【課題】特性の向上した多孔性シリカガラスフィルムを提供する化学気相蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも１つの前駆体、及び前駆体とは区別されるポロゲンを含めたガス状試薬を導入すること（ここに、ポロゲンは、非分岐構造及び２又はそれ未満の不飽和の度合いを有するＣ_４〜Ｃ_１４環状炭化水素化合物である）；エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、基材上に予備的フィルムを蒸着させること（ここに、予備的フィルムはポロゲンを含有する）；及び不安定有機物質の実質的に全てを予備的フィルムから除去して細孔及び２．６未満の誘電定数を有する多孔性フィルムを提供することを含む、多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、電気特性の安定性に優れた有機半導体素子の製造方法と、有機半導体素子を提供することである。
【解決手段】上記課題は、ゲート電極形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、ソース／ドレイン電極形成工程と、有機半導体膜形成工程と、有機半導体膜上に保護膜を形成する工程とを含み、前記有機半導体膜上に保護膜を形成する工程において、（ａ）炭酸プロピレン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも１つの有機溶剤と、（ｂ）有機溶剤（ａ）に可溶な有機化合物とを含有する保護膜形成液を用いて、ウェットプロセスにより前記保護膜を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。第１、第２のバリア絶縁膜１０３、１０６は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置に適した化合物を原料として、ガスバリア及び半導体用のバリア膜、エッチストップ膜、ハードマスク膜等として使用できる有機窒化ケイ素含有膜を形成し、それらの膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの水素原子がケイ素原子に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物（例えば、一般式（１）等で表される化合物）を原料として用い、化学気相成長法により封止膜を形成してガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。
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【課題】軽量であり、かつ強固な信頼性を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】集積回路チップは、プラスチックの基板１０１と、基板１０１上に配されたポリマー誘電体１０３と、電極同士の間に形成された有機半導体材料１１２および受動層１１４の少なくとも１つのを含むアクティブデバイス１０４と、少なくとも１つのアクティブデバイス１０４に隣接する導電性ポリマー１０６および／または１０８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた、シランカップリング試薬を用いて、水素終端化処理されたシリコン基板の表面修飾を極めて効率的に行う手段を開発し、センシング電極や有機エレクトロニクス素子の材料として有用な、新たな表面修飾半導体シリコン基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。また、この方法によれば、自己集合膜（ＳＡＭ）に匹敵するようなシランカップリング試薬の高密度単分子膜による修飾も可能である。 （もっと読む）

【課題】層状材料、電子構成要素および半導体構成要素の製造を改善する組成物、これらの製造方法オヨビ使用を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の無機化合物、および少なくとも１種の緻密化剤を含有し、前記緻密化剤は、少なくとも１種の無機化合物の密度と比較して、被覆材料の密度を増大させる被覆材料が、ここに記載されている。少なくとも１種の無機化合物を準備するステップと、少なくとも１種の緻密化剤を準備するステップと、少なくとも１種の無機化合物を少なくとも１種の緻密化剤と一緒にして被覆材料を形成するステップとを含み、前記緻密化剤は、少なくとも１種の無機化合物の密度と比較して、被覆材料の密度を増大させる被覆材料を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】極力スループットを低下させずに、希釈ガスの無駄を抑制しつつ安全に可燃性ガスを排気することができる排気方法およびガス処理装置を提供すること。
【解決手段】処理ガスの排気流量を、処理ガスをその爆発下限界値に希釈したときに除害装置の最大処理能力のガス流量となる量以下の所定値に決定する工程と、決定した処理ガスの排気流量を維持するための単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量を、排気流量と単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量との関係式に基づいて算出する工程と、算出された単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量となるように、チャンバ内の圧力の目標設定値を所定時間毎に自動圧力制御バルブの制御値として更新設定して自動圧力制御バルブによりチャンバ内の圧力を制御しながら、決定された排気流量を維持するように排気する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ａ）紫外線スペクトル領域において強力かつ均一に吸収でき、ｂ）レジスト材料を、「倒れ込み」および意図したレジストラインの外側への広がりまたは内側への接触から守ることができ、およびｃ）フォトレジスト現像剤に対して不浸透性であることのできる反射防止コーティングならびにスピンオンガラス反射防止コーティングの製造方法を提供。
【解決手段】吸収組成物は、少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物および少なくとも１つの材料変性剤を含む。更に、吸収組成物の製造方法は、ａ）少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物、少なくとも１つの材料変性剤、および１つまたは複数の溶媒を組み合わせて反応混合物を形成する工程であって、少なくとも１つの材料変性剤が、少なくとも１つの酸および水を含む工程、およびｂ）反応混合物を、吸収材料、コーティングまたはフィルムに形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物と、それを用いた薄膜の製造方法、及びそれによって有機溶媒に耐性を示す絶縁膜を提供する。
【解決手段】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンに、ビニルモノマーおよび重合開始剤を加えて半導体絶縁膜用組成物とし、スピンコート法などで塗布した後、加熱または紫外線照射によってビニル基のラジカル重合を行ない、続いてアルコキシ基の縮合重合により複合的に硬化させてシリコーン系絶縁膜（ＰＳＱ膜）を製造する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い微細パターを有する半導体デバイスの製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、回折格子層７及び絶縁層９を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、周期構造パターン１１ｐ１を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３をマスクとしてシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程とを備える。シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層１３を第１の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層１３の外縁部１３ｅ１に揮発性成分を有するリンス液１４を回転塗布する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂部材がＰＥＣＶＤによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。
【解決手段】一般式（１）の環状シロキサン化合物
【化１】


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、炭素数１〜２０の炭化水素基等、ｍは１〜３の整数、ｎは０〜２の整数、ｍ＋ｎは３以下の整数。ｘは１以上の整数、ｙ及びｚは０以上の整数、ｘ＋ｙ＋ｚは３以上の整数。）を重縮合または重付加してポリ環状シロキサンを製造し、それを封止材としたり、また樹脂部材に塗布して耐プラズマ性を付与し、ＰＥＣＶＤによりガスバリア層を成膜したガスバリア性樹脂部材とする。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より低温、より短期間で処理することができる誘電体層、誘電性組成物を提供することである。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、電子デバイスは、架橋された誘電性材料及び赤外線吸収剤を含有する誘電体層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 空隙を組み込んだ構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。より具体的には、本明細書で説明する方法は、内部に種々異なる深さの空隙がフォトリソグラフィにより画定された光パターン化可能低ｋ材料の内部に構築される相互接続構造体を提供する。本発明の方法においては、空隙を形成するのにエッチ・ステップは必要としない。光パターン化可能低ｋ材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】印刷法やフォトリソグラフィにより微細なパターン形成が可能な材料を用いて、ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を備える有機薄膜トランジスタにおいて、当該ゲート絶縁膜として、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物から得られたゲート絶縁膜を用いる。該有機薄膜トランジスタは、前記ゲート電極が形成された前記基板に、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物を印刷法により塗布する工程及び当該光硬化性組成物からなる層に活性エネルギー線を照射し硬化させて前記ゲート絶縁膜を形成する工程等により製造される。 （もっと読む）