【課題】 高周波特性を確保し、サイズを小型化し、かつ製造が容易な、正孔の蓄積を解消できる、耐圧性に優れた、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ：Hetero-junction Field Effect Transistor）であって、非導電性基板１上に位置する、チャネルとなる二次元電子ガス（２ＤＥＧ：2 Dimensional Electron Gas）を形成する再成長層７（５，６）と、再成長層に接して位置する、ソース電極１１、ゲート電極１３およびドレイン電極１５を備え、ソース電極１１が、ゲート電極１３に比べて、非導電性基板１から遠い位置に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大電流かつ高耐圧な窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の上方に形成された電子走行層３０と、電子走行層３０上に形成された、電子走行層３０とバンドギャップエネルギーの異なる電子供給層４０と、電子供給層４０上に形成されたドレイン電極８０と、ドレイン電極８０に流れる電流を制御するゲート電極７０と、ゲート電極７０をはさんでドレイン電極８０の反対側に形成されたソース電極９０とを備え、ゲート電極７０とドレイン電極８０との間の電子走行層３０の表面には、２次元電子ガスの濃度が他の領域より低い複数の低濃度領域３２が、互いに離れて形成されている、窒化物系半導体デバイス１００。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗、高耐圧及び高信頼性を達成する。
【解決手段】窒化物半導体装置１１０は、第１半導体層３、第２半導体層４、第１電極１０、第２電極７、第３電極８、第１絶縁膜６及び第２絶縁膜５を備える。第１半導体層３は、窒化物半導体を含む。第２半導体層４は、第１半導体層３上に設けられ、孔部４ａを有する。第２半導体層４は、第１半導体層３よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含む。第１電極１０は、孔部４ａ内に設けられる。第１電極１０の一方側に第２電極７、他方側に第３電極８が設けられ、それぞれ第２半導体層４と電気的に接続される。第１絶縁膜６は、酸素を含有する膜であって、第１電極１０と孔部４ａの内壁とのあいだ、及び第１電極１０と第２電極７とのあいだに設けられ、第３電極８と離間して設けられる。第２絶縁膜５は、窒素を含有する膜であって、第１電極１０と第３電極８とのあいだで第２半導体層４に接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に直接ストライプ状に凹部を形成することで隔壁形成プロセスを省き、前記凹部をガイドとして塗布法により精度よく半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタの構造を提供する。また、その構造を用いた薄膜トランジスタの製造方法、及びそれを用いたが画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、前記絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】急峻なＳ値特性を有するとともに、ソース／ドレイン領域が同じ導電型となる対称構造を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本実施形態による電界効果トランジスタは、半導体層と、前記半導体層に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ソース領域および前記ドレイン領域側の前記ゲート電極の少なくとも一方の側面に設けられた高誘電体のゲート側壁と、を備え、前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記ゲート電極の対応する側面から離れている。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、後工程にて形成される上層の塗布性に優れ、かつ高信頼性を示す電界効果型トランジスタなどの提供。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に形成され、かつ、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を被覆するように形成された保護層とを有し、前記保護層が、フッ素樹脂を含有し、前記保護層形成後の前記保護層の水に対する接触角が、７５°以上９０°以下である電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の領域、一対の第２の領域及び第３の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第１の領域は一対の電極と重畳し、第３の領域はゲート電極と重畳し、一対の第２の領域は一対の第１の領域及び第３の領域の間に形成され、一対の第２の領域及び第３の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第３の領域より一対の第２の領域のほうが高い構成とする。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置の提供。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いたトランジスタ１６２と、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ１６０を組み合わせて用いることにより、書き込み回数にも制限が無く、長期間にわたる情報の保持ができる、新たな構造の半導体装置を実現することができる。さらに、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタと酸化物半導体材料を用いたトランジスタとを接続する接続電極１３０ｂを、当該接続電極と接続する酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタの電極１２９より小さくすることにより、新たな構造の半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】DWB法における貼り合わせ時にIII-V族化合物半導体層が受けるダメージを小さくするとともに、受けたダメージの影響および界面準位の影響を低く抑え、高いキャリアの移動度を有するIII-V族MISFETを提供する。
【解決手段】ベース基板１０２と第１絶縁体層１０４と半導体層１０６とを有し、ベース基板１０２、第１絶縁体層１０４および半導体層１０６が、ベース基板１０２、第１絶縁体層１０４、半導体層１０６の順に位置し、第１絶縁体層１０４が、アモルファス状金属酸化物またはアモルファス状金属窒化物からなり、半導体層が、第１結晶層１０８および第２結晶層１１０を含み、第１結晶層１０８および第２結晶層１１０が、ベース基板１０２の側から、第１結晶層１０８、第２結晶層１１０の順に位置し、第１結晶層１０８の電子親和力Ｅ_ａ１が、第２結晶層１１０の電子親和力Ｅ_ａ２より大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな出力のレーザー光照射を必要とせず、被剥離層等に損傷を与えることなく、被剥離層を転写した発光装置。
【解決手段】バリア膜が設けられたプラスチック基板に被剥離層が転写された発光装置であって、プラスチック基板に選択的に金属酸化物が残存している。金属酸化物は、ガラス基板上の剥離層に加熱処理を行ってから剥離したときに残存したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置におけるデータ保持のためのリフレッシュ動作の回数を低減し、消費電力の小さい半導体記憶装置を提供する。また、三次元の形状を適用することで、集積度を高めても短チャネル効果の影響が低減され、かつ従来に比べてフォトリソグラフィ工程数の増加を抑えた半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】溝部の設けられた絶縁膜１０３と、溝部を挟んで離間した一対の電極１１６と、溝部の側面および底面と接し、溝部の深さよりも厚さの薄い、一対の電極１１６と接する酸化物半導体膜１０６と、酸化物半導体膜１０６を覆うゲート絶縁膜１１２と、ゲート絶縁膜１１２を介して酸化物半導体膜１０６と重畳して設けられたゲート電極１１２と、を有するトランジスタ１５０と、キャパシタ１６０と、を有する半導体記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】大量の商業マイクロエレクトロニクスメーカーがアクセスし易い最先端の基礎設備を使用して、高性能且つ費用対効果に優れた耐放射線性集積回路（ＲＨＩＣｓ）を提供する。
【解決手段】様々な形式の放射線エネルギーによって引き起こされる有害な影響を減少し、又は排除するために、従来の設計及びプロセスを使用する一方で特殊構造を含んで半導体デバイスを作成する。このような半導体デバイスは本願で開示された１台以上の寄生的な分離デバイス、及び／又は、埋め込みガードリング構造を含む。これら新規な構造に対応する設計、及び／又は、工程ステップの導入には、従来のＣＭＯＳ製作工程との互換性がある。したがって、比較的低い費用で比較的簡単に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上へのＶＦＥＴと他の種類の素子との混載が可能でありながら、半導体基板上に積層される半導体層の表面に大きな段差を有しない半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ⁻型表面層５が積層されている。ボックス層３上には、Ｎ⁻型表面層５の表面からボックス層３に至る深さを有する、平面視環状のディープトレンチ６が形成されている。ディープトレンチ６およびボックス層３に取り囲まれるトランジスタ形成領域８は、その周囲から分離されている。このトランジスタ形成領域８において、Ｎ⁻型表面層５の表層部には、ソース領域１４およびドレイン領域１６が形成されている。またディープトレンチ６の側面に沿って、ドレイン領域１６とＮ^＋型横方向導電層４とに接続されたＮ^＋型縦方向導電層１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタとその製造方法において、電界効果トランジスタの耐圧を高めつつそのオン抵抗を低減すること。
【解決手段】基板１と、基板１の上に形成され、複数の第１の半導体層３と複数の層間絶縁層４とが交互に積層された積層体１０と、積層体１０の側面１０ａに形成されると共に、該側面１０ａにおいて複数の第１の半導体層３の各々に接続された第２の半導体層１２と、第２の半導体層１２の上に形成されたゲート絶縁層１７と、ゲート絶縁層１７の上に形成され、ゲート絶縁層１７を介して側面１０ａに対向するゲート電極１９と、第２の半導体層１２に電気的に接続されたソース電極１４と、複数の第１の半導体層３の各々に電気的に接続されたドレイン電極１５とを有する電界効果トランジスタによる。 （もっと読む）

【課題】縦型ＰＮ接合において確実にオン／オフの制御をすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備える。第１導電型の第１のチャネル領域が、ゲート絶縁膜の下にある半導体層の表面の一部に設けられている。第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。第１導電型のドレインおよび第２導電型のソースが、第１のチャネル領域の両側にある半導体層内にそれぞれ設けられている。側壁絶縁膜は、第１のチャネル領域の拡散層側の側面を被覆する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、有機半導体素子の製造プロセス適応性に優れる膜形成用組成物および該組成物を用いた薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】上記課題は、必須成分として、（ａ）式（Ｉ）で表される構造を０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上含有する有機化合物と、（ｂ）有機溶剤とを含有する膜形成用組成物および該組成物を有機半導体素子の絶縁膜等に用いる薄膜トランジスタにより達成される。該薄膜トランジスタは、閾値電圧が高く、ＯＮ/ＯＦＦ電流比も高い特性の良好なトランジスタとなる。
【化１】
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【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なる
ゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を同一基板に形成することができる
薄膜半導体装置とその製造方法を提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載
する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるよう
にしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不
純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 （もっと読む）