【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 （もっと読む）

【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜５であり、ゲート電極は、第１の金属膜６又は第２の金属膜８を含む導電膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】構造物の表面に配置されたナノ粒子センサを利用した構造健全性監視の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】構造物３０の構造健全性１７２を監視するシステム１７０は、構造物３０の上に沈着されるナノ粒子インクによる圧電センサアセンブリの分散ネットワーク１２０を含む。各アセンブリは、ナノ粒子インクによる複数の圧電センサ１１０及び複数の導電性インク電源及び複数のセンサ１１０を相互接続する通信線アセンブリ１４０を有する。このシステムはさらに、構造物３０の上にナノ粒子インクによる圧電センサアセンブリの分散ネットワークを沈着させるインク沈着装置１４２を含む。このシステムはさらに、分散ネットワーク１２０に電力を供給する電源１７８を有する。このシステムはさらに、センサ１１０から一又は複数の信号を介して構造物の構造健全性データ１７４を読み出して処理するデータ通信ネットワーク１７９を含む。 （もっと読む）

【課題】ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法、例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができ、腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態であり、電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態。 （もっと読む）

【課題】チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）ナノ粒子インクベースの圧電センサを製作する方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）ナノ粒子インク１０６を製剤するステップを含む。さらに、噴霧堆積プロセス１２６および噴霧堆積装置１４６を有するインク堆積プロセス１２２によって、ＰＺＴナノ粒子インク１５６を基板１０１上に堆積して、ＰＺＴナノ粒子インクベースの圧電センサ１１０を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】機能性インクの吐出安定性を有するインクジェット法による薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板２０２を保持するステージ２０３と、ステージ２０３に対向して配置されインクジェット法により機能性インクをノズルから吐出して基板２０２上に塗布するＩＪヘッド２０８と、を有し、ステージ２０３及び／又はＩＪヘッド２０８を相対的に移動させて基板２０２上に機能性インクを吐出し任意のパターンで塗布する液体吐出塗布機構部と、基板２０２上の機能性インクを加熱し結晶化させて機能性薄膜とする加熱機構部と、を備え、前記液体吐出塗布機構部におけるステージ２０３は、ＩＪヘッド２０８の前記機能性インクを塗布するときの走査行路上に前記ノズルと摺擦するワイピングブレード２１２を有する。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス設計等では、金属酸化物ＡＯと金属Ｍ（あるいはＭＡ）との極性界面が酸素終端になるかそれとも金属終端になるかでこの界面の特性が大きく変化するので、どちらの終端界面が現れるかを事前に高い精度で予測する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ａの金属Ｍ上への吸着エネルギーＡｏｎＭ、Ｍの金属Ｍ上への吸着エネルギーＭｏｎＭを求める。（ｂ）金属Ｍ上への酸素の吸着エネルギーＯｏｎＭを求める。（ｃ）下記の２つの式（ＡｏｎＭ）−（ＯｏｎＭ）、｛（ＡｏｎＭ）−（ＭｏｎＭ）｝−｛（ＯｏｎＭ）−（Ｏ_２解離エネルギー）／２｝の符号が、両方とも正ならば界面終端元素はＡ金属、両方とも負ならば界面終端元素は酸素、両者の符合が異なる場合は界面終端元素は実験条件に依存して変化する。 （もっと読む）

【課題】基板面内において均一な膜組成で薄膜を形成することができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、基板中央の温度（第１の温度）よりも基板周縁の温度（第２の温度）を高温に維持して成膜するようにしている。このような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できる高蒸気圧成分の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するガス種の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で生産性良く、アルミ酸化膜を誘電膜とする容量の大きいキャパシタを製造する。
【解決手段】キャパシタ１の製造方法は、Ａｌを含む第１電極３０を形成する工程と、第１電極３０を覆う層間絶縁膜４０を形成する工程と、層間絶縁膜４０において第１電極３０上の少なくとも一部に開口部４１を形成して、第１電極３０の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、開口部４１内の第１電極３０の露出部３０Ａをアノードとして陽極酸化を実施して、酸化膜３１を形成する工程と、開口部４１内にプラグ６０を形成する工程と、プラグ６０上に第２電極７１を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む金属パターン２０を製造する際に、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜２１を成膜する工程（１）と、金属膜２１の表面に酸化処理により酸化膜２２を形成する工程（２）と、酸化膜２２上に金属パターンに対応したレジストパターン３０を形成する工程（３）と、レジストパターン３０をマスクとして、金属膜２１をエッチングする工程（４）とを順次実施する。工程（１）と工程（２）との間において、少なくとも工程（２）の実施直前には、基板の雰囲気を真空雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基体上に、第１の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第１の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、金属酸化物膜の表面側に、第１の比抵抗よりも高い第２の比抵抗を有する高抵抗領域を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第２の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、高抵抗領域の表面側に、第２の比抵抗よりも低い第３の比抵抗を有する導電体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、かつ光電変換効率の低下を抑制することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用薄膜の成膜方法は、第１の温度で加熱されるガラス基板の表面上にアルカリバリア膜を形成する工程と、第２の温度で加熱されるガラス基板の表面上のアルカリバリア膜上に透明導電膜を形成する工程とを備える。アルカリバリア膜を形成する工程において、ガラス基板の表面に向けて冷却された原料溶液（Ａ）を噴霧し、アルカリバリア膜は酸化アルミニウムからなり、原料溶液（Ａ）において、主溶媒は水であり、アルミニウムトリアセチルアセトナートを含有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成し、工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られるｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第１ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第１ガスを排気した後、酸化ガスを第２ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。また、酸化物半導体膜の設計膜厚を３０ｎｍ±１５ｎｍにすることにより、電界効果移動度μ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、Ｓ値を最適化する。 （もっと読む）

【課題】流動体を付着させて熱処理を行う工程を繰り返し行うことにより微細パターンの膜を所望の膜厚で精密に作製可能とするパターン形成用基板と、パターン形成用基板を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の流動体を特定領域に付着させて熱処理を行うことによりパターン化された膜を形成するためのパターン形成用基板１０で、特定領域を親和性とし、それ以外の領域を非親和性とする表面改質をおこなう。パターン形成用基板１０の表面改質処理対象となる金属膜はＰｔ膜５３を積層し、基体として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるＭＯＣ膜５２を用いる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を形成する際に、界面準位を低減しつつ、ＥＯＴのさらなる低減が実現可能な金属酸化物高誘電体エピタキシャル膜の製造方法、および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】単結晶領域１０２を有する基板１０１上に、金属膜であって、該金属膜の酸化物の誘電率が酸化シリコン膜よりも高く、かつ金属膜の酸化物が単結晶領域１０２とエピタキシャル関係を有する金属膜１０３を、単結晶領域１０２と金属膜１０３とが界面反応しない基板温度で形成する（図１（ｂ））。金属膜１０３が形成された基板１０１を、上記界面反応しない基板温度で、単結晶領域１０２と金属膜１０３とが界面反応しない酸素分圧の酸素ガス雰囲気に暴露する（図１（ｃ））。酸素ガス雰囲気に暴露された基板１０３を、上記酸素分圧の酸素ガス雰囲気に保持し、金属膜の酸化物である金属酸化物高誘電体膜が結晶化する基板温度で熱処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）