チップ（１）と、この半導体チップを支持し、前記半導体チップの接続電極が下面側に形成されると共に、階段状の突出部分を有する基板（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ）とを備え、前記基板の前記階段状の突出部分は前記基板の外周に向かうにしたがって段階的に突出量が減少することを特徴とする。接続構造はこのような半導体装置と、その突出部分を収納する階段状に形成された凹部であって、その表面に前記突出部分に形成された接続電極と接続される配線パッドを有する配線基板とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップとＩＣチップに電気的に接続された電気回路を備えた電子装置において、その製造コストを低減できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＣチップ２と電気回路３とを備えた電子装置１の製造方法であって、導電性材料を含むシートを打ち抜き加工して、電気回路３を形成する工程と、ＩＣチップ２の端子部分と電気回路３の端子部分とが接するように、ＩＣチップ２を電気回路３上に配置する工程と、ＩＣチップ２が配置された電気回路３を絶縁シートで覆い、真空ラミネート処理で密封して、ＩＣチップ２の端子部分と電気回路３の端子部分を圧接し、ＩＣチップ２と電気回路３を絶縁保護する工程と、を含む電子装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】部品の電極を接合性よく基板に接合して実装することができる部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハからダイシングによって切り出されたＬＥＤ素子８を電極を上向きにした姿勢で保持するウェハ治具６から個片のＬＥＤ素子８を取り出して基板に実装する部品実装方法において、リング状の補強部材であるウェハリング９によって外周部を補強されたシート７に複数のＬＥＤ素子８を貼着保持したウェハ治具６をプラズマ処理装置の真空チャンバ１内に配設された下部電極３上に載置し、ＬＥＤ素子８の電極形成面をプラズマ処理によって清浄化した後、ＬＥＤ素子８をウェハ治具６から取り出して基板に実装する。これにより、微小部品であるＬＥＤ素子８を安定して保持した状態でプラズマ処理して、電極を清浄化することができる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ技術デバイスに関し、例えば接着や溶接といったような従来技術における脱ガスというリスクを導入することがないようにして、組立を行うこと。
【解決手段】 本発明は、少なくとも２つの部材（３２，４０）を具備してなるマイクロ技術デバイスに関するものであって、各部材が、磁界生成手段（３４，４２）を備え、部材どうしが、それらの磁界生成手段の間の磁気的相互作用によって、互いに直接的に固定されている。 （もっと読む）

【課題】従来の圧着装置を用いた熱硬化性樹脂ペーストによる半導体ベアチップ実装では、半導体ベアチップの外周辺中央付近に集中して樹脂ペーストが１．０ｍｍ程度はみ出すため、それより内側に周辺部品を搭載することができず、モジュール部品の小型化の弊害となっていた。本発明では樹脂ペーストのはみ出しを最小限に抑えることを目的としている。
【解決手段】本発明の圧着装置では、半導体ベアチップ２の外周辺中央付近に位置する部分が低温部１ｂとなった圧着ツール１を用いることにより、半導体ベアチップ２に熱と圧力を加えた時に、半導体ベアチップ２の外周辺中央付近では温度上昇が少なく、樹脂ペースト３も加熱される部分に比べて粘度が高くなり、流動が抑制されて、はみ出しが減少し、従来よりも半導体ベアチップ２に近接して周辺部品を搭載できるようになり、モジュール部品の更なる小型化が可能となる。 （もっと読む）

洗浄チャンバと、該洗浄チャンバ内において減圧下で接合面にエネルギー波を照射する洗浄手段と、洗浄チャンバ内から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段と、少なくとも一方の被接合物に関して先行する被接合物と後続の被接合物とを、実質的に同時に、少なくとも洗浄チャンバ内への搬入方向および洗浄チャンバ内からの搬出方向に搬送する搬送手段とを有する接合装置。洗浄した被接合物を大気中に取り出して接合するに際し、特に洗浄チャンバ周りの被接合物の搬入や搬出、受け渡しを円滑にかつ短時間で行うことができ、高スループットで所定の接合製品を量産することができる。その結果、接合工程全体のタクトタイムの短縮と、接合工程に要するコストの低減が可能となる。
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【課題】 ＩＣチップのバンプ面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップの効果により、従来のＩＣチップを配線基盤に実装する作業工程に比較しロス率の低下の改善を実現する。
【解決手段】 ＩＣチップの端子（バンプ）面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップ及び粘着剤付きＩＣチップの実装方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】負荷のかかる部分の下にＭＯＳトランジスタを置いた場合にＭＯＳトランジスタの特性、特に電気特性が変動してしまうことを逆に利用することで半導体装置の電気的な特性を制御する方法やその組立方法について提供する。
【解決手段】半導体チップ(1)基板内に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(2)を含む半導体装置であって、電流能力及びしきい値電圧が所定値と異なるＭＯＳトランジスタ(2)の上部に、バンプ(6a)を形成し、前記バンプ(6a)を基板に固定する。これにより、従来は電気特性異常であった半導体装置の電気特性改善が可能となる。また、半導体特性の向上や能力ＵＰさせる方法や組立方法の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高速伝送、多層化対応を図り、半導体チップ設計の制約を減らす。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも２つの積層された半導体チップ１，２と、半導体チップ１，２同士を電気的に接続する接続構造とを有している。接続構造は、第１の半導体チップ１に設けられた第１の電極１１と、第２の半導体チップ２に設けられた第２の電極２１と、第１、第２の半導体チップ１，２の間に挟まれた接合ボード５とを有している。接合ボード５は、第１の電極１１と対向する第１の接続電極５２と、第２の電極２と対向する第２の接続電極５３と、接合ボード５を貫通するスルーホール５４と、スルーホール５４と第１、第２の接続電極５２、５３とを電気的に接続する配線５５，５６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 対象物の洗浄処理に係る構成を簡素化し、金属接合を容易に実現する。
【解決手段】 接合装置１０１は、電子部品１を保持する吸着ノズル１１、回路基板２を上記電子部品と対向させて保持する基板ステージ９、及び位置決めが施された状態の上記電子部品と上記回路基板との間の照射位置に配置可能なエキシマ紫外線ランプ２１を備える。このような上記接合装置において、上記電子部品の金バンプ及び上記回路基板の基板電極に対する紫外線の照射が上記エキシマ紫外線ランプにより同時に行われて両金属部の洗浄処理を行った後、両金属部を互いに接触させた状態で超音波振動を付与して、両金属部の金属接合を行う。 （もっと読む）