【課題】スループットの向上を図る。
【解決手段】半導体記憶装置の製造方法は、基板上に、不純物濃度が第１濃度である第１シリコン層３５、不純物濃度が第１濃度より低い第２濃度である第１犠牲層、不純物濃度が第１濃度である第２シリコン層３５、および不純物濃度が第２濃度である第２犠牲層が順に積層された積層体を形成する工程と、積層体上に、第１絶縁膜を形成する工程と、積層体および第１絶縁膜内に、溝２２を形成する工程と、溝内に、不純物濃度が第１濃度より低く、第２濃度より高い第３濃度である第３犠牲層９０を埋め込む工程と、ウェットエッチングにより、溝内の第３犠牲層を上面から後退させて除去することで、第１犠牲層および第２犠牲層の端面を後退させる工程と、第１シリコン層および第２シリコン層の端面を第１犠牲層および第２犠牲層の端面に沿ってエッチングする工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にボロンを含む膜を形成する工程と、前記ボロンを含む膜上に酸化シリコンを含む膜を形成する工程と、前記酸化シリコンを含む膜をパターニングする工程と、前記パターニングされた前記酸化シリコンを含む膜をマスクとして、前記ボロンを含む膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性半導体記憶装置の書き込み特性を向上させることができる。また、不揮発性半導体記憶装置の隣接素子間の干渉を抑制することができる。
【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面内に、チャネル領域を挟んで互いに離間して設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた絶縁性電荷蓄積層と、前記絶縁性電荷蓄積層上に設けられた両側部に絶縁層が設けられた導電性電荷蓄積層と、前記導電性電荷蓄積層上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた制御ゲートとを備えている。 （もっと読む）

【課題】電荷トラップを含むゲート電極と、電荷トラップを含まないゲート電極とを有する半導体装置において、両ゲート電極下のチャネル層にポテンシャルバリアが形成されないようにする。
【解決手段】基体８上に絶縁膜を介して第一のゲート電極１、第二のゲート電極２が形成され、両ゲート電極１、２を挟んで第一の拡散層５と第二の拡散層６が形成され、両拡散層５、６の間にチャネル層が形成されている。前記絶縁膜は、第一の拡散層５から第二の拡散層６の方向に第一の絶縁領域３、第二の絶縁領域４が配設された、両絶縁領域３、４のうち第二の絶縁領域４が電荷トラップを含み、第一の絶縁領域３を介して第一のゲート電極１が、第二の絶縁領域４を介して第二のゲート電極２が形成され、両ゲート電極１、２底部下に形成されるチャネル層の高さが相互に異なり、第二の拡散層６の先端部は、第二のゲート電極２直下の領域にまで到達している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を
含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成
領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領
域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成
された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、
を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜
厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳
する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】データ保持特性に対する信頼性を回復させることができる半導体記憶装置を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、それぞれ複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層された積層体と、前記積層体を貫く半導体ピラーと、前記電極膜と前記半導体ピラーとの間に設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層と前記半導体ピラーとの間に設けられたトンネル層と、前記積層体の積層方向に対して直交する一の方向において、前記半導体ピラー同士の間に設けられた前記電極膜を分離する分離溝と、前記分離溝の内部に設けられた加熱部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】書き込み／消去の繰り返しによる信頼性の低下を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、ウェル上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートに蓄積する電荷量を制御することにより電気的にデータを書き換え可能な複数のメモリセルを備える。半導体記憶装置は、前記ウェル、及び前記浮遊ゲート上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートに、電圧を印加する制御回路を備える。
前記メモリセルの消去動作において、前記制御回路は、第１の消去電圧が階段状に上昇する第１のパルス波を、前記ウェルに印加し、その後、第２の消去電圧の第２のパルス波を、前記ウェルに印加する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造のフラッシュメモリーの提供
【解決手段】
半導体基板１上にシリコン窒化膜２及びシリコン酸化膜３が選択的に設けられ、シリコン酸化膜３上には、選択的に横（水平）方向エピタキシャルＳｉ層５が設けられ、Ｓｉ層５の両側面には、それぞれ側面を接して横（水平）方向エピタキシャルＳｉ層６が設けられた構造からなる半導体層が素子分離領域のシリコン窒化膜４により絶縁分離されている。Ｓｉ層６の残りの周囲には第１のゲート酸化膜１０を介して包囲型フローティングゲート電極１１が設けられ、包囲型フローティングゲート電極１１の周囲には第２のゲート酸化膜１２を介して包囲型コントロールゲート電極１３（ワード線）が設けられ、Ｓｉ層５には概略ソースドレイン領域９が設けられている２重包囲型ゲート電極を有するＭＩＳ電界効果トランジスタより構成したフラッシュメモリー。 （もっと読む）

【課題】カップリング比の増大と書き込み／消去時のリーク電流の低減とを実現する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、半導体層１１と、半導体層１１上の第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層１３上の電荷蓄積層１４と、電荷蓄積層１４上の第２の絶縁層１５と、第２の絶縁層１５上の制御ゲート電極１６とを備える。第２の絶縁層１５は、電荷蓄積層１４側から制御ゲート電極１６側に向かって、第１のランタンアルミネート層LAO、ランタンアルミシリケート層LASO及び第２のランタンアルミネート層LAOを備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ素子の安全性及び信頼性を改善することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延長された活性領域を含む半導体基板と、半導体基板の上部に第１方向に交差する第２方向に沿って形成されたセレクトラインと、セレクトラインの間の前記活性領域それぞれに形成されて第１不純物を含む接合領域と、セレクトラインの間の空間を埋め込む多層の酸化膜と、接合領域の下部に繋がれて半導体基板の活性領域に形成されて第２不純物を含む接合領域延長部と、多層の酸化膜のうち少なくともいずれか一層を貫通して接合領域及び接合領域延長部に接触されたコンタクトプラグと、を含む。 （もっと読む）

【課題】同一セル内に複数設けられたビットへの個々への書き込み動作が他ビットへの書き込み量に依存することなく正常に行われ、さらには、書き込み・読み出し特性を損なうことなくＳＯＮＯＳ構造セルのいっそうの微細化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、一対の第１拡散領域を有する基板と、該基板上に形成された酸化膜および該酸化膜上に形成された電荷蓄積層とを有するゲート部とを有し、前記電荷蓄積層は当該電荷蓄積層中に離隔して位置する複数のビット領域を有する電気的絶縁膜である。また、酸化膜は、ビット領域に対応する部分がトンネル酸化膜として作用する膜厚の薄膜部およびビット領域間に位置する部分がトンネル効果による電荷輸送を抑制する膜厚の厚膜部を有している。 （もっと読む）

【課題】集積回路を作製する新規なタイプの方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第３の層がその間に配置された、少なくとも半導体の第１および第２の層を備える基板を作製するステップと、少なくとも第１のＭＯＳデバイスを作製するステップであって、その活性領域が半導体の第１の層の少なくとも一部に形成される、ステップと、少なくとも第２のＭＯＳデバイスを作製するステップであって、その活性領域が半導体の第２の層の少なくとも一部に形成され、第２のＭＯＳデバイスの活性領域が第２のＭＯＳデバイスのゲートと第１のＭＯＳデバイスの活性領域との間に配置される、ステップとを少なくとも含む、集積電子回路を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】選択ゲートトランジスタや周辺回路部のトランジスタの下部電極の抵抗値を低減し、しきい値電圧の増加も図れるようにする。
【解決手段】ゲート電極の加工時に、選択ゲートトランジスタのゲート電極ＳＧＤ−ＳＧＤ間の側壁部と、周辺回路部のトランジスタのゲート電極ＰＧの両側壁とに、多結晶シリコン膜４の上部に段差形状を形成し、傾斜部４ｄを設ける。ゲート電極の多結晶シリコン膜６のシリサイド加工時に、多結晶シリコン膜４の傾斜部４ｄからもシリサイド化を進行させ、シリサイド膜７および７ａを形成する。これにより、ゲート電極ＳＧＤおよびＰＧの下部電極においても低抵抗化を図ることができる。多結晶シリコン膜４に分断層４ａを設けることで、シリサイド反応を停止させたり、設けないでゲート絶縁膜３の部分までシリサイド反応させてしきい値電圧を増加させたりできる。 （もっと読む）

【課題】シリサイド工程によるゲート絶縁膜の金属汚染や、メモリセルのショートチャネル効果を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に順に形成された第１絶縁層、電荷蓄積層、第２絶縁層、および制御電極を有し、前記電荷蓄積層の側面が傾斜面を有する複数のメモリセルトランジスタとを備える。さらに、前記装置は、前記メモリセルトランジスタの側面と、前記メモリセルトランジスタ間の前記半導体基板の上面に形成された第１の絶縁膜部分と、前記メモリセルトランジスタ間のエアギャップ上と前記メモリセルトランジスタ上に連続して形成された第２の絶縁膜部分と、を有する１層以上の絶縁膜を備える。さらに、前記メモリセルトランジスタ間の前記半導体基板の上面から前記エアギャップの下端までの第１距離は、前記メモリセルトランジスタの側面に形成された前記絶縁膜の膜厚よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】過電圧がＬＳＩの電源端子に印加されたことを確認できるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置（１０）は、内部回路（１１）と、上記内部回路に電源電圧を供給するための電源端子（１５，１６）とを含む。このとき、上記内部回路の電源電圧として想定されるレベルを越える電圧（過電圧）が上記電源端子に印加された事実を記録するための過電圧印加情報記録回路（１２）を設ける。過電圧印加情報記録回路には、過電圧が上記電源端子に印加された事実が記録されているため、それに基づいて、過電圧がＬＳＩの電源端子に印加されたことを確認することができる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタのゲート電極間の空隙の形状を最適化し、高性能、高信頼性を実現する不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【解決手段】実施の形態の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に、第１のゲート絶縁膜、第１のフローティングゲート電極、第１のゲート間絶縁膜、第１のコントロールゲート電極、第１のゲートマスク絶縁膜の積層構造を有する複数のメモリセルゲート電極を形成する。メモリセルゲート電極の側壁部に保護膜を形成し、その一部を第１のコントロールゲート電極の側壁部の一部が露出するよう除去する。金属膜を形成し、熱処理により、金属膜と第１のコントロールゲート電極を反応させ第１の金属半導体化合物層を形成する。メモリセルゲート電極間を埋め込み、内部に空隙を有する層間絶縁膜であって、第１のコントロールゲート電極の上面よりも半導体基板から離れた位置に空隙の上端が位置する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性を向上することが可能な不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のゲート電極構造１３は、半導体基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１２、電荷蓄積層１４、ゲート間絶縁膜１５、第１制御ゲート１６、及び前記第１制御ゲートより幅が広い第２制御ゲート電極１７を有する。絶縁膜１９は、制御ゲート電極１７間及び制御ゲート電極より上方に形成された空隙１９を有する。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果が抑制され、微細化を実現しつつ、安定した電気的特性を付与する半導体装置を提供する。また、上記半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物絶縁層に設けたトレンチに、トレンチに沿って成膜される酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する半導体装置（トランジスタ）を設ける。該トレンチは下端コーナ部に曲面を有し、側部が酸化物絶縁層上面に対して略垂直な側面を有する。また、トレンチの上端の幅がトレンチの側面の幅の１倍以上１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】電極抵抗および界面抵抗の低下を実現する熱安定性の高いバリアメタル構造を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたポリシリコン膜２と、前記ポリシリコン膜上に形成された金属のシリサイド膜１０と、を備える。実施形態の半導体装置は、前記シリサイド膜の上に形成された前記金属の酸化膜４と、前記酸化膜の上に形成されたタングステン或いはモリブデンを含む膜５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、基板の主面に対して垂直な第１軸に沿って積層された複数の電極膜と、複数の電極膜を第１軸に沿って貫通する複数の半導体層と、複数の電極膜と半導体層との間に設けられたメモリ膜と、を含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、複数の電極膜となる複数の第１膜と複数の第２膜とを交互に積層して、第１積層体を形成する工程と、第１軸に沿い複数の第１膜を支持する支持部を形成する工程と、第１積層体を第１軸に沿って貫通する第１の孔を形成し、第１の孔を介して第２膜を除去し、複数の第１膜どうしの間に間隙が形成された第２積層体を形成する工程と、第２積層体の複数の第１膜を第１軸に沿って貫通する貫通孔を形成する工程と、複数の貫通孔の中に、メモリ膜及び半導体層を埋め込む工程と、を備える。 （もっと読む）