【課題】サイドウォールスペーサを利用してリソグラフィー解像限界未満のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターンを形成する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜３及びシリコン酸窒化膜４からなる被エッチング部材上に塗布膜５をスピン塗布法により成膜し、塗布膜５をパターニングすることによってサイドウォールコアを形成し、サイドウォールコアの少なくとも側面を覆うシリコン酸化膜７を成膜し、シリコン酸化膜７上に有機反射防止膜８をスピン塗布法により成膜する。次いで、有機反射防止膜８をエッチングすることによって、シリコン酸化膜７の凹部７ａを覆う埋込マスクを形成し、シリコン酸化膜７をエッチングすることにより、サイドウォールコアまたは埋込マスクと重ならない被エッチング部材を露出させ、被エッチング部材をエッチングすることでフォトリソグラフィー解像限界未満のパターンを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リーク電流が小さく、かつ容量の大きい容量絶縁膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】容量絶縁膜形成工程は、下部電極が形成された半導体基板を成膜装置内に設置する工程と、半導体基板の温度を第１の温度に保持する第１の温度調整工程と、下部電極を覆うように、第１の温度に保持された半導体基板上に第１の絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、半導体基板を第２の温度に保持する第２の温度調整工程と、第１の絶縁膜の表面を覆うように、第２の温度に保持された半導体基板上に第２の絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、第１の温度調整工程、第１の成膜工程、第２の温度調整工程、第２の温度調整工程、及び第２の成膜工程を繰り返し行うことで、前記容量絶縁膜を形成する繰り返し工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】キャリアのライフタイムを長寿命化した結晶系シリコン基板を提供できる表面処理方法及び当該結晶系シリコン基板を用いて特性が向上した太陽電池セルを製造できる太陽電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】ホスフィンガスと水素ガスとを含む反応性ガスを、加熱された触媒体に接触させることによりラジカルを発生させ、このラジカルを、結晶系シリコンからなる被処理基板５１に供給することにより被処理基板５１の表面処理を行う。当該処理がなされた被処理基板５１には、リンがドープされたｎ^＋型ドープ層５２が形成される。次に、当該ｎ^＋型ドープ層５２にシリコン窒化膜５３を形成する。これにより、被処理基板５１とシリコン窒化膜５３との界面におけるキャリアの寿命が長寿命化する。また、当該処理基板５１を用いて特性が向上した太陽電池セル５０が得られる。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚測定に用いる標準試料中のＬａを含む膜の保管時の安定性を向上させる。
【解決手段】膜厚測定用標準試料１００は、シリコン基板１０１上に設けられたＬａ含有膜１０３およびＬａ含有膜１０３の上部に設けられてＬａ含有膜１０３を覆うとともに金属窒化物を含む保護膜１０５を含む。これにより、Ｌａを含む膜１０３の保管時の変質による膜厚変動を効果的に抑制する。このような膜厚測定用標準試料１００を用いて、Ｌａを含む膜の膜厚の測定値を補正するステップを含む、膜厚測定方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反応性をもつガス（ラジカル）を利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に確実に絶縁膜を残すことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ内にゲート電極を形成した後、一部にリフロー性の絶縁膜を含む絶縁膜を形成して平坦化する。その後、ＣＭＰ法により平坦化した表面を研磨し、トレンチ内に絶縁膜を充填する。その際、フィールド酸化膜の表面も研磨する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給工程と、反応ガスのプラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ発生工程の後に、成膜室から排気された反応ガスに活性ガスを間欠的に供給し、排気トラップにトラップさせる活性ガス供給工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系の半導体から成る活性層３と、活性層３上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 （もっと読む）

【課題】W等の金属膜の酸化を防止しつつ、金属膜上に低温で酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜が形成された少なくとも１枚のウエハ３１０を処理室３１８内に搬入する工程と、金属膜を含むウエハ３１０表面にシリコンを含む酸化膜を形成する工程と、を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、酸化膜の形成工程は、ウエハ３１０を所定の温度に加熱しながら、シリコン原子を含む第１の反応物質を処理室３１８内に供給する工程と、ウエハ３１０を所定の温度に加熱しながら、酸素原子を含む第２の反応物質と、水素とを処理室３１８内に供給する工程と、を有し、処理室３１８内の加熱温度と、水素に対する第２の反応物質の供給比を制御することにより、金属膜の酸化を制御する。 （もっと読む）

反応器内部の露出面上の望ましくない成長または核生成を防止するために、混合ＳＡＭの形成に関する方法および構造が記載される。混合ＳＡＭ（３２２）は、核生成が望ましくない表面（３０８）上に、第１の長さ（３３４）の分子を有する第１のＳＡＭ前駆体、および第１の長さより短い第２の長さ（３３８）の分子を有する第２のＳＡＭ前駆体を導入することによって形成されることができる。提供できる合成ＳＡＭ（３２２）に覆われる露出面の例は、反応器表面ならびに絶縁体および誘電体層などの集積回路構造（８００）の選択表面を含む。 （もっと読む）

【課題】下地膜の結晶性の影響を抑え、高誘電率の結晶構造としたキャパシタ絶縁膜とする。
【解決手段】基板２００の上に形成された結晶質膜３１０の上に非晶質膜３２０を形成する非晶質膜形成工程と、非晶質膜３２０の上に結晶質膜３１０の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜３３０を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する。結晶性絶縁膜形成工程においては、基板２００を加熱して前記絶縁膜３３０の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体以外の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタ１６０と、第１のトランジスタ１６０の上方の、酸化物半導体材料が用いられた第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタ１６２と、容量素子１６４と、を有し、第２のトランジスタ１６２の第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜２２の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。また膜２０は酸素が透過しやすい性質を有するので、酸素熱処理により強誘電体キャパシタ１９における分極特性のばらつきも十分防止できる。 （もっと読む）

エンハンスメント・モードＧａＮ ＭＯＳＦＥＴ（１００）が、ＡｌＧａＮ（又はＩｎＡｌＧａＮ）障壁層（１１８）上のＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）を用いて形成される。ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉ_３Ｎ_４部分（１２０）は、ゲート絶縁層（１２４）と障壁層（１１８）との間の接合での界面準位の形成を低減させ、ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉＯ_２部分（１２２）は、漏れ電流を著しく低減させる。

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【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

光照射を通して回折格子を用いて人間の眼に見える技術用途向けの色パターンを作成する方法において、ナノ秒範囲又はピコ秒若しくはフェムト秒範囲の少なくとも１つのレーザー装置によるレーザー微細構造化プロセスによって、固体表面上に回折格子アレイが直接生成される。各回折格子アレイは、長手方向寸法が眼の分解能力を下回る値を有する、スペクトル色を生成する限定された回折格子構造である少なくとも１つの画素８１、８２、８３を含む副領域８１で構成される。この色生成回折格子構造を固体表面に直接適用することによって、エンボス加工用具から宝石まで及ぶ多種多様な装飾及び認証の発展性が可能になる。
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【課題】大型基板上に堆積されるオルガノ珪酸塩膜の厚さ均一性を制御する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、急速加熱処理などにより、処理チャンバ内に大型基板を提供するステップと、前記大型基板の表面周囲領域と前記周囲領域の内側表面領域とを含むように、前記大型基板上の識別可能な少なくとも２か所の温度を制御するステップと、前記大型基板の表面周囲領域の温度を、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約１０℃低い温度から、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約２０℃高い温度までの範囲内に維持するステップと、オルガノ珪酸塩膜を堆積するステップを備え、堆積された前記オルガノ珪酸塩膜は約１０％以下の膜均一性を提供する方法。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）