【課題】誘電特性および機械的強度に優れた有機シリコン酸化膜を形成することができる膜形成用組成物、およびこの膜形成用組成物を用いて形成された有機シリコン酸化膜を備えた絶縁膜、およびこの有機シリコン酸化膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、下記一般式（Ｉ）で表される化合物またはその加水分解脱水縮合物を含むことを特徴とする、膜形成用組成物が提供される。
Ｘ^１_３−ｍＲ^１_ｍＳｉＲ^２ＳｉＲ^３_ｎＸ^２_３−ｎ （Ｉ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^３は水素原子または１価の置換基であり、Ｒ^２は炭素数４の脂環構造を含む２価の基あるいはその誘導体であり、Ｘ^１およびＸ^２は加水分解性基であり、ｍおよびｎは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】低温で良好な絶縁膜であるシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板１上にトレンチ１ａ、１ｂを形成し、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する。塗布膜に含まれる有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する。ポリマー膜に９０℃以下の温度で紫外線を照射し、そのポリマー膜を５０℃以上８０℃未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜３に転換する。 （もっと読む）

【課題】シロキサンポリマーと下地との密着を高めることができる絶縁膜及び当該絶縁膜を備えた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】この薄膜トランジスタ１０は、基板１２を備え、その基板１２の上面には、ソース電極１５及びドレイン電極１６が、所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。また、ソース電極１５及びドレイン電極１６の間を埋めるように、半導体層１７が形成され、当該半導体層１７上には、ゲート絶縁膜１３が設けられている。ゲート絶縁膜１３上には、ゲート電極１１が設けられている。また、基板１２、ソース電極１５、ドレイン電極１６、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１１を覆うようにポリシラザン層１９が形成されている。そして、ポリシラザン層１９の上側には、シロキサンポリマーからなる層間絶縁膜１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して０．３５重量％以上２．２０重量％以下で、並びに、一般式（１）〜（３）で表される化合物の合計に対して、一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表されるテトラアルキシキシラン化合物を４５ｍｏｌ％以上８７ｍｏｌ％以下で、一般式（２）：Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるトリアルコキシシラン化合物を１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下で、そして一般式（３）：Ｒ^２_２Ｓｉ（ＯＲ^１）_２で表されるジアルコキシシラン化合物を１．５ｍｏｌ％以上３．６ｍｏｌ％以下で含有する。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】基板実装による誘導素子（インダクタ）の特性劣化を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に電極１１ａ，１１ｂが設けられた半導体基板１０と、電極１１ａ，１１ｂと整合する位置に第１の開口部を有する第１の絶縁樹脂層１２と、第１の開口部を介して電極１１ａ，１１ｂと導通した第１の配線層１３ａ，１３ｂと、第１の開口部と異なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁樹脂層１４と、第２の絶縁樹脂層１４上に設けられ、かつ誘導素子１５ｃを有する第２の配線層１５と、第２の絶縁樹脂層１４および第２の配線層１５の上において少なくとも誘導素子１５ｃを覆う電気絶縁性を有する磁性体層１９と、第２の配線層１６に導通する実装用端子１７とを備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】銅拡散バリア性を有しかつ極めて低い比誘電率を有した絶縁膜を提供する。
【解決手段】５−シラスピロ［４，４］ノナン、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどのケイ素化合物を絶縁膜材料とし、プラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の膜厚ムラや点欠陥を低減し、デバイスエラー率が低減可能なゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ソース-ドレイン電極と、チャネル層を構成する半導体層と、前記ゲート電極と前記チャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜とを備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が絶縁性有機高分子からなり、前記ゲート絶縁膜を形成させる際、被着体の界面に、アルミニウム含有有機化合物溶液によりアルミニウム含有有機化合物層を形成してなる、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、貯蔵安定性に優れ、低比誘電率であり、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含み、前記ポリマーはシラノール基を含み、前記シラノール基に含まれる水酸基の数が、前記ポリマー中のケイ素原子の数に対して７０〜１３０％である。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１は１価の有機基を示す。）
Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ａおよびｂは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を表し、ｃは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護する方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバＰＣ１００の内部に載置された基板上のＩＴＯ表面にその表面の汚染物の分子の結合エネルギーより強いエネルギーを持つ光を光源から照射し、その照射中又は照射後、直ちに同一チャンバ内にてシランカップリングのガスを供給する。これにより、基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、パターニング特性を備え、しかも比較的高い塗膜強度と比較的低い比誘電率を有し、さらには表面平坦性や耐クラック性などに優れたシリカ系塗膜を形成するための液状組成物からなるシリカ系塗膜形成用塗布液およびその調製方法に関する。
【解決手段】 パターニング特性を備えたシリカ系塗膜を形成するための液状組成物からなるシリカ系塗膜形成用塗布液であって、塩基性触媒成分を含有するシリカ系微粒子、特定の有機珪素化合物を加水分解して得られる珪素化合物および紫外線照射により酸を発生する酸発生剤を少なくとも含むシリカ系塗膜形成用塗布液および該シリカ系塗膜形成用塗布液の調製方法。 （もっと読む）

有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）を絶縁体材料として用いて薄層トランジスタが製造される。有機ケイ酸塩ガラスは、シロキサンと酸素からプラズマ化学気相成長法によって被着されたＳｉＯ_２−シリコーンハイブリッド材料であってよい。これらのハイブリッド材料は、ゲート誘電体として、サビング層としておよび／またはバックチャネル不動態化層として利用されてよい。トランジスタは、従来のあらゆるＴＦＴ幾何形状で製造されてよい。
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【課題】ウエーハの加工の際に、ウエーハ保持面を保護する保護膜特性が優れており、とくに使用後、不要になった保護膜を特定のウエーハ洗浄液を使用することなく、容易に剥離して除去できる保護膜が得られる保護膜形成用組成物および該保護膜を環境負荷が伴わず剥離除去できる剥離方法を提供すること。
【解決手段】少なくともポリビニルブチラール樹脂（ａ）と、ポリビニルアセトアセタール樹脂（ｂ）とを含有する被膜形成材料（Ａ）と、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とを有機溶媒中に含有することを特徴とする保護膜形成用組成物。 （もっと読む）

低誘電率膜を基板上に堆積させる方法を提供する。１種または複数の有機ケイ素化合物とポロゲンを反応させること、次いで膜を後処理することにより膜に細孔を生成することを含むプロセスにより、低誘電率膜を堆積させる。１種または複数の有機ケイ素化合物としては、一般構造Ｓｉ−Ｃ_ｘ−Ｓｉまたは−Ｓｉ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｓｉ−を有する化合物が挙げられる。本明細書に記載される低誘電率膜としては、膜の後処理の前と後の両方にＳｉ−Ｃ_ｘ−Ｓｉ結合を含む膜が挙げられる。低誘電率膜は、良好な機械的特性および接着性、ならびに望ましい誘電率を有する。
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【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。
【解決手段】メサ型半導体装置のメサ溝５内壁に熱酸化膜６からなる安定した保護膜を形成しＰＮ接合部ＰＮＪＣを被覆保護すると共に、Ｎ−型半導体層２の熱酸化膜６との界面に電子の蓄積層が形成されにくいように、メサ溝５内の熱酸化膜６で挟まれた空隙に負電荷を有する絶縁膜７を埋め込む。係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁膜を安定して得ることのできる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる多孔質絶縁膜の製造方法は、シリコン及び酸素を骨格とし、シリコンに結合する側鎖の一方が不飽和炭化水素基であり、他方が炭素原子を２つ以上含む飽和炭化水素基である環状有機シリカ化合物の蒸気を希ガスで希釈した蒸気に、酸化剤ガスを前記環状有機シリカ化合物の蒸気の流量の０．３倍以上１．２倍以下添加してプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質低誘電率絶縁膜を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバー及びその部材や排気系や配管等を腐食することなく、低誘電率、低屈折率、及び高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜を作製する方法、多孔質膜、並びに多孔質膜の前駆体組成物の溶液を提供すること。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物とを含む多孔質膜の前駆体組成物の溶液であって、ｐＨが５〜９である溶液を基板上に塗布し、所定の温度範囲で焼成させ、得られた多孔質膜に対する紫外線照射後、ヘキサメチルジシラザン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール及びトリメチルアミンジメチルアミンから選ばれた疎水性化合物を所定の温度で気相反応させ、疎水化された多孔質膜を作製する。 （もっと読む）