【課題】疎水性機能を損なうことなく、かつ比誘電率への影響が小さく、機械的特性の向上を可能とする疎水性多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。
【解決手段】ＳＯＧ膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質ＳＯＧ膜を作製する。この熱処理を、そのプロセスの所定の時期に導入した酸素分圧５Ｅ＋３Ｐａ以上の酸素含有ガス中で、３００℃〜１０００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】
モールドを離型した後にクラックが発生せず、当該モールドのパターン痕が残る膜が得られ、さらに高弾性率の膜を形成可能な、光インプリント用被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】
（Ａ）成分：少なくとも１種の所定の加水分解性シランの加水分解縮合物、又は前記加水分解性シランの加水分解物と前記加水分解縮合物との混合物、（Ｂ）成分：重合性基を少なくとも２個有する化合物、及び（Ｃ）成分：光重合開始剤を含み、必要に応じてさらにその他の成分を含む光インプリント用被膜形成用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を加工処理した後、低誘電率絶縁膜の表面に加工処理によって生じたダメージ性官能基を、疎水性官能基に置換し（ＳＴ．２）、低誘電率絶縁膜の表面に置換処理によって生じたデンス層の下に存在するダメージ成分を、紫外線加熱処理を用いて回復させる（ＳＴ．３）。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３に多孔質絶縁膜２を形成する工程（Ｓ１０１）と、多孔質絶縁膜２が形成された基板３をチャンバー１内に配置する工程（Ｓ１０２）と、基板３が配置されたチャンバー１内にシロキサンを投入するとともに基板３を第一の温度に昇温する工程（Ｓ１０３）と、投入されたシロキサンが付着した基板３を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程（Ｓ１０４）と、を含む。Ｓ１０３では、チャンバー１内の圧力を１ｋＰａ以下とする。また、第一の温度は、チャンバー１内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜２とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。 （もっと読む）

基板表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長(CVD)法が記載されている。当該CVD法は、処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程、及び、化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバに導入する工程を有する。前記処理気体は、前記基板ホルダとは別個の非電離熱源に曝されることで、前記化学前駆体の分解を引き起こす。薄膜が前記基板上に堆積される。
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【課題】本発明は、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率などの特性に優れた膜を製造することができる組成物、およびその組成物より得られる膜を提供することを目的とする。
【解決手段】芳香族炭化水素を主成分とし、分子内の全ての水素原子が前記芳香族炭化水素を構成する炭素原子と結合しており、熱重量分析（１ｍｍＨｇ真空下，昇温速度２０℃/ｍｉｎ）において５％重量減少温度が２５０℃〜４５０℃を示し、空孔形成剤として作用する化合物（Ｐ）と、樹脂または樹脂前駆体とを含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜用の材料として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率に優れた膜を製造することができる化合物、およびその化合物を含む組成物、さらにはその組成物より得られる膜を提供。
【解決手段】化合物は、ジエノフィル構造を有する化合物（Ａ）と、環状もしくは直鎖状のいずれかで表される共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）とのディールス・アルダー反応により形成され、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより逆ディールス・アルダー反応を介して前記共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）を放出する化合物である。 （もっと読む）

【解決手段】
複雑なメタライゼーションシステムの形成の間、全体的な伝導性に否定的な影響を与えることなしにエレクトロマイグレーション性能を高めるために、伝導性キャップ層（１２２Ｃ）が銅含有金属領域（１２２Ａ）上に形成されてよい。その一方で熱化学的処理が実行されてよく、その結果、敏感な誘電体材質（１２１）の優れた表面状態をもたらすことができる他、敏感なＵＬＫ材質の材質特性の大きなばらつきを従来的にはもたらすことがある炭素減損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスのナノワイヤの製造を実現する。
【解決手段】封入されたナノワイヤを製造する方法であって、表面層を有する基板を提供することと、前記表面層にパターンを付け、ナノメートルサイズのフィーチャを形成することと、前記ナノメートルサイズのフィーチャ内に導電材料を配置し、前記基板上にナノワイヤを形成することと、前記表面層を除去することと、前記ナノワイヤ上に絶縁材料を配置することと、を含み、前記ナノワイヤ上に前記絶縁材料を配置することは、約３５０℃未満の温度で前記ナノワイヤ上に絶縁材料を配置することを含む。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。
【解決手段】多孔質膜は、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じる官能基を有する化合物（Ｘ）を用いて形成され、空孔分布曲線における最大ピークを示す空孔直径が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な溶液の保存安定性が良く、埋め込み性が高く、厚膜化ができ、かつ良好なクラック耐性を有するトレンチ埋め込み用縮合反応物、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物、並びに２０℃における蒸気圧が５３０Pａ以上であり、かつ、沸点が８０℃以上１３０℃未満である有機溶媒（Ａ）、及び２０℃における蒸気圧が５３０Pａ未満であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｂ）から成る混合溶媒、又は２０℃における蒸気圧が５３０Ｐａ以上であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用縮合反応物。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の高い誘電材料を、電場による配向処理を行わずに製造する方法を提供する。また、当該方法を用いて、比誘電率の高い誘電膜を提供する。
【解決手段】 誘電材料の製造方法を、高誘電率無機粒子と磁性体粒子とを複合化して高誘電率複合粒子を製造する高誘電率複合粒子製造工程と、樹脂またはエラストマーの未硬化物に、該高誘電率複合粒子を混合して混合材料を調製する混合工程と、該未硬化物が流動可能な状態で、該混合材料に磁場をかけることにより、該高誘電率複合粒子を磁力線の方向に配向させる配向工程と、該高誘電率複合粒子を配向させた状態で、該未硬化物を硬化させる硬化工程と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記問題点を解決するため、半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、適当な均一な厚さを有する膜の形成可能で、かつ誘電率、ヤング率等の特性に優れた膜を製造することができる膜形成用組成物、およびその膜形成組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じ、残部に不飽和基を生成する官能基を有する化合物（Ｘ）を含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】分子内ポア前駆体プロセスに用いられる重合基の結合したプレカーサー、特にビニル基結合型環状トリシロキサン化合物に、適切な重合禁止剤または重合抑制剤を添加することにより、安定した成膜を可能にする組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜３の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｎは３または４を示す）で表される環状シロキサン化合物、およびニトロン誘導体またはニトロキシドラジカル誘導体から成る環状シロキサン組成物を原料として、ＰＥＣＶＤ法等により薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】加熱によっても微細構造の乱れがない表面にパターンが形成された積層体を提供すること。
【解決手段】一般式（１）：Ｒ^１Ｓｉ（ＯＲ^２）_３（式中、Ｒ¹は少なくとも１つのチオール基を有する炭素数１〜８の炭化水素基、または少なくとも１つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。）で示されるチオール基含有アルコキシシラン類（ａ１）を加水分解および縮合して得られる縮合物（Ａ）ならびに炭素−炭素２重結合を有する化合物（Ｂ）および／またはイソシアネート基を有する化合物（Ｃ）を特定割合で含有する硬化性樹脂組成物（Ｄ）を基材に塗布して得られたパターン形成層を有する積層体を、賦型後、硬化させて得られる表面にパターンが形成された積層体を用いる。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ部を有し、かつ、高い機械的強度を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。複数の溝部を充填するように配線金属層ＰＣが形成される。層間絶縁膜ＩＬ１の酸素を熱拡散させることによってバリア金属層ＡＬの少なくとも一部を酸化することで、酸化物バリア層ＢＬ１が形成される。配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。第１の配線間領域ＩＷ１を覆い、かつ第２の配線間領域ＩＷ２上に開口部ＯＰを有するライナー膜ＬＮ１が形成される。開口部ＯＰを介したエッチングが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】有機シリケート（ＯＳＧ）膜内の炭素含有種の少なくとも一部分を除去すること。
【解決手段】本明細書中に記載されているのは、酸化剤等の、しかし酸化剤に限られない薬品を用いてＯＳＧ膜を処理する工程、ＯＳＧ膜紫外線を含むエネルギー源に曝す工程、またはＯＳＧ膜を薬品で処理する工程およびＯＳＧ膜をエネルギー源に曝す工程により、有機シリケート（ＯＳＧ）膜内の炭素含有種の少なくとも一部分を除去するための方法である。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度が１２０℃〜２００℃でリーク電流値が１０^−８Ａ／ｃｍ^２以下の塗布膜が形成できるとともに、高誘電体膜との積層により低リーク電流及び高比誘電率がシリコン窒化膜と同等以上の特性が得られる誘電体層形成用塗布液及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体層形成用塗布液は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_ａ、及びＲ^２_ｂＳｉ（ＯＲ^３）_ｃで表されるＳｉアルコキシド、これらの部分加水分解物及び縮合物から選ばれる一種以上のＳｉアルコキシド誘導体を主成分として有機溶剤に溶解してなる。ここで、Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^２は炭素数２以上の置換基である。ａはＳｉの価数であり、ｂ、ｃはそれぞれ１以上の整数でｂ＋ｃがＳｉの価数である。 （もっと読む）