【課題】表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタと、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層とを有し、薄膜トランジスタは温度８５℃で、１２時間、ゲート電極層に３０Ｖ、又は−３０Ｖの電圧を印加する測定において、測定前と測定後の薄膜トランジスタのしきい値電圧の値の差が１Ｖ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い低分子系の有機半導体材料を用いた構成にも適用可能で、かつトランジスタ特性が良好でありながらもソース／ドレイン電極と有機半導体層との間の接続抵抗が小さく高性能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】疎水性のゲート絶縁膜１５で覆われた基板１１上に、一対の親水化パターン１９を設け、この上部にカーボンナノチューブを用いて構成されたソース電極２１ｓおよびドレイン電極２１ｄが選択的に設けられている。ソース電極２１ｓ−ドレイン電極２１ｄ間には、有機半導体層２３が設けられている。有機半導体層２３は、ペンタセンからなる。 （もっと読む）

【課題】画素にメモリを有する画素を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】画素に、少なくとも、表示素子、容量素子、インバータおよびスイッチを設ける。容量素子に保持された信号と、インバータから出力される信号とを用いて、スイッチを制御することにより、表示素子に電圧が供給されるようにする。インバータおよびスイッチを同じ極性を持つトランジスタで構成することができる。また、画素を構成する半導体層を透光性を有する材料で形成してもよい。また、ゲート電極、ドレイン電極および容量電極を透光性を有する導電層を用いて形成してもよい。このように透光性材料で画素を形成することで、メモリが配置された画素を有していながら、その表示装置を透過型にすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いて信頼性の高い表示装置を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】非晶質の酸化物半導体を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と金属材料で形成されるソース電極層及びドレイン電極層のそれぞれの間には、結晶領域を有する酸化物導電層が形成されている。これにより、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層間の接触抵抗を低減することができ、電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び、それを用いた信頼性の高い表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】発光装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路用トランジスタを含む駆動回路部と、画素用トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用トランジスタ及び画素用トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型のトランジスタである。画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。なお、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層とソース電極／ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を図りながらも微細化プロセスの適用が可能でかつ良好な特性を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】トップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層１７とソース電極２１ｓ／ドレイン電極２１ｄとの間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層１９を設けた。有機半導体層１７の導電型がｐ型である場合には、コンタクト層１９にはアクセプタ性材料が含有されている。コンタクト層１９は、有機半導体層１７と同一のパターン形状を有している。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗の低下を図る。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板上のソース／ドレイン領域に形成された第１半導体層１１と、前記第１半導体層上に形成された第１部分１２ａと、前記ソース／ドレイン領域の間に位置するチャネル領域に形成された第２部分１２ｂとを有する第２半導体層１２と、前記第２半導体層の前記第１部分上に形成された第３半導体層１３と、前記第２半導体層の前記第２部分の周囲に絶縁膜２１を介して形成されたゲート電極２２と、前記第１半導体層、前記第２半導体層の第１部分および前記第３半導体層内に形成されたコンタクトプラグ３１と、を具備し、前記第２半導体層内における前記コンタクトプラグの径は、前記第１半導体層及び前記第３半導体層内における前記コンタクトプラグの径より小さい。 （もっと読む）

【課題】画素部の開口率を高くしながら、駆動回路部の特性を向上させた半導体装置を提供することを課題とする。または、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、しきい値電圧を制御できる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁面を有する基板と、基板上に設けられた画素部と、画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部を有し、画素部を構成するトランジスタおよび駆動回路を構成するトランジスタは、トップゲートボトムコンタクト型のトランジスタであって、画素部においては、電極および半導体層が透光性を有し、駆動回路における電極は、画素部のトランジスタが有するいずれの電極よりも低抵抗である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極の加工にドライエッチングを用いてトップコンタクト型ＴＦＴを形成する際のＴＦＴ特性バラツキの増大、歩留まりの低下、さらにはＴＦＴオン電流の低減を抑制することにある。
【解決手段】 薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルストップ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＮＦＥＴにおいて、寄生抵抗の改善を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明におけるＦＩＮＦＥＴでは、サイドウォールＳＷを積層膜から形成している。具体的に、サイドウォールＳＷは、酸化シリコン膜ＯＸ１と、酸化シリコン膜ＯＸ１上に形成された窒化シリコン膜ＳＮ１と、窒化シリコン膜ＳＮ１上に形成された酸化シリコン膜ＯＸ２から構成されている。一方、フィンＦＩＮ１の側壁には、サイドウォールＳＷが形成されていない。このように本発明では、ゲート電極Ｇ１の側壁にサイドウォールＳＷを形成し、かつ、フィンＦＩＮ１の側壁にサイドウォールＳＷを形成しない。 （もっと読む）

【課題】基板側から順に、Ａｌ合金膜と、当該Ａｌ合金膜と直接接続する薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を有し、ＴｉやＭｏなどの高融点金属を省略してＡｌ合金膜を酸化物半導体層と直接接続しても低コンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ａｌ合金膜を有する配線構造を提供する。
【解決手段】上記配線構造において、半導体層は酸化物半導体からなり、Ａｌ合金膜は、Ｎｉおよび／またはＣｏを含むものである。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】基板側から順に、絶縁膜と、Ｃｕ合金膜と、薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を備えた配線構造であって、ＴｉやＭｏなどのバリアメタル層を省略してＣｕ合金膜を、基板および／または絶縁膜と電気的に直接接続しても、これらとの密着性に優れており、しかもＣｕ系材料の特徴である低電気抵抗、並びに酸化物半導体層および／または画素電極を構成する透明導電膜との低いコンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ｃｕ合金膜を有する配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造において、Ｃｕ合金膜は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有している。上記Ｃｕ合金膜は、基板および／または絶縁性、並びに半導体層と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、半導体層と例えばソース電極やドレイン電極を構成するＡｌ系膜とを安定して直接接続させることが可能であるとともに、ウェットプロセスで用いる電解質液中で、半導体層とＡｌ系膜との間でガルバニック腐食が生じにくく、Ａｌ系膜の剥離を抑制することのできる配線構造を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板１側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、半導体層４と直接接続するＡｌ合金膜６と、を備えた配線構造であって、半導体層４は酸化物半導体からなり、Ａｌ合金膜６は、Ｎｉおよび／またはＣｏを含む。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体においてはイオン注入法による拡散層形成が難しいため、バルクシリコンＭＯＳトランジスタや多結晶シリコンＴＦＴのようなイオン注入法を用いた自己整合プロセスを組むことができない。本願では、リフトオフを用いる場合のような不都合の生じない自己整合プロセスを酸化物半導体において実現することを課題とする。
【解決手段】 裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 （もっと読む）