【課題】プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。
【解決手段】半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の薄膜を形成する成膜方法において、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電によってプラズマを生成し、放電プラズマによって半導体表面上に２層からなる薄膜を成膜し、２層の薄膜の内、第１層目の薄膜は６０ｎｍ／ｍｉｎ以下の低速で膜厚１０ｎｍ以下に成膜し、第２層目の薄膜は１００ｎｍ／ｍｉｎ以上の高速で膜厚１０ｎｍ以上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起原子層の成膜（ＰＥＡＬＤ）によって半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び水素を含有する反応ガス及び添加ガスを、半導体基板が中に配置された反応空間に導入する工程と、高周波ＲＦパワー入力源と低周波ＲＦパワー入力源を使用してＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、プラズマが励起している反応空間に水素を含有するシリコン前駆体をパルスの状態で導入し、このことにより基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、取り扱いが容易で、且つ酸化的熱分解が起こり易いジアルキルアミノ基を有する気相成長シリコン原料を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、ジアルキルアミノ基を有する気相成長用シリコン原料によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜を形成する際の下地である金属膜の酸化を抑制する。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にアルミニウム原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源または窒化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、基板表面に形成された電極膜上にアルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、アルミニウムを含む絶縁膜上に、アルミニウムを含む絶縁膜とは異なる高誘電率絶縁膜を形成する工程と、高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

ＩＶ族金属含有前駆体と、ＩＶ族金属含有膜｛窒化物、酸化物および金属）の高い処理温度での堆積におけるその使用とを開示している。金属中心に結合したシクロペンタジエニル配位子およびイミド配位子の使用は熱安定性を確保し、広範な堆積温度ウィンドウおよび不純物の低い混入を可能にする。ＩＶ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）含有膜の堆積は、熱および／またはプラズマ強化ＣＶＤ、ＡＬＤおよびパルスＣＶＤによって行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、シリコン窒化膜の含有水素量を低減してメモリ動作の長期信頼性が確保された製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、表面にシリコン窒化膜１０３が形成されたシリコン基板１０１ａを収容した処理室内の圧力を大気圧よりも低くした状態で処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して、シリコン窒化膜１０３の一部を酸化する工程と、シリコン窒化膜１０３の酸化した部分１０４を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】膜ストレスを制御することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ200を処理する空間を成す処理室201に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ200に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の2倍より長く供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】低温で高ストレスのシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハＷにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管２内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管２内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定し、この設定した反応管２内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ_２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤがＣＶＤに比べて優れたコンフォーミティ（ｃｏｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。
【解決手段】シリコンナイトライド層を含む、超高品質シリコン含有化合物層を形成するため、複数の順次的なステップ１４０が、反応チャンバー中で実施される。好ましい実施態様において、シリコン前駆物質としてトリシランを用いて、シリコン層が基板上に堆積１００される。シリコン前駆物質は、反応チャンバーから除去される１１０。その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること１２０によって形成される。窒素反応物質は、反応チャンバーから除去される１１０。これらのステップ１００、１１０、１２０及び１３０を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極の酸化を抑制しつつ、ＭＯＳＦＥＴの寄生容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板上に形成されたシリコンと酸素とを含む第１絶縁膜１２ａと、前記第１絶縁膜上に形成された前記第１絶縁膜よりも誘電率が高く、高融点金属と酸素とを主成分とする第２絶縁膜１２ｂと、で構成されるゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属層１３を含むゲート電極１５と、前記ゲート電極の前記金属層の側面、および前記ゲート絶縁膜の前記第２絶縁膜の側面に形成されたシリコンと窒素を含む第１側壁絶縁膜１６と、前記第１側壁絶縁膜の側面、および前記第１絶縁膜の前記第１絶縁膜の側面に形成されたシリコンと酸素とを含む第２側壁絶縁膜１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１１の上に形成された強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜１８を有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０の下側に形成された第１の水素バリア膜１５とを有している。第１の水素バリア膜１５は、フッ素を含む窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】 原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】現行のバリア誘電体膜に匹敵するかそれよりも低い誘電率を有する誘電体膜を得る方法を提供する。
【解決手段】集積回路基板の誘電体膜と金属相互接続との間に、炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成する方法であって、誘電体膜を有する集積回路基板を提供すること、この基板をＲ_ｘＲ’_ｙ（ＮＲ”Ｒ”’）_ｚＳｉを含むバリア誘電体膜の前駆物質と接触させること（Ｒ、Ｒ’、Ｒ”及びＲ”’はそれぞれ個々に、水素、直鎖若しくは分岐の飽和若しくは不飽和アルキル、又は芳香族から選択され；ｘ＋ｙ＋ｚ＝４；ｚ＝１〜３であるが、Ｒ及びＲ’の両方が同時に水素にはならない）；及び集積回路基板上でＣ／Ｓｉ比０．８超かつＮ／Ｓｉ比０．２超の炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成することを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリセルの電荷保持特性の劣化の抑制を図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリセルは、トンネル絶縁膜2と、電荷蓄積層3と、絶縁層４（４₁，４₂）と、制御電極５と、ソース／ドレイン領域６とを含み、素子分離絶縁膜７とを備し、チャネル幅方向において、絶縁層４は、電荷蓄積層３の上面に接した第１の絶縁層４₁と、電荷蓄積層３の端部に接した第２の絶縁層４₂とを含み、かつ、第２の絶縁層４₂の外側にある素子分離絶縁膜７の上面は、トンネル絶縁膜２と電荷蓄積層３との界面よりも上にある。 （もっと読む）

【課題】膜ストレスを制御することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する空間を成す処理室２０１に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ２００に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の２倍より長く供給するように制御する。 （もっと読む）

自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部と成膜処理部の間に隔壁を配することによって被成膜基板にプラズマ生成部で発生する高エネルギー粒子が入射するのを抑制する構成を有する装置において、成膜分布を改善することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、プラズマが生成される第一の空間、基板を載置する為の基板ホルダを有する第二の空間、第一の空間と第二の空間を分離する、内部に第三の空間を有する隔壁、第一の空間と第二の空間を繋ぐ前記隔壁に形成された複数の第一の孔、第二の空間と第三の空間を結ぶ前記隔壁の第二の空間に接する面に形成された複数の第二の孔、第一の空間に第一のガスを導入する第一のガス導入手段及び第三の空間に第二のガスを導入する第二のガス導入手段を有し、第一の孔に係わる単位面積当たりの開口率は、中心部より周辺部で大きい構成とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に達するコンタクトホールを確実に形成し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８を形成する工程と、第１応力膜とエッチング特性が異なる絶縁膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０を用いて、第２領域内の絶縁膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の絶縁膜をサイドエッチングする工程と、第１マスクを用いて第２領域内の第１応力膜をエッチングする工程と、絶縁膜とエッチング特性が異なる第２応力膜を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が絶縁膜上に位置する第２マスクを用いて、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び絶縁膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）