【課題】面積を抑えたアンチヒューズ素子を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０と、第１絶縁膜１１と、シリサイド膜１２ｂを含む導電膜１２と、コンタクト１５と、を具備する。第１絶縁膜は、基板上に形成されている。導電膜は、第１絶縁膜上に形成されている。コンタクトは、基板上に形成され、第２絶縁膜１４を介して導電膜に隣接して配置され、シリサイド膜と短絡している。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２の層間絶縁膜１４に、配線の上面を露出するように、第１の開口径とされた第１の開口部１６、及び第１の開口径よりも小さい第２の開口径とされた第２の開口部１７を一括形成し、次いで、第１及び第２の開口部の内面を覆う高誘電率絶縁膜１９を成膜し、次いで、斜めイオン注入法により、第２の開口部の底面に形成された高誘電率絶縁膜にイオンが注入されないように、少なくとも第１の開口部の底面の外周に形成された高誘電率絶縁膜にイオンを注入し、その後、ウエットエッチングにより、イオンが注入された高誘電率絶縁膜を除去し、次いで、第１及び第２の開口部内を導電膜２１で埋め込むことで、第１の開口部内にコンタクトプラグ２２を形成すると共に、前記第２の開口部内に、第２の開口部に高誘電率絶縁膜及び導電膜よりなるアンチヒューズ素子２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ヒューズ層を覆う絶縁膜の膜厚を精度良く調整する。
【解決手段】半導体基板１０上の第２の層間絶縁膜１７上にヒューズ層１８Ｔが形成され、ヒューズ層１８Ｔは第３の層間絶縁膜２０で覆われる。第３の層間絶縁膜２０上には、キャップメタル２４に覆われたパッド電極２３が形成され、それらは第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６に覆われる。次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。その後、パッド電極２３上で開口する第２のレジスト層３０をマスクとして、パッド電極２３上で第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６及びキャップメタル層２４をエッチングしてパッド電極２３の表面を露出する。その後、保護膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、ヒューズの微細化を図ること。
【解決手段】シリコン基板１に素子分離絶縁膜２を形成する工程と、素子分離絶縁膜２の上に第１の絶縁膜１３を形成する工程と、第１の絶縁膜１３にスリット１３ｘを形成する工程と、スリット１３ｘを通じて素子分離絶縁膜２をウエットエッチングして凹部２ｂを形成する工程と、凹部２ｂとスリット１３ｘの各々の内面に第２の絶縁膜２４を形成することにより、第２の絶縁膜２４によりスリット１３ｘを塞ぎつつ、凹部２ｂ内にボイド２４ａを形成する工程と、ボイド２４ａの上の第２の絶縁膜２４にホール２５ｂを形成し、ホール２５ｂ内にボイド２４ａを露出させる工程と、露出したボイド２４ａとホール２５ｂのそれぞれの中に導電膜２７を形成することによりヒューズFを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい電圧の変化を減らすことにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置のレイアウト方法及びその半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された少なくとも１つの第１電極と第２電極を有する複数個のトランジスタのアクチブ領域を配置する段階と、前記複数個のトランジスタのアクチブ領域のそれぞれの少なくとも１つの第１電極と第２電極との間に位置し、前記半導体基板上に所定の幅と長さを有する１つ以上の実質的に同一間隔に分離された前記複数個のトランジスタのゲートを配置する段階と、前記複数個のトランジスタの間に、所定の幅と長さを有し、前記半導体基板上に前記複数個のトランジスタの分離されたゲートの間隔と実質的に同一間隔に配置された複数個のダミーゲートを配置する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】導通状態での抵抗値のばらつきを抑制することが可能な縦型ＭＯＳトランジスタ構造のアンチヒューズを提供する。
【解決手段】半導体基板１の活性領域Ｔ内に形成された第１ピラー１aと、活性領域Ｔを区画する素子分離領域２内にあって、第１ピラー１aに隣接して形成され、第１ピラー１aの側面の一部に接する絶縁体からなるヒューズ用絶縁凸部２aと、第１ピラー１aの側面のうち、ヒューズ用絶縁凸部２aに接しない部分を覆うヒューズ絶縁膜９と、第１ピラー１a及びヒューズ用絶縁凸部２aを取り囲むヒューズ電極１０と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダミーゲートパターンを形成するためのレジストパターンが倒れることを抑制する。
【解決手段】ダミーゲートパターン２２０は、複数の第１のダミーゲート電極２２２と、第２のダミーゲート電極２２４を備えている。第１のダミーゲート電極２２２は、ゲート電極１１２と同一方向を向いている。第２のダミーゲート電極２２４は、第１のダミーゲート電極２２２とは異なる方向、例えば直交する方向を向いており、第１のダミーゲート電極２２２を他の第１のダミーゲート電極２２２に接続している。本実施形態において全ての第１のダミーゲート電極２２２は、第２のダミーゲート電極２２４によって、他の第１のダミーゲート電極２２２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】工程を追加せずに、アライメントマークの形成領域におけるゲート電極膜の残渣を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、アライメントマーク１０を有する第１領域Ｒ１と、抵抗体４０が形成される第２領域Ｒ２と、ゲート電極１５が形成される第３領域Ｒ３と、を主面１ａに有する基板の主面１ａ上に、金属材料を含有するゲート電極膜１１を形成する工程を有する。更に、第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２のゲート電極膜１１を等方性エッチングにより除去する工程を有する。更に、ゲート電極膜１１を除去した第２領域Ｒ２と、第３領域Ｒ３と、に導電膜（ポリシリコン膜１３）を成膜する工程を有する。更に、導電膜を成膜する工程の後に、基板の主面１ａ上にフォトレジスト膜を形成し、アライメントマーク１０をアライメントに用いて所定のパターンをフォトレジスト膜に転写する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎラウンディングの影響を防ぐためにトランジスタの特性変動量を定量的に考慮した最適な設計基準に基づく設計の検証を可能とする方法の提供。
【解決手段】拡散層１において第１の辺３と第２の辺４で確定されるコーナー部に形成されるＤｉｆｆｕｓｉｏｎラウンディング５の形状を数式で表現し、コーナー部に隣接するゲート幅ＷのトランジスタＴｒに関して、第２の辺とゲートの間隔をＸ１とし、Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎラウンディングによるゲート幅の誤差をΔＷとし、Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎラウンディングの形状パラメータとΔＷとＸ１の関係と、トランジスタＴｒの特性変動率とゲート幅の変動率の関係とから、第２の辺とゲートの間隔Ｘ１の設計基準値を導出し、レイアウト情報からコーナー部に隣接して配設されるトランジスタのゲートと第２の辺の間隔を抽出し、抽出したゲートと第２の辺の間隔が、基準値を満たすか否か判定する。 （もっと読む）

【課題】フューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上にフィールド酸化膜を介して抵抗体を設け、抵抗体上に第一の金属配線を設け、第一の金属配線上に吸湿性膜を含む平坦性の良い金属間層間膜を形成する。抵抗体のトリミング用フューズは吸湿性膜を含む金属間層間膜の上に形成することで吸湿性膜の露出を防止する。 （もっと読む）

【課題】プロセスマージンを大きく取れる配線配置構造を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の第１配線６を含む第１配線層と、第１配線層上に形成され、第１配線６に接続された複数のビアコンタクト１０を含むコンタクト層と、コンタクト層上に形成され、ビアコンタクト１０に接続された複数の第２配線１４を含む第２配線層とを備える半導体装置において、コンタクトピッチは、第１配線６の最小配線ピッチ、又は、第２配線１４の最小配線ピッチ、よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】電流供給による溶断特性において優れた半導体装置のヒューズ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜上に形成された金属配線パターンの一部として形成されるヒューズ構造において、一対のパッド部と、当該パッド部間に接続されたヒューズ部とからなり、当該ヒューズ部には当該金属配線パターンの厚さ方向に窪み且つ当該ヒューズ部を横断する溝部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング発生を抑え、かつ動作電圧を低電圧化することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板に形成されたＣＣＤ型の固体撮像装置であって、オーバーフロードレイン構造のオーバーフローバリアの高さを規定する基板電圧Ｖｓｕｂを半導体基板に印加するＶｓｕｂ電圧発生回路２６を備え、Ｖｓｕｂ電圧発生回路２６は、直列接続された複数の抵抗素子を含み、電圧分割により基板電圧を出力する抵抗回路と、前記複数の抵抗素子のいずれかに並列に接続されたポリシリコンのパターンであるヒューズ６とを含み、ヒューズ６は、コンタクト２が設けられた２つのジョイント基部１と、２つのジョイント基部１に挟まれて位置し、コンタクト２を介して電圧が印加されることにより電流が流れて溶断する溶断部１０とを含み、溶断部１０は、Ｗ方向の長さがジョイント基部１より小さく、Ｗ方向の長さが異なる領域を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の電源を使用する半導体集積回路装置において、接続対象の接続する電源配線を容易に選択ないし変更できる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路装置は、静電気保護素子及び入出力回路素子のうちの少なくとも１つを含む接続対象と、１以上の電源配線及びパッドから選択される２以上の要素と、同一層に形成された複数の配線と、複数の配線のうちのいずれか１つの配線と、接続対象とを電気的に接続する第１コンタクトと、を備える。複数の配線は、電源配線、パッド、又は電源配線及びパッドのうちのいずれかと電気的に接続された配線である。 （もっと読む）

【課題】ダイオードセルを有する半導体装置において、ダイオードセルに隣り合う標準セルについて、光近接効果によるゲート長のばらつきを確実に抑制できるレイアウトを提供する。
【解決手段】標準セルＣ１は、Ｙ方向に延び、Ｘ方向に同一ピッチで配置されたゲートパターンＧ１，Ｇ２，Ｇ３を有する。ダイオードセルＣ２は標準セルＣ１にＹ方向において隣り合っている。ゲートパターンＧ１，Ｇ２，Ｇ３は、各終端部ｅ１，ｅ２，ｅ３がＹ方向において同じ位置にあり、Ｘ方向における幅が同一である。ダイオードセルＣ２は、ダイオードとして機能する拡散層Ｄ１〜Ｄ１０に加えて、標準セルＣ１のゲートパターンＧ１，Ｇ２，Ｇ３の終端部ｅ１，ｅ２，ｅ３に対向するように配置された、ゲートパターンＧ４，Ｇ５，Ｇ６からなる複数の対向終端部ｅｏ１，ｅｏ２，ｅｏ３を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、ゲート電極部の幅及びゲート電極部からの突き出し長のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極部及び突き出し部を有する実パターン４３１と、実パターン４３１に並んで配置されるダミーパターン４３３とを含む複数のラインパターンを備える。２つのダミーパターン４３３と、これらに挟まれ且つ実パターン４３２を含むラインパターンとにより、同一間隔を空けて並走するラインパターン並走部が構成される。ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】書き込み電圧が小さいアンチヒューズを提供する。
【解決手段】アンチヒューズは読み出し専用の記憶装置のメモリ素子に用いられる。アンチヒューズは、第１導電層、絶縁層、半導体層、及び第２導電層を有する。アンチヒューズに含まれる絶縁層は、原料ガス中にアンモニアを添加して形成した酸化窒化シリコンであり、層中に１．２×１０^２１以上３．４×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の水素、または３．２×１０^２０以上２．２×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素を含むことで、低電圧での書き込みが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アクティブフィーチャの容量カップリングを低減する。
【解決手段】本発明は、研磨ダミーフィーチャパターンの無差別な配置ではなく、研磨ダミーフィーチャパターンの選択的な配置を使用する。トポグラフィ変化の低周波数（数百ミクロン以上）及び高周波数（１０ミクロン以下）の両方が検討された。研磨ダミーフィーチャパターンは半導体デバイス及び半導体デバイスの作製に使用される研磨条件に特に適合されている。集積回路をデザインする場合にはアクティブフィーチャの研磨効果が予測可能である。研磨ダミーフィーチャパターンが例図とに配置された後、局部的な（デバイスの全てではなく一部）レベルにおいて、及びさらに広域的なレベル（全デバイス、デバイスとは、レチクルフィールド、或いはさらにはウェハ全体に対応する）平坦性が検査される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする材料からなる最上層配線からのパッシベーション膜の剥離を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、層間絶縁膜２６と、絶縁材料からなり、層間絶縁膜２６上に形成されたパッシベーション膜３３と、銅を主成分とする材料からなり、層間絶縁膜２６の表面とパッシベーション膜３３との間に形成された最上層配線２８と、アルミニウムを主成分とする材料からなり、パッシベーション膜３３と最上層配線２８の表面との間に介在され、最上層配線２８の表面を被覆する配線被覆膜３１とを含む。 （もっと読む）

【課題】クラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート線等の金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、複数の金属配線が同一平面上に形成され、金属配線の上に絶縁膜が形成された積層構造を有し、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線を有する配線構造であって、
第１の金属配線の線幅をＸ（μｍ）、
第１の金属配線の長さをＹ（μｍ）としたとき、
（１）若しくは（２）、および／または下記（３）の要件を満足することを特徴とする配線構造。
（１）Ｘ≦２０μｍ
（２）Ｘ＞２０μｍのときは、Ｙ≧１０Ｘ−１６０、
（３）第１の金属配線の切断端面から、第１の金属配線に隣接する第２の金属配線までの間において、第１の金属配線は絶縁膜の存在しない領域Ｚを有する。 （もっと読む）