【課題】熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上に被加工膜を形成し、シリコン基板１及び被加工膜を加工して素子分離溝５を形成し、素子分離溝５に熱ＣＶＤ法により絶縁膜６を埋め込む製造方法であって、絶縁膜６を埋め込む工程の熱ＣＶＤ法の成膜条件を、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの空孔率が５％以上となると共に、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さを越える部分を埋め込む絶縁膜６ｂの堆積速度が素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの堆積速度よりも小さくなる条件に設定した。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流の低減。
【解決手段】半導体材料の表面に沿って互いに隣接する、シリサイド化される金属を含有する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆い、電気素子要素に含まれる金属が実質的にシリサイド化しない温度で薄膜形成したシリコンを含む保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。上記半導体装置において、保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有できる。保護絶縁膜は、２６０℃以下の温度で薄膜形成した窒化シリコン膜であってよく、好ましくは１００℃以下の温度で薄膜形成した窒化シリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】


式中、Ｒが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和のＣ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃのシリルから選択され、Ｒ¹が、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ₂〜Ｃ₁₀アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を選択的に有無し、式Ａ中のＲとＲ¹を結合して環状基（ＣＨ₂）_n（式中、ｎは１〜６）にしてもよく、Ｒ²が、単結合、（ＣＨ₂）_n鎖、環、ＳｉＲ₂又はＳｉＨ₂を表すアミノシランからなる前駆体及び混合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】石英炉のパーツ交換の頻度を低減する方法を提供する。
【解決手段】基板を石英炉内に投入するＳ２０。基板が投入された石英炉の炉内温度を、水素を含む雰囲気下で上昇させるＳ４０。炉内温度の上昇速度は、毎分１０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、下部電極としてのポリシリコン膜１０２を形成する工程と、ポリシリコン膜１０２を窒化処理してシリコン窒化膜１０３を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜１０３上に誘電体層１０４を形成する工程と、誘電体層１０４の上に、上部電極１０５を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、上記窒化工程は、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入して窒素含有プラズマを発生させるプラズマ処理装置により６６．７Ｐａ〜１３３３Ｐａの処理圧力でポリシリコン膜１０２をプラズマ窒化処理する。 （もっと読む）

【課題】基板が薄型化されるとともに、微細パターンからなる半導体領域が形成された半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１にＮ型エピタキシャル層２を形成した後、ステッパーによるフォトリソグラフィー法を用いて微細パターンからなるＰ型不純物領域３、４及び表面オーミックコンタクト電極５を形成する工程と、表面オーミックコンタクト電極５を覆うように保護膜を形成し、前記保護膜の平坦化を行う工程と、ＳｉＣ単結晶基板１を薄くする基板薄型化工程と、ＳｉＣ単結晶基板１に裏面オーミックコンタクト電極７を形成する工程と、Ｐ型不純物領域３、４及び表面オーミックコンタクト電極５と接続されたショットキー金属部８を形成し、ショットキー金属部８を覆う表面パッド電極９を形成する工程と、を具備する半導体デバイス１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニール等の熱処理をし、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面１ａ上の膜のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付けることにより、熱ＣＶＤ膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比誘電率が１０以上のhigh-k材料から構成されるＭＩＭキャパシタの高誘電率膜がトランジスタや配線の設けられる箇所に形成されない半導体装置を容易に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地電極を形成する工程と、前記下地電極上にフォトレジストを塗布する工程と、前記下地電極の外周部より中央側において前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、比誘電率が１０以上のhigh-k材料から構成される高誘電率膜を成膜する工程と、前記下地電極の外周部より中央側に前記高誘電率膜が残るように、リフトオフを行なう工程と、前記リフトオフにより残された前記高誘電率膜上に上地電極を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。ここで、出射窓４０ｇと基板Ｗとの距離Ｄについては、基板Ｗに対応した値に調整される。また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めたゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】窒素含有ゲート絶縁膜１２を形成するステップが、シリコン単原子層を堆積するステップ及びシリコン単原子層を酸化するステップを順次に含み、半導体基板１１上にシリコン酸化膜２１を形成する酸化膜形成ステップと、シリコン酸化膜の表面部分２１ａを５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化法により窒化する窒化ステップと、シリコン単原子層を堆積するステップ及びシリコン単原子層を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化法により窒化するステップを順次に含み、表面部分を窒化したシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜２２を形成する窒化膜形成ステップと、を有し、窒素含有ゲート絶縁膜とゲート電極１３との界面での窒素濃度が、窒素含有ゲート絶縁膜と半導体基板との界面での窒素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、半導体基板に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板に脆化領域を形成し、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、ベース基板上に第１及び第２の絶縁膜を介して半導体層を形成し、半導体層にエッチング処理を行い、エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】磁性層及び非磁性層の特性が劣化するのを抑制する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された固定層１４と、磁化方向が可変である記録層１２と、固定層１４及び記録層１２に挟まれた非磁性層１３とを有する積層構造と、この積層構造の側面を覆い、かつ窒化シリコンからなる第１の保護膜１６と、第１の保護膜１６の側面を覆い、かつ窒化シリコンからなる第２の保護膜１７とを含む。第１の保護膜１６は、水素の含有量が４ａｔ％以下であり、第２の保護膜１７は、水素の含有量が６ａｔ％以上である。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合でもＳＢＤやＳＩＬＣが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＳＩＬＣ、ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が得られる絶縁膜、それを用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】主として半導体材料で構成された半導体基板２に接触して設けられ、シリコン、酸素原子、および、これらの原子以外の少なくとも１種の原子Ｘを含有する絶縁性無機材料を主材料として構成され、水素原子を含むゲート絶縁膜３であって、その厚さ方向の少なくとも一部において、前記原子Ｘの総濃度をＡとし、前記水素原子の濃度をＢとしたとき、Ｂ／Ａが１０以下なる関係を満足する領域を有している。これにより、薄膜化した場合でもＳＢＤやＳＩＬＣが生じ難く、高い絶縁破壊耐性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高品質のＭＯＳ構造に応用可能な、ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置は、ＳｉＣ材料の表面にソフトブレークダウン特性を示すＳｉＯ_２膜を形成し、得られたＳｉＯ_２膜のソフトブレークダウン特性を改善することにより製造する。具体的には、ＳｉＣからあらかじめ形成した熱酸化膜を、比較的高温で酸化種濃度が低い条件で熱処理した酸化膜、あるいは比較的高温で酸化種濃度の低い条件でＳｉＣ上に形成した酸化膜を、実質的にＳｉＣで酸化が進行しない温度で酸化種濃度の高い条件下で熱処理すればよい。 （もっと読む）

【課題】銅を主成分とするコンタクトプラグを有する半導体装置において、コンタクトプラグに隆起が発生することを防止する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１０２に、金属シリサイド層１０１に到達するコンタクトホール１０３を形成する工程（ｃ）と、コンタクトホールの底面及び側壁に、高融点金属膜１０４を形成する工程（ｄ）と、高融点金属膜上に、銅を主成分とする金属膜１０６Ａを形成し、コンタクトホール内に、高融点金属膜を介して、金属膜が埋め込まれてなるコンタクトプラグ１０７を形成する工程（ｅ）と、第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上に、第２の層間絶縁膜１０８を形成する工程（ｆ）とを備え、工程（ｆ）は、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスを除去する工程（ｆ１）と、工程（ｆ１）の後に、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスが除去された状態で、第２の層間絶縁膜を形成する工程（ｆ２）とを含む。 （もっと読む）