【課題】 基板を保持する基板ホルダー、及び該基板ホルダーを回転自在に保持し外周に外部からの回転駆動力の伝達を受ける歯車部を有するサセプタが備えられた気相成長装置であって、歯車部等に破損が生じたとしてもサセプタ全体を交換することを要せず、温度むらを原因とした熱応力によるサセプタの破損を抑制できる気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 サセプタの歯車部がサセプタ本体から自由自在に分離できる構成、好ましくは円盤状部材とその外側に設けられたリング状部材からなるサセプタ本体及び歯車部からなる構成、あるいは歯車部が複数の円弧状部材からなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面温度のバラツキを抑え、基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜するための基板支持装置及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板支持装置１００は、サセプタ１０１と、サセプタ１０１上に配置され基板１０５の一部を支持するスペーサ１０３と、サセプタ１０１及びスペーサ１０３上に配置され、基板１０５を収容する貫通孔１０４を備えるサセプタカバー１０２と、を有し、サセプタカバー１０２は、貫通孔１０４の所定位置に、スペーサ１０３を位置決めする位置決め部１０６を備える。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせずに、均一に高品質な結晶が形成できるようにする。
【解決手段】まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結晶からなる基板１０１の主表面におけるテラスの幅を、主表面の（１００）面からの傾斜角度により制御する。この制御では、後述する第３工程で形成する第２半導体層１０３の第２原子間隔と、基板１０１の主表面における第１原子間隔と、自然数Ｎとを用いて表されるＮ×第１原子間隔≒（Ｎ−１）×第２原子間隔の関係が成立する条件で、テラスの幅がＮ×第１原子間隔となる状態に基板１０１の主表面を傾斜させる。なお、第２原子間隔は、第１原子間隔と同じ方向の、第２半導体層１０３を構成する原子の間隔である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の均一性に優れた有機金属気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置は、サセプタ回転システム１００を有する。サセプタ回転システム１００は、回転殻１１２、サセプタ１１０、及び該サセプタ１１０の下部で、回転殻１１０及びサセプタ１１２を駆動して、サセプタ軸の周りを回転するように構成されている駆動部品を含む。加えて、該サセプタ回転システム１００は、サセプタ１１０上に配置され、該サセプタ１１０とともにサセプタ軸の周りを回転し、かつ1以上の基板１４０を支持するように構成されている1以上の基板ホルダ１３０と、基板ホルダを支持するホルダギア１３２、及び1以上のホルダギア１３２と係合し、1以上のホルダギア１３２がサセプタ軸の周りを回転する場合に、1以上のホルダギア１３２をそれぞれ1以上のホルダ軸の周りを回転させるように構成されている中心ギア１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において基板の金属汚染を抑える。
【解決手段】半導体素子が設けられた基板の、半導体素子形成面とは反対側の裏面および端部に保護膜を形成する工程と、前記半導体素子形成面に設けられた金属含有膜を加工する工程と、前記金属含有膜の加工後に前記保護膜を除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高抵抗バッファ層の結晶品質の劣化を避けることができる窒化物半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に、III族原料として有機金属原料を用い、Ｖ族原料としてヒドラジン誘導体の有機化合物を用いたＭＯＣＶＤ法により、炭素濃度が１０^１８ｃｍ^−３以上に制御された窒化物半導体からなるＡｌＮ高抵抗バッファ層２を形成する。ＡｌＮ高抵抗バッファ層２上に、ＡｌＮ高抵抗バッファ層２よりも低い抵抗値を持つＧａＮ電子走行層３とＡｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ電子供給層４を形成する。 （もっと読む）

【課題】1以上の窒化物材料を形成するためのＭＯＣＶＤシステム及び製造方法を提供する。
【解決手段】該システムは、中心軸１２８の周りを回転するように構成されているサセプタ１２０、及び該サセプタ上部に、サセプタとは直接接触していない状態で配置されるシャワーヘッド１１０を含む。加えて、該システムは、該サセプタ上に配置され、中心軸の周りを回転し、かつ対応するホルダ軸１２６の周りもそれぞれ回転するように構成されている1以上の基板ホルダ１３０を含む。更に該システムは、該中心部品内部に形成された1以上の第1の入口１０１、1以上の第2の入口１０２、及びシャワーヘッド内部に形成され、かつ中心部品からの距離が該1以上の第2の入口１０２より更に離れて配置される1以上の第3の入口１０３を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌ含有窒化物半導体層の上に形成され、不純物濃度が低く、ＧａＮを含む。機能層は、下地層の上に設けられる。機能層は、下地層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し第１導電形のＧａＮを含む第１半導体層を含む。Ａｌ含有窒化物半導体層は、多層構造体を含む。多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。下地層の厚さは、第１層の厚さよりも厚く、第１半導体層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ装置の大型化にも対応でき、膜厚や組成比が均一の良質なデバイスの製造が可能なシャワープレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置に用いるシャワープレートの製造方法であって、第一構成部材及び第二構成部材にザグリ孔及び貫通孔を設ける工程と、前記第一構成部材のザグリ孔に前記ガス吐出パイプを差し込む工程と、第二構成部材のザグリ孔に前記第一構成部材に差し込まれた前記ガス吐出パイプの他端が前記第二構成部材から突出するように差し込む工程と、前記第一構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第一溶接工程と、前記第二構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第二溶接工程と、前記第一構成部材と前記第二構成部材を溶接する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＮ電子供給層上にＧａＮ層を形成する場合でも、ＩｎＡｌＮ電子供給層の品質の悪化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上にＧａＮ電子走行層１４を形成する工程と、ＧａＮ電子走行層１４上にＩｎＡｌＮ電子供給層１８を形成する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８を形成した後、Ｉｎ含有ガスを供給しつつ、基板１０を昇温させる工程と、昇温が終了した後、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上にＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられたＡｌＮスペーサ層１６と、ＡｌＮスペーサ層１６上に設けられたＩｎＡｌＮ電子供給層１８と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に設けられたゲート電極２４とゲート電極２４を挟むソース電極２６およびドレイン電極２８と、を備え、ＡｌＮスペーサ層１６の膜厚が、０．５ｎｍ以上１．２５ｎｍ以下の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＮ電子供給層上にＧａＮ層を形成する場合でも、ＩｎＡｌＮ電子供給層の品質の悪化を抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上にＧａＮ電子走行層１４を形成する工程と、ＧａＮ電子走行層１４上にＩｎＡｌＮ電子供給層１８を形成する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に第１のＧａＮ層２０を形成する工程と、第１のＧａＮ層２０上に、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８および第１のＧａＮ層２０を形成した際の温度よりも高い温度で、第２のＧａＮ層２２を形成する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に、ゲート電極２６と、ゲート電極２６を挟むソース電極２８およびドレイン電極３０と、を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法及び窒化物半導体結晶層を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表面にシリコン酸化膜が形成された基体の上に設けられた２０μｍ以下の厚さのシリコン結晶層の上に、１μｍ以上の厚さの窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の上に、窒化物半導体結晶層のうちの第１の部分を形成した後、第１の部分よりも高い温度で第２の部分を形成する。シリコン結晶層は、シリコン結晶層の層面に対して平行な面内において、０．５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の特性長さを持つ島状に区分されている。区分されたシリコン結晶層のそれぞれの上に選択的に互いに離間した複数の窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の少なくとも一部を窒化物半導体結晶層に取り込ませ、シリコン結晶層の厚さを減少させる。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号遮断後の回復が早く、素子分離特性のよい化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度は８００〜９５０℃とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。ｐクラッド層１５の結晶品質を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、それらの間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第１の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第１の構造体に最も近い第２の構造体の形状の重心と、は、第２軸上に並ぶ。凹部の深さをｈｂとし、凹部の底部の第２軸に沿った幅をｒｂとしたとき、ｒｂ／（２・ｈｂ）≦０．７を満たす。第１主面の単位面積あたりの底部の面積の合計の、単位面積あたりの凸部の合計の面積に対する比は、０．１７よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）