【課題】銅を主成分とするコンタクトプラグを有する半導体装置において、コンタクトプラグに隆起が発生することを防止する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１０２に、金属シリサイド層１０１に到達するコンタクトホール１０３を形成する工程（ｃ）と、コンタクトホールの底面及び側壁に、高融点金属膜１０４を形成する工程（ｄ）と、高融点金属膜上に、銅を主成分とする金属膜１０６Ａを形成し、コンタクトホール内に、高融点金属膜を介して、金属膜が埋め込まれてなるコンタクトプラグ１０７を形成する工程（ｅ）と、第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上に、第２の層間絶縁膜１０８を形成する工程（ｆ）とを備え、工程（ｆ）は、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスを除去する工程（ｆ１）と、工程（ｆ１）の後に、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスが除去された状態で、第２の層間絶縁膜を形成する工程（ｆ２）とを含む。 （もっと読む）

【化１】


式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＭ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³）（Ｉ）の化合物であって：Ｍはバナジウム（Ｖ）またはニオブ（Ｎｂ）から独立して選択される金属でありｍ≦５であり；Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において選択される有機配位子である化合物。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１表面上に形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造内に形成され、基板１を裏面側から研削することにより発生する前記基板１を反らせるストレスを補償する補償ストレス膜６とを備えている半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】低閾値動作が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体領域２と、半導体領域に離間して形成されたソースおよびドレイン領域１２ａ、１２ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域上に形成され、シリコンと酸素を含む第１絶縁膜４と、第１絶縁膜上に形成され、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１つの物質と酸素を含む第２絶縁膜８と、第２絶縁膜上に形成されたゲート電極１０と、を備え、第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面を含む界面領域７に、Ｂｅ、Ｂから選ばれた少なくとも１つの第１添加物質が導入されており、第１添加物質の面密度が、界面領域内の第１絶縁膜側においてピークを有している。 （もっと読む）

【課題】低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。
【解決手段】低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。好ましくは、下部電極を形成するためにＴｉＮが用いられる。キャパシタのＳｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層でのＳｒ／Ｔｉ比率は、キャパシタの電気的特性を調整するために変化できる。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層の誘電率および漏洩電流は、このＳｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３誘電体層のＳｒ含有量とともに単調に減少する。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 （もっと読む）

【課題】１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのようなシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させるための方法、及び組成物を提供する。
【解決手段】有効量の遊離基スカベンジャー重合抑制剤をそのようなシクロテトラシロキサンに供給することを含む安定化方法、及び電子材料の製造においてケイ素酸化物の前駆物質として化学気相成長法で使用される重合に対し安定化させた、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのようなシクロテトラシロキサンの組成物であって、そのようなシクロテトラシロキサンと遊離基スカベンジャー重合抑制剤とを含むシクロテトラシロキサンの組成物である。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性が低下し難いパシベーション膜を有する半導体装置の製造方法であって、より汎用性が高い製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、基板上に第１パシベーション膜１６を形成する工程と、第１パシベーション膜１６にクラックを生じさせる工程と、クラックを生じさせた第１パシベーション膜１６上に第２パシベーション膜１８を形成する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、良好な移動度を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。非金属Ge化合物層は、例えばSrとGeの化合物、BaとGeの化合物もしくはBaとSiとGeの化合物を有する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに３００ＭＨｚ以上２５００ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を１〜１０００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして生成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成される半導体素子を覆う絶縁膜１１が、埋め込み特性が良好とされる熱ＣＶＤ法等によって形成される。その絶縁膜１１を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜１４が形成される。その絶縁膜１１および絶縁膜１４を貫通するようにプラグ１３が形成される。さらに、その絶縁膜１４上に、誘電率が比較的低いＬｏｗ−ｋ膜からなる絶縁膜１６が形成され、その絶縁膜１６に、ダマシン技術によって、プラグ１３に電気的に接続される配線２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】平坦性の良好な絶縁膜を所望の膜厚に精度良く且つ容易に形成可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の凸パターンが配置された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する第１の工程と、凸パターンの上面に対応した領域の第１の絶縁膜を凸パターンの上面をストッパとして異方性エッチングにより除去し、凸パターンを露出させるとともに第１の絶縁膜からなる凸部を形成する第２の工程と、半導体基板上に、凸パターンおよび第１の絶縁膜からなる凸部を覆うように第２の絶縁膜を堆積する第３の工程と、第１の絶縁膜からなる凸部および該凸部を覆う第２の絶縁膜を少なくとも凸パターン上の第２の絶縁膜の表面高さまでＣＭＰ処理により除去することで平坦化し、凸パターン上に堆積された第２の絶縁膜と、隣接する凸パターン間の領域上に堆積された第１の絶縁膜と、を有する絶縁層を形成する第４の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 前駆体造成物、薄膜形成方法、これを利用したゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造に利用されることができる薄膜形成用造成物、薄膜形成方法、ゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法において、薄膜造成方法は、前駆体と電子供与化合物を接触させて安定化された前駆体を基板上に提供した後（Ｓ２０）、前駆体と結合を形成できる反応物質を基板上に導入して、薄膜を形成する（Ｓ３０）。電子供与化合物によって安定化された前駆体は、熱的安定性が優秀で、ステップカバレッジが優秀な薄膜を形成することができる。半導体製造工程の安全性、効率性及び信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＮＯＳ構造のブロック絶縁膜として金属酸化膜を用いて不揮発性半導体記憶装置を製造することができ、且つ金属酸化物の物性値に相応した絶縁特性を得ることにより、電荷保持特性及び書込み／消去特性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板１０１上に、トンネル絶縁膜１０５，電荷蓄積層１０６，金属酸化物を含有するブロック絶縁膜１０７，及び制御ゲート電極１０８を積層して構成されるＭＯＮＯＳ型の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、半導体基板１０１上に、トンネル絶縁膜１０５，電荷蓄積層１０６，及びブロック絶縁膜１０７を積層形成した後、酸化性ガスを含む雰囲気下で熱処理を施し、次いでブロック絶縁膜１０７上に制御ゲート電極１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】使用時に半導体素子を汚染するパーティクルの発生がなく、かつ使用を重ねても処理条件を変動することがないシリカガラス治具を提供する。
【解決手段】半導体を製造する工程で使用するシリカガラス治具において、その表面の一部又は全部に中心線平均粗さＲａが０．１〜２０μｍの凹凸が存在し、前記凹凸が、大柄な波状の凹凸とその表面に存在する微細な浅いお椀状の凹部とからなる多層構造で、しかも前記お椀状の凹部の底の深さが凹部の縁径より小の浅さで凹部間の縁には鋭角な凸がなく、かつ、濃度３．０〜４．０％で液温が１７〜２３℃のフッ化水素水溶液にて１５〜１７時間エッチングした時の表面と、エッチング処理しない時の表面とを触針部先端のＲが２〜１０μｍの範囲にある触針式表面粗さ測定装置を用いてＪＩＳＢ０６０１に基づき測定した時の中心線平均粗さRaの変化率が５０％以下であることを特徴とするシリカガラス治具。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜を堆積させるためのアミノシラン前駆体、およびこれらのアミノシラン前駆体からシリコン含有膜を堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】シリコン含有膜を堆積させるための次式（I）：
（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎＳｉＲ^３_４−ｎ （I）
（式中、置換基Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にＣ１〜２０のアルキル基およびＣ６〜３０のアリール基から選択され、置換基Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも１つはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＰＯ（ＯＲ）_２、ＯＲ、ＲＣＯＯ、ＳＯ、ＳＯ_２、ＳＯ_２Ｒから選択される電子吸引性置換基を含み、そしてＲ^３はＨ、Ｃ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１２のアリール基から選択され、そしてｎは１〜４の範囲の数である。）から成るアミノシラン前駆体。 （もっと読む）

【課題】加熱することなく炉口部等の低温部への副生成物の付着を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インレットフランジ１６ａを支持するベースフランジ１６ｂとを含み基板を処理する反応炉と、反応炉を気密に閉塞するシールキャップ２０と、シールキャップ２０と離間してベースフランジ１６ｂ内側に設けられるカバーであるアイソレーションフランジ４２と、シールキャップ２０とベースフランジ１６ｂの内側壁面とで囲まれる空間により形成される小部屋４３と、シールキャップ２０に対して不活性な第１ガスを小部屋４３に供給する第１ガス供給管１９ｂと、アイソレーションフランジ４２形成され小部屋４３に供給された第１ガスを反応炉内に流出させる流出経路４２ａと、流出経路４２ａよりも下流側に設けられて反応炉内に第１ガスよりもシールキャップ２０に対して活性な第２ガスを供給する第２ガス供給管１９ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）