【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。
【解決手段】ウェハＷを載置した回転テーブル２を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハＷの表面に第１の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第１の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第２のガスをこの順番でウェハＷの表面に供給し、その後ウェハＷを加熱ランプ２１０により加熱して反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

酸化ストロンチウムルテニウムは、ルテニウム伝導体と酸化ストロンチウムチタン誘電体との間に有効な界面を提供する。酸化ストロンチウムルテニウムの形成は、酸化ストロンチウムを形成するための原子層堆積の使用と、その後の酸化ストロンチウムルテニウムを形成するための酸化ストロンチウムの焼鈍とを含む。酸化ストロンチウムの第１の原子層堆積は水を酸素源として使用して行われ、続いて、その後の酸化ストロンチウムの原子層堆積がオゾンを酸素源として使用して行われる。 （もっと読む）

【課題】アニール時の酸化剤の拡散によるゲート電極の酸化を抑制する。
【解決手段】半導体基板の活性領域にゲートトレンチを形成する工程と、前記半導体基板の活性領域上及びゲートトレンチ内にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の前記ゲートトレンチの開口縁近傍における窒素濃度が、前記ゲートトレンチの底部近傍における窒素濃度よりも高濃度となるように、プラズマ窒化処理によって前記ゲート絶縁膜に窒素を導入する窒化工程と、前記ゲートトレンチを埋めて前記ゲート絶縁膜を覆うようにゲート電極層を積層してから、前記ゲート電極層をエッチングによりパターニングしてゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極層のエッチングによって露出した前記活性領域をアニールするアニール工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共振器端面にダメージを与えずに表面のクリーニングを行い、瞬時光学損傷への耐性が維持された信頼性の高い窒化物半導体レーザを得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ２００の製造方法であって、（ａ）前記窒化物半導体層に、光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を形成する工程と、（ｂ）窒素を含むガスを熱分解してラジカル化した雰囲気に、前記光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を暴露する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

低減された均等酸化物厚さ（ＥＯＴ）を持つｈｉｇｈ−ｋゲートスタックを形成する方法を提供し、該方法は：シリコン含有基板を準備し；前記シリコン含有基板上に境界層を形成し、前記境界層が第一の等価酸化物厚さを有し；前記境界層上に第一のｈｉｇｈ−ｋ膜を堆積し；前記第一のｈｉｇｈ−ｋ膜及び前記境界層を、前記第一の等価酸化物厚さと等しいかそれより小さい第二の等価酸化物厚さを持つ変性境界層を形成する温度で熱処理し；及び前記変性境界層上に第二のｈｉｇｈ−ｋ膜を堆積する方法である。ひとつの実施態様によると、前記第一のｈｉｇｈ−ｋ膜がランタン酸化物を含み、前記第二のｈｉｇｈ−ｋ膜がハフニウムシリケートを含む。
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【課題】 ＣＶＤ−ＭｎＯｘをバリア膜に用いても歩留りの低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎ層以上の銅、又は銅合金配線４、８を有し、これらＮ層の銅、又は銅合金配線４、８のバリア膜としてＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜を使用する半導体装置の製造方法であって、第１層乃至第Ｎ−１層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜３は、セルフリミットがかかる前に成膜を完了させ、第Ｎ層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜７は、セルフリミットがかかるように成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングパッド４０が設けられる最上層の配線層３９の上に、フッ素を含んだ介在層４１としてＣＶＤ法によりよって形成されたフッ素含有酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ）を設ける。この上にパッシベーション膜４２としてプラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜を設け、フッ素に対するバリアとする。この後熱処理を行い、フッ素をシリコン基板の表面に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化と供に、メモリ装置のキパシタで容量値の確保のために、酸素欠損のない高誘電率膜を形成する装置の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜を形成する工程と、酸化性ガスを供給して誘電体膜に対して酸化処理を行う工程を複数回、断続的に繰り返す熱処理工程と、を有する誘電体膜を備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に層間絶縁膜を形成する工程（ａ）と、層間絶縁膜に配線を形成する工程（ｂ）と、配線の上面及び層間絶縁膜の上面に有機溶液を塗布する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、配線の上面及び層間絶縁膜の上面にシリル化溶液を塗布する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、基板を加熱する工程（ｅ）と、少なくとも配線の上面上に第１のライナー絶縁膜を形成する工程（ｆ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の侵食を抑制し、ＦＥＴの故障や不良の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層１５上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上面に保護膜１９を形成する工程、ゲート絶縁膜１８を熱処理する工程、及びゲート絶縁膜１８をプラズマ処理する工程のいずれか一つと、前記いずれか一つの工程の後に、ゲート絶縁膜１８を形成する工程の後のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、前記ゲート絶縁膜１８上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ハフニウムシリケートからなるゲート絶縁膜に、アルミナ膜を重ねると、等価酸化膜厚を薄くすることが困難になる。また、ハフニウムシリケートからなるゲート絶縁膜内にＡｌが拡散すると、正孔の移動度が低下してしまう。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に、ＨｆとＯとを含む絶縁膜(16)を形成する。この絶縁膜の上に、構成元素として酸素とチタンとを含むキャップ膜(17)を形成する。絶縁膜及びキャップ膜を、窒素ガスまたは希ガス雰囲気中で熱処理し、キャップ膜中のチタンを絶縁膜内に拡散させることにより、ゲート絶縁膜(18)を形成する。ゲート絶縁膜の上に、ゲート電極膜(19)を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板側から熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜の２層を積層したゲート絶縁膜を有する半導体装置において、アニール処理時にＣＶＤ酸化膜の内部応力が圧縮応力に変化することによる半導体基板等の歪みを低減する。
【解決手段】熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜との間に、リンガラス膜を形成する。リンガラスは、シリコン酸化膜中にリン（Ｐ）を導入して軟化温度（ガラス転移温度）を低くした酸化膜であり、８５０〜９００℃でリフローと呼ばれる流動現象が生じる。９００℃以上で行われるＣＶＤ酸化膜のアニール処理時には、リンガラス膜がリフロー流動状態となり、熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜と間で緩衝材として機能する。これによってアニール処理時にＣＶＤ酸化膜の内部応力が圧縮応力に変化することが抑制され、ゲート絶縁膜や半導体基板の歪みが低減される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の安定化を図ることができるとともに、半導体装置の耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２の活性領域Ａでは、半導体層４の上側の少なくとも一部に第１絶縁層１８が形成されている。第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。耐圧領域Ｂでは、半導体層４の上側に第１絶縁層と異なる材料からなる第２絶縁層２０が形成されており、第１絶縁層１８は形成されていない。そして、第２絶縁層２０が第１絶縁層１８より絶縁度が高くされている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、所定元素含有層を酸化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンガスであり、水素含有ガスが水素ガスまたは重水素ガスであり、酸化膜を形成する工程では、基板の温度を４００℃以上７００℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】所望の仕事関数を得ると共にトランジスタの駆動力を劣化させない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された界面層５と、界面層５の上に形成された高誘電率ゲート絶縁膜６と、高誘電率ゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極とを備える。高誘電率ゲート絶縁膜６はランタンを含有し、高誘電率ゲート絶縁膜６におけるゲート電極との界面に含まれているランタンの濃度は、高誘電率ゲート絶縁膜における界面層との界面に含まれているランタンの濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】


式中、Ｒが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和のＣ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃのシリルから選択され、Ｒ¹が、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ₂〜Ｃ₁₀アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を選択的に有無し、式Ａ中のＲとＲ¹を結合して環状基（ＣＨ₂）_n（式中、ｎは１〜６）にしてもよく、Ｒ²が、単結合、（ＣＨ₂）_n鎖、環、ＳｉＲ₂又はＳｉＨ₂を表すアミノシランからなる前駆体及び混合物を用いる。 （もっと読む）