【課題】高い信頼性を有し且つ安価な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】この不揮発性半導体記憶装置において、メモリストリングスは、基板に対して垂直方向に延びる一対の柱状部、及び前記一対の柱状部の下部を連結させるように形成された連結部を有する半導体層と、前記柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、前記柱状部の側面及び前記電荷蓄積層を含む第１の絶縁膜と、前記柱状部の側面及び前記第１の絶縁膜を覆うように形成された第１導電層と、前記連結部の周囲に形成される第２の絶縁膜と、前記連結部に前記ゲート絶縁膜を介して形成される第２導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】より容易な方法で集積度を向上させた情報格納装置を提供する。
【解決手段】本発明の情報格納装置は、基板と、基板上のゲートライン構造体を含むトランジスターと、少なくとも一部が基板内に埋め込まれてトランジスターの活性領域を定義する導電性分離パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｓ）と、を有し、導電性分離パターンは、互いに電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の縮小を図る。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、メモリセル部の素子領域１０ａ上に形成された第１の拡散層１７ａと、第１の拡散層に接続された第１のコンタクトＣＢ１と、第１のコンタクト上に形成された第１の下部電極層２１ａと、第１の下部電極層上に形成された第１の抵抗変化層２２ａ及び第１の上部電極層２３ａと、周辺回路部において互いに異なる素子領域に形成された第２乃至第４の拡散層１７ｄ、１７ｅと、第２乃至第４の拡散層に接続された第２乃至第４のコンタクトＣＳ１、ＣＳ２と、第１の下部電極層、第１の抵抗変化層、第１の上部電極層と同じ高さに形成された第２の下部電極層２１ｂ、第２の抵抗変化層２２ｂ、第２の上部電極層２３ｂとを具備する。第２の下部電極層は、第２及び第３のコンタクトを接続する第１のローカル配線Ｌ１として機能する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高品質な配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域１００及び第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層１０と、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層１１ａと、第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層上に形成され、第２の絶縁層と略同一の高さを有する第３の絶縁層１１ｃと、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上及び第２の絶縁層の両方の側壁に形成された第１の配線層１３ａと、第２の領域に設けられた第１の絶縁層上、及び第３の絶縁層の上面及び側壁上に形成された第２の配線層１３ｂと、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の配線層、及び第２の配線層を覆う第４の絶縁層１５と、第１の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第１の配線層に接続された第１のコンタクトプラグ１７ａと、第２の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第２の配線層に接続された第２のコンタクトプラグ１７ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗変化型不揮発メモリ装置１００は、基板、金属層、下部電極、抵抗変化層、上部電極、及びスペーサー部を備える。金属層（金属密着層１４２）は、半導体基板１０２上に設けられる。下部電極１４４は、金属密着層１４２上に設けられていて、金属密着層１４２と接続する。上部電極１４８は、下部電極１４４上にあって、下部電極１４４と対向する位置に設けられている。抵抗変化層１４６は、下部電極１４４と上部電極１４８との間に設けられていて、下部電極１４４と上部電極１４８とが重なる領域よりも外側に延在している。スペーサー部１５０は、抵抗変化層１４６のうち外側に延在している部分と金属密着層１４２との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高速で動作し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】選択トランジスタとメモリセルトランジスタＭＴとを有するメモリセルＭＣがマトリクス状に配列されて成るメモリセルアレイ１０と、ビット線ＢＬの電位を制御する列デコーダ１２と、第１のワード線ＷＬ１の電位を制御する電圧印加回路１４と、第２のワード線ＷＬ２の電位を制御する第１の行デコーダ１６と、ソース線ＳＬの電位を制御する第２の行デコーダ１８とを有し、列デコーダは電圧印加回路及び第２の行デコーダより耐圧の低い回路により構成されており、第１の行デコーダは電圧印加回路及び第２の行デコーダより耐圧の低い回路により構成されている。ビット線と第２のワード線とが高速で制御され得るため、メモリセルトランジスタに書き込まれた情報を高速で読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態（例えば３以上の状態）の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第１信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化物質を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】印加された電圧によって抵抗が変化する抵抗変化物質をチャネル層として含む半導体素子及びその製造方法、前記半導体素子を含む不揮発性メモリ装置に係り、前記半導体素子は、絶縁基板上に配置されたチャネル層、前記チャネル層内に配置されたゲート電極、前記ゲート電極を取り囲むゲート絶縁膜、前記ゲート電極の両側面で、前記チャネル層上に配置されるソース電極及びドレイン電極、並びに前記基板と前記ゲート電極との間に配置される抵抗変化物質層を含み、これにより、前記半導体素子は、スイッチの機能と不揮発性メモリの機能とを同時に遂行することができる。 （もっと読む）

【課題】２Ｔｒ１Ｃ型半導体メモリ装置の消費電力を削減する。
【解決手段】読み出しトランジスタのしきい値の絶対値をビット線のデータ電位の変動幅よりも大きくする（あるいはビット線のデータ電位の変動幅を読み出しトランジスタのしきい値の絶対値よりも小さくする）ことで、ソース線の電位を固定し、また、書き込みワード線の電位変動を小さくでき、読み出しワード線の電位は、読み出しの際にのみ変動させる。また、そのようなしきい値の絶対値の大きなトランジスタは、ゲートの材料を仕事関数の高い窒化インジウム等を用いて形成する。仕事関数の高い材料を用いることで、ゲート絶縁物のポテンシャル障壁が高まり、リーク電流が抑制できるので、電荷保持特性も向上する。 （もっと読む）

【課題】正確に書き込み動作を行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】
複数の素子分離絶縁膜は、半導体層中に形成され、第１方向を長手方向とする。複数の素子形成領域は、素子分離絶縁膜により分離して形成される。素子形成領域にはメモリストリングが形成される。複数の素子形成領域群が素子形成領域により構成される。メモリセルアレイは、第１方向と直交する第２方向において、前記素子形成領域群の間隔が前記素子形成領域群の中の前記素子形成領域の間隔より大きくされている。制御回路は、前記メモリセルアレイに対する書き込み動作を、前記素子形成領域群ごとに実行する。 （もっと読む）

【課題】第1の領域のゲート絶縁膜への酸化剤の進入を防止しつつ、第２の領域の複数の第１の配線間に設けられた酸化アルミニウム膜を選択的に除去する。
【解決手段】第１の領域において第１の積層体の側壁を覆い、第２の領域において複数の第１の配線を覆うように形成した第１の絶縁膜をマスクとして、第１の領域に第１のイオン注入を施す。その後、第１の領域において第１の積層体の側壁を覆い、第２の領域において複数の第１の配線間を埋設するように形成した、酸化アルミニウムを主体とする第２の絶縁膜をマスクとして、第１の領域に第２のイオン注入を施す。第２の絶縁膜を、第１の絶縁膜に対して選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】選択ゲートトランジスタのゲート電極間の間隔の縮小を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、第１の方向に伸長する複数の第１の素子領域と、第１の素子領域を互いに分離する第１の素子分離領域と、第１の方向に伸長する複数の第２の素子領域と、第２の素子領域を互いに分離する第２の素子分離領域と、第１の素子領域と第２の素子領域との間に設けられ、第１および第２の素子領域に接続され、第１の方向と直交する第２の方向に伸長する第３の素子領域と、第１および第３の素子領域上にまたがり、第２の方向に伸長する第１の選択ゲート電極と、第２および第３の素子領域上にまたがり、第１の選択ゲート電極に隣接して平行に配置される第２の選択ゲート電極と、第１および第２の選択ゲート電極間の第３の素子領域に接続されるコンタクト電極を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、犠牲絶縁膜に形成された孔に導電膜を形成し、その後、犠牲絶縁膜を除去後に、導電膜への炭素成分に起因する残渣の付着を抑制することで、半導体装置の歩留まりを向上可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭素成分を含まない原料を用いた成膜方法により、半導体基板の表面に犠牲絶縁膜を形成する工程と、犠牲絶縁膜を貫通する孔を形成する工程と、犠牲絶縁膜のうち、前記孔の側壁部分を覆う導体膜を形成する工程と、犠牲絶縁膜を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の微細化が可能な記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各々第１電極と第２電極との間に記憶層を有する複数の記憶素子と、ワード線により制御される複数のアクセストランジスタとを備え、前記第１電極は、それぞれ前記アクセストランジスタを介して第１ビット線に接続され、二つの第１電極が、隣り合う異なるアクセストランジスタを介して同一の第１ビット線に接続されていると共に一つの記憶層を共有し、前記一つの記憶層は一本の第２ビット線に接続されている記憶装置。 （もっと読む）

【課題】実際の強誘電体メモリセルについて疲労特性を直接に測定する試験方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に形成された強誘電体キャパシタの疲労特性の面内分布を取得する第１の工程と、前記面内分布に基づいて、半導体装置を製造する第２の工程と、を含み、前記第２の工程は、前記半導体装置が形成される基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、前記第１の工程で取得された疲労特性の面内分布から、前記半導体装置が形成される基板上の特定領域を指定し、前記特定領域に形成された前記強誘電体キャパシタについて疲労特性を測定し、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて測定した前記疲労特性に基づき、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて良否判定を行い、前記良否判定の結果が良であれば、前記複数の強誘電体キャパシタの全てについて良と判定する。 （もっと読む）

【課題】その特性の向上を図ることができるＳＲＡＭのセルレイアウトを提供する。
【解決手段】第１トランジスタ（ＴＮＤ１）および第５トランジスタ（ＴＮＡ１）が配置される一体の第１活性領域（ＡｃＰ１）と、第１活性領域（ＡｃＰ１）と分離され、第２トランジスタ（ＴＮＤ２）が配置される第２活性領域（ＡｃＰ２）と、第３トランジスタ（ＴＮＤ３）および第６トランジスタ（ＴＮＡ２）が配置される一体の第３活性領域（ＡｃＰ３）と、第３活性領域（ＡｃＰ３）と分離され、第４トランジスタ（ＴＮＤ４）が配置される第４活性領域（ＡｃＰ４）と、を有するようＳＲＡＭを構成する。ドライバトランジスタを分割（ＴＮＤ１とＴＮＤ２、ＴＮＤ３とＴＮＤ４）し、異なる活性領域（ＡｃＰ２とＡｃＰ１、ＡｃＰ４とＡｃＰ３）上に配置する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる記憶装置を提供する。
【解決手段】第１クロック信号に従って、データを含む信号の電位の極性を反転させることで、出力電位を生成する第１論理素子と、第１論理素子が生成する出力電位を保持する第２論理素子及び第３論理素子と、トランジスタを用いたスイッチング素子と、第２論理素子及び第３論理素子において保持される第１論理素子の出力電位が、スイッチング素子を介して与えられることで、データを記憶する容量素子と、を有し、第２論理素子は、第１クロック信号とは異なる系統の第２クロック信号に従って、第３論理素子の出力電位の極性を反転させることで、第２論理素子の出力電位を生成し、第３論理素子は、第２論理素子の出力電位の極性を反転させることで、第３論理素子の出力電位を生成する記憶装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）